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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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1940年貝爾實驗室在研究雷達(dá)探測整流器時,發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng),1958年美國通用電氣(GE)公司研發(fā)出世界上第一個工業(yè)用普通晶閘管,標(biāo)志著電力電子技...
近年來,半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展迅速,集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。5G 時代的到來,對射頻器件所用半導(dǎo)體材料提出了新要求。氮化鎵(GaN)由于其大禁帶寬度和高飽和電...
在工業(yè)應(yīng)用中,AC/DC 電源轉(zhuǎn)換(也稱為“離線式”電源轉(zhuǎn)換)與消費(fèi)類和大眾市場設(shè)計迥然不同。通常,工業(yè)應(yīng)用的電壓、電流和功率水平相對更高,對熱應(yīng)力和電...
2022-06-23 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器功率器件工業(yè)電源 1.2萬 0
首先,讓我們先來看一下SiC MOSFET開關(guān)暫態(tài)的幾個關(guān)鍵參數(shù),圖片來源于Cree官網(wǎng)SiC MOS功率模塊的datasheet。開通暫態(tài)的幾個關(guān)鍵參...
2022-04-27 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體器件 9207 0
氮化鎵功率器件在陣列雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用
本文重點討論氮化鎵功率器件在陣列雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用。下面結(jié)合半導(dǎo)體的物理特性,對氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)的特點加以說明。
2022-04-24 標(biāo)簽:雷達(dá)功率器件收發(fā)系統(tǒng) 5929 0
我們都知道功率半導(dǎo)體器件屬于電力電子開關(guān),開關(guān)速度非???,1秒可以開關(guān)上千次(kHz),高速功率器件可達(dá)到幾十kHz,甚至上百kHz。開關(guān)速度越快意味著...
英飛凌無磁芯變壓器(CT)隔離驅(qū)動芯片技術(shù)介紹
無磁芯變壓器是新一代的驅(qū)動技術(shù),基于英飛凌領(lǐng)先的功率器件設(shè)計和應(yīng)用的經(jīng)驗,具有高共模瞬變抗擾度、精密時序控制、精確的短路保護(hù)、高電壓并可靠的輸出推挽MO...
2022-04-18 標(biāo)簽:英飛凌功率器件隔離驅(qū)動芯片 5430 1
控制外延層的摻雜類型和濃度對 SiC 功率器件的性能至關(guān)重要,它直接決定了后續(xù)器件的比導(dǎo)通電阻,阻斷電壓等重要的電學(xué)參數(shù)。
鐵路、汽車、基礎(chǔ)設(shè)施、家電等電力電子一直在與我們息息相關(guān)的生活中支持著我們。為節(jié)省能源和降低含碳量(實現(xiàn)脫碳),需要高度高效的電力電子技術(shù)。IGBT、S...
開關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開關(guān)電源的效率,就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面:開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這...
2022-03-21 標(biāo)簽:開關(guān)電源功率器件集電極 4590 0
如今,以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)風(fēng)頭正勁。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比,GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電...
電機(jī)驅(qū)動中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景
通過采用電子馬達(dá)驅(qū)動器或“電壓源逆變器”可實現(xiàn)對電機(jī)的增強(qiáng)型控制,此類驅(qū)動器通常會產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動器采用...
2021-04-28 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動功率器件氮化鎵 2755 0
SiC如何實現(xiàn)比硅更好的熱管理?SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用?
碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)系列材料。它的物理鍵非常牢固,使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械,化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...
尋找硅替代物的研究始于上個世紀(jì)的最后二十年,當(dāng)時研究人員和大學(xué)已經(jīng)對幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗,這些材料顯示出替代射頻,發(fā)光,傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材...
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