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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1832個(gè) 瀏覽：92767次 帖子：50個(gè)

      功率器件技術(shù)

      DBA基板未來(lái)應(yīng)用領(lǐng)域分析

      DBA基板未來(lái)應(yīng)用領(lǐng)域分析

      隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各種新型材料也不斷涌現(xiàn)。其中，直接覆鋁陶瓷基板（DBA基板）因其優(yōu)良的性能表現(xiàn)備受矚目，成為電子行業(yè)中備受關(guān)注的材料之一。 DB...

      2023-06-20 標(biāo)簽：功率器件DBA陶瓷基板 1352 0

      用于EV充電系統(tǒng)柵極驅(qū)動(dòng)的隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器

      用于EV充電系統(tǒng)柵極驅(qū)動(dòng)的隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器

      電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電...

      2023-06-24 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)功率器件 991 0

      二極管失效的主要原因

      二極管失效的主要原因

      對(duì)普通整流二極管來(lái)講，只要應(yīng)用電路中存在電網(wǎng)波動(dòng)、同網(wǎng)中的大功率設(shè)備開(kāi)啟關(guān)斷、雷擊、開(kāi)關(guān)火花、大容量的感性負(fù)載、大容量的容性負(fù)載這些情況下，瞬間電壓高于...

      2023-06-16 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體整流二極管 4640 0

      1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行？

      1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行？

      近年來(lái)，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入速度加快，但與硅相比成本較高的問(wèn)題依然存在。

      2023-06-15 標(biāo)簽：功率器件GaN功率半導(dǎo)體 1057 0

      垂直型GaN-on-GaN功率二極管浪涌特性研究

      垂直型GaN-on-GaN功率二極管浪涌特性研究

      近日，中國(guó)科大微電子學(xué)院兩篇論文入選第35屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際會(huì)議（IEEE ISPSD）。IEEE ISPSD是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域...

      2023-06-13 標(biāo)簽：二極管MOSFET半導(dǎo)體 1684 0

      一種基于全HVPE生長(zhǎng)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管

      一種基于全HVPE生長(zhǎng)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管

      近日，由深圳大學(xué)和深圳信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院組成的科研團(tuán)隊(duì)，研發(fā)出了“基于全HVPE生長(zhǎng)、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘...

      2023-06-13 標(biāo)簽：二極管功率器件GaN 1971 0

      常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件封裝用陶瓷基板材料

      常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件封裝用陶瓷基板材料

      功率電子器件即功率半導(dǎo)體器件（power electronic device），通常是指用于控制大功率電路的電子器件（數(shù)十至數(shù)千安培的電流，數(shù)百伏以上的...

      2023-06-09 標(biāo)簽：封裝IGBT功率器件 3483 0

      AEC-Q101|SiC功率器件高溫反偏

      AEC-Q101|SiC功率器件高溫反偏

      SiC（碳化硅）功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開(kāi)關(guān)損耗等特性，能有效實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求，受到了新能源汽車、光伏發(fā)...

      2023-06-09 標(biāo)簽：汽車電子功率器件SiC 1190 0

      B1506A功率器件分析儀在車規(guī)級(jí)大功率半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用

      “降價(jià)了降價(jià)了?。?！某某汽車又降價(jià)了，最近的汽車交易市場(chǎng)價(jià)格戰(zhàn)打的火熱啊，趕緊抓住機(jī)會(huì)，搞一輛新車，到底是買傳統(tǒng)車還是新能源呢？別急，我們講一下新能源新在哪里。

      2023-06-09 標(biāo)簽：新能源汽車DC-DC功率器件 1437 0

      什么是氮化鎵半導(dǎo)體 氮化鎵半導(dǎo)體在產(chǎn)品上的具體應(yīng)用

      什么是氮化鎵半導(dǎo)體 氮化鎵半導(dǎo)體在產(chǎn)品上的具體應(yīng)用

      氮化鎵元件一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)在于它極快的開(kāi)關(guān)速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時(shí)由于沒(méi)有體二極管pn結(jié)，因此在硬開(kāi)關(guān)中，沒(méi)有相關(guān)的反向...

      2023-06-08 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵無(wú)刷直流電機(jī) 1056 0

      SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較

      SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較

      超結(jié)（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來(lái)，在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）...

      2023-06-08 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 4434 0

      納微半導(dǎo)體GeneSiC碳化硅MOSFETs為高頻充電樁實(shí)現(xiàn)最佳充電效果

      碳化硅(SiC)是一種新的“寬禁帶”功率半導(dǎo)體材料，正在快速取代傳統(tǒng)硅功率芯片，應(yīng)用于可再生能源、儲(chǔ)能、 微網(wǎng)、電動(dòng)汽車和工業(yè)應(yīng)用等高功率、高壓應(yīng)用領(lǐng)域。

      2023-06-07 標(biāo)簽：功率器件充電樁碳化硅 581 0

      關(guān)于特斯拉電動(dòng)化路徑總結(jié)

      關(guān)于特斯拉電動(dòng)化路徑總結(jié)

      特斯拉自研BMS系統(tǒng)設(shè)計(jì)采用主從架構(gòu)，主控制器 (BMU) 負(fù)責(zé)高壓、絕緣測(cè)試、高壓互鎖、 接觸器控制、對(duì)外部通信等功能，從控制器 (BMB) 負(fù)責(zé)單體...

      2023-06-07 標(biāo)簽：接觸器特斯拉功率器件 387 0

      AMB活性金屬焊接陶瓷基板的性能及應(yīng)用

      AMB活性金屬焊接陶瓷基板的性能及應(yīng)用

      第三代半導(dǎo)體（氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等）的崛起和發(fā)展推動(dòng)了功率器件尤其是半導(dǎo)體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進(jìn)，對(duì)封裝基板...

      2023-06-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 7236 0

      導(dǎo)入寬帶隙半導(dǎo)體 滿足高瓦數(shù)電源供應(yīng)需求

      導(dǎo)入寬帶隙半導(dǎo)體 滿足高瓦數(shù)電源供應(yīng)需求

      益登科技 300W 電源解決方案采用以 SiC/GaN 為材料的 MOSFET 和肖特基勢(shì)壘二極管，以降低開(kāi)關(guān)損耗和恢復(fù)損耗，搭配 PFC 和 LLC ...

      2023-06-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件數(shù)字控制器 708 0

      常見(jiàn)材料導(dǎo)熱系數(shù)匯總

      常見(jiàn)材料導(dǎo)熱系數(shù)匯總

      通常把導(dǎo)熱系數(shù)較低的材料稱為保溫材料(我國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，凡平均溫度不高于350℃時(shí)導(dǎo)熱系數(shù)不大于0.12W/(m·K)的材料稱為保溫材料），而把導(dǎo)熱系數(shù)...

      2023-06-01 標(biāo)簽：功率器件導(dǎo)熱 2.5萬(wàn) 0

      淺談新能源汽車電機(jī)控制器的MOSFET B2M065120H應(yīng)用

      淺談新能源汽車電機(jī)控制器的MOSFET B2M065120H應(yīng)用

      基本半導(dǎo)體自2017年開(kāi)始布局車用碳化硅器件研發(fā)和生產(chǎn)，目前已掌握碳化硅芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等核心技術(shù)，申請(qǐng)兩百余項(xiàng)發(fā)明專利，產(chǎn)品性能...

      2023-06-01 標(biāo)簽：新能源汽車IGBT電機(jī)控制器 1153 0

      圖文并茂告訴你MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)有哪些？

      圖文并茂告訴你MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)有哪些？

      MOSFET的全稱為：metal oxide semiconductor field-effect transistor，中文通常稱之為，金屬-氧化層-...

      2023-06-01 標(biāo)簽：模擬電路MOSFET晶體管 803 0

      功率器件結(jié)溫監(jiān)測(cè)技術(shù)研究

      功率器件結(jié)溫監(jiān)測(cè)技術(shù)研究

      ? ? ? ? 審核編輯：彭靜

      2023-05-31 標(biāo)簽：功率器件監(jiān)測(cè)技術(shù) 729 0

      半導(dǎo)體芯片學(xué)習(xí)筆記-熱特性02

      半導(dǎo)體芯片學(xué)習(xí)筆記-熱特性02

      上次了解了熱阻，我們知道了熱阻類似電阻，可以看成表征導(dǎo)熱快慢的物理量，熱阻Rth=溫度差ΔT/功率P

      2023-05-30 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 2448 0

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      • 工業(yè)4.0
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        工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來(lái)項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
      • 英偉達(dá)
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        Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國(guó)加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉市。
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        以無(wú)人駕駛來(lái)說(shuō)，城市中將建造一個(gè)巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機(jī)就能隨時(shí)呼叫無(wú)人駕駛汽車服務(wù)；交警能精準(zhǔn)判斷每一輛汽車去向，更有效地管理交通……
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        OpenWrt 可以被描述為一個(gè)嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對(duì)比一個(gè)單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個(gè)完全可寫(xiě)的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
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        ARM架構(gòu)過(guò)去稱作進(jìn)階精簡(jiǎn)指令集機(jī)器（Advanced RISC Machine，更早稱作：Acorn RISC Machine），是一個(gè)32位精簡(jiǎn)指令集（RISC）處理器架構(gòu)，其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
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        DragonBoard 410c
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        Qualcomm最新的“龍板”——Qualcomm DragonBoard 410c，是一枚功能極為強(qiáng)大，身材特別小巧的開(kāi)發(fā)板，它集成了目前最流行的智能手機(jī)處理能力，幫您實(shí)現(xiàn)對(duì)各種智能硬件的天馬行空想象。您可以研用“龍板”實(shí)現(xiàn)高清視頻、Wi-Fi/藍(lán)牙、多媒體、3D游戲等各項(xiàng)功能。
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        OpenCL是一個(gè)為異構(gòu)平臺(tái)編寫(xiě)程序的框架，此異構(gòu)平臺(tái)可由CPU，GPU或其他類型的處理器組成。OpenCL由一門(mén)用于編寫(xiě)kernels （在OpenCL設(shè)備上運(yùn)行的函數(shù)）的語(yǔ)言（基于C99）和一組用于定義并控制平臺(tái)的API組成。
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        嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡(jiǎn)稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動(dòng)軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動(dòng)接口、通信協(xié)議、圖形界面、標(biāo)準(zhǔn)化瀏覽器等。
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        　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)的基礎(chǔ)，它是一個(gè)開(kāi)放的、可升級(jí)的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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        JDI
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        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時(shí)地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實(shí)例等。
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        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問(wèn)網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
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        麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動(dòng)設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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        米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開(kāi)發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開(kāi)發(fā)工具、充電樁計(jì)費(fèi)控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
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        ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過(guò)轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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        OpenStack是一個(gè)開(kāi)源的云計(jì)算管理平臺(tái)項(xiàng)目，是一系列軟件開(kāi)源項(xiàng)目的組合。由NASA（美國(guó)國(guó)家航空航天局）和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起，以Apache許可證（Apache軟件基金會(huì)發(fā)布的一個(gè)自由軟件許可證）授權(quán)的開(kāi)源代碼項(xiàng)目。
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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時(shí)稱作分頁(yè)內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問(wèn)請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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        OMAPL138
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        OMAP-L138是美國(guó)德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器 （DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開(kāi)發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對(duì)高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長(zhǎng)電池使用壽命的需求。
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