新能源汽車使用碳化硅功率器件已是必然的變革

森國(guó)科碳化硅MOS第三代功率半導(dǎo)體 新能源汽車系統(tǒng)架構(gòu)中涉及到功率半導(dǎo)體應(yīng)用的組件包括：電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、車載充電系統(tǒng)（OBC）、電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（車載?DC/...

2023-07-03 標(biāo)簽：新能源汽車MOSFET功率器件 784 0

多維科技TMR7303系列電流傳感器產(chǎn)品介紹

多維科技TMR7303系列電流傳感器產(chǎn)品，其板載式外形尺寸和引腳定義與市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品完全兼容，為客戶快速應(yīng)用和產(chǎn)品升級(jí)創(chuàng)造了捷徑。

2023-06-25 標(biāo)簽：功率器件電流傳感器磁傳感器 783 0

碳化硅功率器件的工作原理

碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動(dòng)。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙，從而保持穩(wěn)定的半導(dǎo)體特性。

2024-03-26 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 782 0

碳化硅的布局和領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)

中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)最新數(shù)據(jù)顯示，2022年1月至11月，新能源汽車產(chǎn)銷分別完成625.3萬輛和606.7萬輛，同比均增長(zhǎng)1倍，市場(chǎng)占有率達(dá)到25%。由此可...

2023-07-08 標(biāo)簽：安森美功率器件碳化硅功率模塊 780 0

宇宙輻射如何影響半導(dǎo)體功率器件的故障率?

能量粒子以多種方式影響半導(dǎo)體芯片，例如存儲(chǔ)器、處理器以及模擬和電源設(shè)備。器件的故障率取決于其所暴露的輻射量，這不僅是空間應(yīng)用中至關(guān)重要的因素，在地面電源...

2024-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體輻射功率器件 773 0

利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車電池的充電能力

終端用戶希望新的電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)能夠最大限度地減少車輛的空閑時(shí)間，尤其是在長(zhǎng)途駕駛中。

2023-10-17 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車MOSFET充電器 765 0

SiC功率元器件中浪涌抑制電路設(shè)計(jì)

只是由于SiC MOSFET的跨導(dǎo)比Si MOSFET的跨導(dǎo)小一個(gè)數(shù)量級(jí)以上，因此不會(huì)立即流過過大的直通電流。所以即使流過了直通電流，也具有足夠的冷卻能...

2024-01-25 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 761 0

比亞迪丨電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)發(fā)展及關(guān)鍵技術(shù)

扁線電機(jī)2021年滲透率約為27%，預(yù)計(jì)今年滲透率可達(dá)40%，隨著扁線技術(shù)的成熟，未來用量增長(zhǎng)迅猛。

2023-05-10 標(biāo)簽：比亞迪驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)功率器件 758 0

探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅功率器件利用SiC半導(dǎo)體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的電子飽和漂移速度和熱導(dǎo)率，以及更高的臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。

2024-03-14 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 757 0

DOH技術(shù)工藝方案解決陶瓷基板DBC散熱挑戰(zhàn)問題

引言：隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率器件對(duì)散熱性能和可靠性的要求不斷提高。陶瓷基板作為功率器件散熱封裝中的關(guān)鍵材料，以其優(yōu)異的電絕緣性、高熱導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度...

2025-03-01 標(biāo)簽：IGBT散熱功率器件 745 0

深入探討碳化硅功率器件優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更優(yōu)越的物理和化學(xué)特性，包括更高的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更大的熱導(dǎo)率、更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度。

2024-04-12 標(biāo)簽：變壓器電感器功率器件 743 0

功率器件結(jié)溫監(jiān)測(cè)技術(shù)研究

? ? ? ? 審核編輯：彭靜

2023-05-31 標(biāo)簽：功率器件監(jiān)測(cè)技術(shù) 729 0

功率器件的材料演進(jìn)之路

如今，我們已經(jīng)無法想象沒有電的生活了。我們生活的各個(gè)方面越來越依賴于電力。而在電力的生產(chǎn)、分發(fā)和使用過程中，功率轉(zhuǎn)換起著至關(guān)重要的作用。

2023-08-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 725 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低...

2024-12-11 標(biāo)簽：二極管功率器件浪涌電流 724 0

安森美GaN功率器件的功能和優(yōu)點(diǎn)

GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及，大大提升了電源的效率和功率密度，其優(yōu)點(diǎn)和用量遞增，也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。 安森美（onse...

2024-11-15 標(biāo)簽：安森美功率器件GaN 722 0

碳化硅功率器件的優(yōu)越性能

碳化硅（SiC）功率器件是近年來半導(dǎo)體行業(yè)中的重要發(fā)展方向。相比傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件，SiC功率器件具有更高的耐高溫、高壓和高頻性能，廣泛應(yīng)用于電力...

2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 710 0