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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導體器件基礎(chǔ)。
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上述公式是穩(wěn)態(tài)工作時,功率器件上的電壓、電流應力。選擇功率器件時,其電壓耐量可放一個合適的余量(保證最壞情況下的電壓峰值不超過此值),電流耐量則得按器件...
2023-04-28 標簽:開關(guān)電源BUCK變換器 837 0
芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應用場景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之...
2023-08-16 標簽:MOSFET功率器件SiC MOSFET 833 0
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料,具有優(yōu)異的電特性,例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導通電阻、高工作頻率和高開...
新型SIC功率芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計及制造技術(shù)
柵極電壓。上升過程,P阱中電子流向溝道,空穴流出P阱,在流經(jīng)P阱電阻及P型歐姆接觸電阻時,P阱瞬態(tài)電位上升,等效閾值電壓升高; 漏極電壓下...
功率MOSFET是較常使用的一類功率器件?!癕OSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的...
隨著全球?qū)δ苄Ш铜h(huán)保的要求日益提高,傳統(tǒng)硅基半導體器件逐漸暴露出其性能瓶頸,特別是在高溫、高壓和高頻應用場景中。
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率器件在電動汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應用日益廣泛。這些應用對功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動...
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(五)——功率半導體熱容
/前言/功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低...
探究電驅(qū)動系統(tǒng)中碳化硅功率器件封裝的三大核心技術(shù)
在電動汽車、風力發(fā)電等電驅(qū)動系統(tǒng)中,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的性能逐漸取代了傳統(tǒng)的硅基功率器件。然而,要充分發(fā)揮碳化硅功率器件的優(yōu)勢,其封裝技術(shù)尤為關(guān)鍵。...
2024-08-19 標簽:電感驅(qū)動系統(tǒng)功率器件 803 0
圖文并茂告訴你MOSFET的驅(qū)動技術(shù)有哪些?
MOSFET的全稱為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱之為,金屬-氧化層-...
PCB作為各種元器件的載體與電路信號傳輸?shù)臉屑~,是電子產(chǎn)品最關(guān)鍵的部分,其質(zhì)量的好壞直接決定了整機設(shè)備的質(zhì)量與可靠性。
2023-08-31 標簽:電子產(chǎn)品pcb元器件 802 0
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(十一)——功率半導體器件的功率端子
/前言/功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低...
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導體材料,主要應用于功率器件,可有效縮小功率器件體積,提高功率器件效率,對傳統(tǒng)硅材料功率器 件進行替代。
目前市場上出現(xiàn)的碳化硅半導體包括的類型相對較多,常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導體場效應、晶體管、晶閘管、結(jié)算場、效應晶體管等等這些不同類型的碳化硅...
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