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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1832個 瀏覽：92769次 帖子：50個

      功率器件技術(shù)

      碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢及應(yīng)用前景

      隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)管理和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料，具有高頻...

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      如何利用LTspice輕松模擬工程電源與MEMS信號鏈設(shè)計

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      一般的共享電源和數(shù)據(jù)接口經(jīng)過編碼，可減少信號直流成分，從而在發(fā)送交流信號成分時簡化系統(tǒng)設(shè)計。但是，許多數(shù)字輸出傳感器接口（例如，SPI和I2C）尚未經(jīng)過...

      2024-04-09 標(biāo)簽：傳感器以太網(wǎng)mems 1076 0

      雙脈沖平臺搭建的難題如何破解

      雙脈沖平臺搭建的難題如何破解

      雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。

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      功率器件電鍍的原理和步驟

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      在功率半導(dǎo)體制程里，電鍍扮演著舉足輕重的角色，從芯片前端制程到后端封裝，均離不開這一關(guān)鍵工序。目前，我國中高檔功率器件在晶圓背面金屬化方面存在技術(shù)短板，...

      2025-06-09 標(biāo)簽：晶圓電鍍功率器件 1072 0

      碳化硅功率器件的應(yīng)用與市場前景

      碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿場強(qiáng)、高電子飽和漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本文將對碳化硅功...

      2024-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1071 0

      碳化硅器件封裝中的3個關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)是什么

      碳化硅器件封裝中的3個關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)是什么

      傳統(tǒng)模塊封裝使用的敷銅陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二維平面上布局，電流回路面積大，雜散電感參數(shù)大。CPES...

      2023-08-14 標(biāo)簽：pcb功率器件SiC 1058 0

      逆變電路中功率器件的損耗分析

      逆變電路中功率器件的損耗分析

      在研究逆變電路的損耗時，所使用的功率器件選型也非常重要。不僅要實現(xiàn)預(yù)期的電路工作和特性，同時還需要進(jìn)行優(yōu)化以將損耗降至更低。本文將功率器件的損耗分為開關(guān)...

      2025-03-27 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器仿真功率器件 1057 0

      1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行？

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      近年來，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導(dǎo)體的開發(fā)和市場導(dǎo)入速度加快，但與硅相比成本較高的問題依然存在。

      2023-06-15 標(biāo)簽：功率器件GaN功率半導(dǎo)體 1057 0

      什么是氮化鎵半導(dǎo)體 氮化鎵半導(dǎo)體在產(chǎn)品上的具體應(yīng)用

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      氮化鎵元件一個很大的優(yōu)勢在于它極快的開關(guān)速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時由于沒有體二極管pn結(jié)，因此在硬開關(guān)中，沒有相關(guān)的反向...

      2023-06-08 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵無刷直流電機(jī) 1056 0

      TOLL封裝功率器件的優(yōu)勢

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      隨著半導(dǎo)體功率器件的使用環(huán)境和性能要求越來越高，器件散熱能力要求也隨之提高。器件散熱問題導(dǎo)致的失效占了總失效的一半以上，而通過封裝技術(shù)升級，是提高器件散...

      2025-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體控制器封裝 1052 0

      碳化硅器件“上車”加快，800V高壓平臺蓄勢待發(fā)

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      根據(jù)研究和規(guī)模化應(yīng)用的時間先后順序，業(yè)內(nèi)將半導(dǎo)體材料劃分為三代。常見的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵...

      2023-09-28 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 1049 0

      遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測試

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      氮化鎵（GaN），作為一種具有獨特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢...

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      淺談IGBT產(chǎn)業(yè)鏈中的幾個玩家

      低壓的光伏經(jīng)過前年的低谷期，最近兩三年都是處于上升的階段，包括很多光伏逆變的客戶發(fā)展還是比較快，海外市場會多一些，包括這幾年崛起的終端客戶，比如德業(yè)和錦浪。

      2022-09-20 標(biāo)簽：IGBT功率器件 1045 0

      碳化硅功率器件封裝技術(shù)解析

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      碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些...

      2023-09-24 標(biāo)簽：封裝技術(shù)BGA功率器件 1044 0

      如何增強(qiáng)SiC功率器件的性能與可靠性？

      電動汽車 (EV) 市場的快速增長推動了對下一代功率半導(dǎo)體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體的需求尤為強(qiáng)勁。

      2024-04-07 標(biāo)簽：電動汽車半導(dǎo)體功率器件 1043 0

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      所有現(xiàn)代硅功率器件都基于溝槽技術(shù)，并已取代了平面技術(shù)，那么碳化硅呢？就碳化硅而言，溝槽設(shè)計在性能優(yōu)勢方面與Si功率MOSFET技術(shù)的發(fā)展有許多相似之處。...

      2024-05-16 標(biāo)簽：英飛凌MOSFET功率器件 1043 0

      用于可穿戴設(shè)備和汽車的功率器件方案

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      PMIC 是小型電池供電設(shè)備的最佳選擇，因為它們可以在單芯片中提供完整的電源解決方案，并包括電壓轉(zhuǎn)換器、穩(wěn)壓器、電池電量指示器、電池充電器和 LED 驅(qū)...

      2022-07-26 標(biāo)簽：電源電源管理功率器件 1039 0

      飛兆半導(dǎo)體于2013年功率電子論壇中推多項創(chuàng)新解決方案

      飛兆半導(dǎo)體公司（紐約證券交易所代號： FCS），高性能功率和移動半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，將與行業(yè)和學(xué)術(shù)界專家齊聚一堂，參加2013年6月18-2...

      2013-06-04 標(biāo)簽：飛兆半導(dǎo)體開關(guān)電源電機(jī)驅(qū)動 1038 0

      IGBT的應(yīng)用可靠性與失效分析

      IGBT的應(yīng)用可靠性與失效分析

      包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性問題包括安全工作區(qū)、閂鎖效應(yīng)、雪崩耐量、短路能力及功耗等，使用可靠性問題包括并聯(lián)均流、軟關(guān)斷、電磁干擾及散熱等。

      2025-04-25 標(biāo)簽：IGBT晶體管功率器件 1037 0

      國產(chǎn)碳化硅MOS推薦-不間斷電源

      國產(chǎn)碳化硅MOS推薦-不間斷電源

      不間斷電源（UPS）是一種將蓄電池與主機(jī)相連接，將直流電轉(zhuǎn)換成市電的系統(tǒng)設(shè)備，主要是為了在市電故障時能夠為計算機(jī)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)或其他電力電子設(shè)備提供可靠和連續(xù)的電能。

      2023-11-20 標(biāo)簽：蓄電池不間斷電源MOS 1035 0

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        工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個國家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
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        OpenWrt 可以被描述為一個嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對比一個單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
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        Qualcomm最新的“龍板”——Qualcomm DragonBoard 410c，是一枚功能極為強(qiáng)大，身材特別小巧的開發(fā)板，它集成了目前最流行的智能手機(jī)處理能力，幫您實現(xiàn)對各種智能硬件的天馬行空想象。您可以研用“龍板”實現(xiàn)高清視頻、Wi-Fi/藍(lán)牙、多媒體、3D游戲等各項功能。
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        OpenCL是一個為異構(gòu)平臺編寫程序的框架，此異構(gòu)平臺可由CPU，GPU或其他類型的處理器組成。OpenCL由一門用于編寫kernels （在OpenCL設(shè)備上運行的函數(shù)）的語言（基于C99）和一組用于定義并控制平臺的API組成。
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        嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動接口、通信協(xié)議、圖形界面、標(biāo)準(zhǔn)化瀏覽器等。
      • Windows CE
        Windows CE
        +關(guān)注
        　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動計算平臺的基礎(chǔ)，它是一個開放的、可升級的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
      • JDI
        JDI
        +關(guān)注
        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實例等。
      • NFS
        NFS
        +關(guān)注
        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計算機(jī)一樣。
      • 麒麟960
        麒麟960
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        麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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        米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計費控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
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        ARM公司是一家知識產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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        OpenStack是一個開源的云計算管理平臺項目，是一系列軟件開源項目的組合。由NASA（美國國家航空航天局）和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起，以Apache許可證（Apache軟件基金會發(fā)布的一個自由軟件許可證）授權(quán)的開源代碼項目。
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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請求的計算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡單的計算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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