應(yīng)用日漸增多，超結(jié)MOSFET前景一片看好

Yole Developpement 指出，SJ MOSFET技術(shù)市場(chǎng)有2/3皆應(yīng)用于消費(fèi)型產(chǎn)品，像是桌上型電腦或是游戲機(jī)的電源供應(yīng)器，雖然這些產(chǎn)品的市...

2013-02-26 標(biāo)簽：MOSFET功率器件 2172 0

300nm晶圓首次用于制造功率器件，英飛凌推出超結(jié)MOSFET

英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)（Super Junction）構(gòu)造的功率MOSFET“CoolM...

2013-02-25 標(biāo)簽：MOSFET晶圓功率器件 1963 0

IR潘大偉：善用功率器件，為節(jié)能設(shè)計(jì)保駕護(hù)航

近年來(lái)，全社會(huì)追求低能耗風(fēng)潮愈演愈烈，其最終目的就在于最大限度減少電能損耗，實(shí)現(xiàn)變頻功能也需要功率器件發(fā)揮自身神奇作用。如何才能實(shí)現(xiàn)更高效的節(jié)能設(shè)計(jì)？

2013-02-22 標(biāo)簽：MOSFET電機(jī)控制節(jié)能 2038 0

恩智浦推出針對(duì)熱插拔應(yīng)用的新一代功率MOSFET

NextPower Live系列同時(shí)提供出色的線(xiàn)性模式性能和極低的RDS（on）值，該獨(dú)特組合展示了恩智浦在該領(lǐng)域的技術(shù)能力。

2013-01-24 標(biāo)簽：MOSFET恩智浦熱插拔 1069 0

東芝推出可在高溫下應(yīng)用的車(chē)載功率MOSFET

東芝于日前宣布，開(kāi)始銷(xiāo)售可確保在175℃條件下工作的車(chē)載設(shè)備用功率MOSFET“TK80A04K3L”。這是一款耐壓為＋40V的n通道產(chǎn)品，是該公司功率...

2013-01-23 標(biāo)簽：MOSFET東芝功率器件 884 0

IR推出具有基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻的全新300V功率MOSFET

IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低...

2013-01-22 標(biāo)簽：MOSFET逆變器IR 1485 0

新一代功率器件將在2013年迎來(lái)技術(shù)大挑戰(zhàn)

SiC和GaN作為新一代的半導(dǎo)體功率器件，由于其開(kāi)關(guān)高速、高頻工作和高溫工作燈特點(diǎn)，受到了廣大關(guān)注。隨著鐵路和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用增加，在2013年，這兩款器件...

2013-01-21 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 797 0

吉時(shí)利主推多款測(cè)試產(chǎn)品，意在打造更高性?xún)r(jià)比！

吉時(shí)利公司推出多款測(cè)試產(chǎn)品，意在通過(guò)向客戶(hù)提供性?xún)r(jià)比更高，且靈活性更強(qiáng)的測(cè)試設(shè)備，繼續(xù)擴(kuò)大市場(chǎng)份額。包括經(jīng)濟(jì)型可編程5位半數(shù)字多用表（DMM）、2600...

2013-01-06 標(biāo)簽：吉時(shí)利功率器件數(shù)字源表 1799 0

常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)介紹

在這片文章里，我們給大家介紹最基本的功率器件MOSFET，對(duì)其進(jìn)行初步的解析和各種應(yīng)用介紹。

2012-12-29 標(biāo)簽：MOSFET功率器件 3268 0

如何實(shí)現(xiàn)IR2110驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)

驅(qū)動(dòng)IGBT電壓型功率器件有多種具有保護(hù)及隔離功能的集成驅(qū)動(dòng)模塊。這些模塊具有多種保護(hù)功能、隔離驅(qū)動(dòng)、電路參數(shù)一致性好、運(yùn)行穩(wěn)定可靠等優(yōu)點(diǎn)，但其相對(duì)價(jià)格...

2012-12-27 標(biāo)簽：IGBTIR2110功率器件 1.0萬(wàn) 1

中科院宣布成功開(kāi)發(fā)22nm制程的MOSFET

　中國(guó)科學(xué)院微電子研究所（IMECAS）宣布在22奈米 CMOS 制程上取得進(jìn)展，成功制造出高K金屬閘 MOSFET 。中科院指出，中國(guó)本土設(shè)計(jì)與制造的...

2012-12-26 標(biāo)簽：MOSFET功率器件 1843 2

IGBT在應(yīng)用中碰到的常見(jiàn)問(wèn)題解決方法

隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的高頻大功率化的發(fā)展，開(kāi)關(guān)器件在應(yīng)用中潛在的問(wèn)題越來(lái)越凸出，開(kāi)關(guān)過(guò)程引起的電壓、電流過(guò)沖，影響到了逆變器的工作效率和工作可 靠性。為...

2012-12-24 標(biāo)簽：IGBT功率器件 1.3萬(wàn) 0

意法半導(dǎo)體（ST）調(diào)整新戰(zhàn)略核心 五大成長(zhǎng)型市場(chǎng)可期

意法半導(dǎo)體（ST）新戰(zhàn)略的核心是MEMS及傳感器、智能功率、汽車(chē)芯片、微控制器、應(yīng)用處理器，其中包括數(shù)字消費(fèi)電子，這五大產(chǎn)品市場(chǎng)預(yù)計(jì)呈現(xiàn)長(zhǎng)期穩(wěn)定的增長(zhǎng)趨勢(shì)。

2012-12-12 標(biāo)簽：微控制器意法半導(dǎo)體應(yīng)用處理器 1324 0

影響MOSFET性能的一些因素

MOSFET作為一種常用的功率器件，在電源的設(shè)計(jì)應(yīng)用中有著不可替代的地位，本文就影響MOSFET的一些因素進(jìn)行分析，給大家講述一下影響MOSFET的因素。

2012-12-03 標(biāo)簽：MOSFET功率器件 6234 0

隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...

2012-11-26 標(biāo)簽：IGBT功率器件Power MOSFET 8879 0

如何準(zhǔn)確選擇功率器件

所謂功率半導(dǎo)體器件，以前也被稱(chēng)為電力電子器件，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是進(jìn)行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體器件。其電壓處理范圍從幾十V~幾千V，電流...

2012-11-22 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 1.3萬(wàn) 0

富士通半導(dǎo)體量產(chǎn)可實(shí)現(xiàn)2.5kW電源的硅基板GaN功率器件

富士通半導(dǎo)體于日前宣布，利用配備該公司開(kāi)發(fā)的硅基板GaN功率器件的服務(wù)器用電源，成功輸出了2.5kW的高功率，同時(shí)還公布了 2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)硅基...

2012-11-12 標(biāo)簽：電源功率器件電源芯片 1321 0

功率器件的選擇

由于本設(shè)計(jì)中的變換器的應(yīng)用場(chǎng)合的電壓和電流都比較大，則除考慮效率因素外，選擇高性能功率器件是保證功放性能的重要環(huán)節(jié)。功率器件的特性主要有安全特性、開(kāi)關(guān)特...

2012-10-10 標(biāo)簽：功率器件 2505 0

安森美開(kāi)發(fā)下一代GaN-on-Si功率器件

安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開(kāi)發(fā)項(xiàng)目，共同開(kāi)發(fā)下一代硅基氮化鎵（GaN-on...

2012-10-10 標(biāo)簽：安森美imec功率器件 1219 0