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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導體器件基礎(chǔ)。
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先積產(chǎn)品在家用電器領(lǐng)域的應(yīng)用
先積產(chǎn)品在家用電器中的應(yīng)用PRODUCTAPPLICATION據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計分析,2023年家電板塊整體實現(xiàn)穩(wěn)健增長,毛利率持續(xù)提升下利潤增速更快。2023...
浮思特 | 第四代場阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能
由于其低導通損耗和開關(guān)能量損耗,IGBT廣泛應(yīng)用于高功率應(yīng)用領(lǐng)域,如電源、馬達驅(qū)動逆變器和電動汽車等。對更先進功率器件的需求促使了新型硅基開發(fā)及寬禁帶材...
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(三)——功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、特點以及在能源轉(zhuǎn)換中的...
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨特物理和化學性質(zhì)的半導體材料,近年來在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢...
功率器件的熱設(shè)計基礎(chǔ)(二)——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
/前言/功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低...
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(一)——功率半導體的熱阻
功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件,能夠適應(yīng)更高的電壓,擁有更快的開關(guān)速度,并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗,而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率...
在電子交通、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等具有重大創(chuàng)新的行業(yè)的推動下,對功率器件的需求不斷增加。當今的功率應(yīng)用具有持續(xù)更嚴格的要求,最重要的是與實現(xiàn)更高的效率(...
RC-IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理及優(yōu)勢
因為IGBT大部分應(yīng)用場景都是感性負載,在IGBT關(guān)斷的時候,感性負載會產(chǎn)生很大的反向電流,IGBT不能反向?qū)?,需要在IGBT的兩端并聯(lián)一個快速恢復二...
本文小編分享一篇文章,本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用,本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應(yīng)用,并介紹了原子層鍍膜技...
“光伏”是當下新能源行業(yè)的熱門話題。隨著全球能源危機不斷加劇,太陽能作為一種綠色、可再生的能源逐漸受到人們的關(guān)注。在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,光伏逆變器的作用不...
碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點,使其在高效能、高頻率和高溫...
碳化硅功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨特的性能和優(yōu)勢,逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)...
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