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標(biāo)簽 > 功率開(kāi)關(guān)管
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開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的接地 開(kāi)關(guān)電源PCB設(shè)計(jì)解析
所有開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的最后一步就是印制電路板(PCB)的線路設(shè)計(jì)。
2024-02-25 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源整流器電源設(shè)計(jì) 2.3萬(wàn) 0
空載輸出電壓偏低或空載輸出電壓正常接上3A的模擬負(fù)載時(shí)電壓偏低時(shí),屬于開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部電路故障。 開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部一般具有電磁干擾濾波電路(EMI)、整流濾波電...
2023-04-04 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源PWM控制器功率開(kāi)關(guān)管 1.1萬(wàn) 0
什么是功率開(kāi)關(guān)管 開(kāi)關(guān)管的工作原理
根據(jù)MOS管,三極管的性質(zhì)可知,通過(guò)對(duì)它們工作電壓的改變可以使它們分別用來(lái)放大信號(hào),用來(lái)做開(kāi)關(guān),而MOS管,三極管同時(shí)也有大功率和小功率的各種類型管子,...
2023-02-10 標(biāo)簽:三極管MOS管功率開(kāi)關(guān)管 9298 0
主動(dòng)整流技術(shù),也叫同步整流技術(shù),是近些年來(lái)出現(xiàn)的,為了提高整流效率,使用主動(dòng)控制的功率MOSFET開(kāi)關(guān)來(lái)代替整流二極管的一種技術(shù)。
對(duì)于H6橋拓?fù)涞膯蜗嗄孀兤魇沁x擇IGBT還是MOSFET功率開(kāi)關(guān)管呢?
對(duì)于這個(gè)問(wèn)題其實(shí)市場(chǎng)上在應(yīng)用中已經(jīng)有比較好的答案,目前在H6橋拓?fù)涞膯蜗喙夥孀兤髦薪?jīng)常會(huì)用到FGH60N60SMD的IGBT單管。
2023-04-11 標(biāo)簽:MOSFET逆變器快恢復(fù)二極管 4910 0
什么是功率開(kāi)關(guān)管?它和場(chǎng)效應(yīng)管一樣嗎?
功率開(kāi)關(guān)管是指能承受較大電流,漏電流較小,在一定條件下有較好飽和導(dǎo)通及截止特性的三極管,可不太考慮其放大性能
2023-02-13 標(biāo)簽:放大器三極管場(chǎng)效應(yīng)管 3043 0
降壓式DC/DC變換器是一種將直流電源電壓轉(zhuǎn)換為較低直流電壓的電力電子裝置。其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)主要由輸入電源、功率開(kāi)關(guān)管、續(xù)流二極管、儲(chǔ)能電感(輸出濾波電感)、...
2024-10-09 標(biāo)簽:變換器DCDC功率開(kāi)關(guān)管 2331 0
代對(duì)于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開(kāi)關(guān)管呢?
對(duì)于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開(kāi)關(guān)管呢?
如何為汽車智能配電系統(tǒng)選擇功率開(kāi)關(guān)管
今天,車企正在加快汽車技術(shù)創(chuàng)新步伐,開(kāi)發(fā)出了電動(dòng)汽車、網(wǎng)聯(lián)汽車、自動(dòng)駕駛汽車、共享汽車等全新的汽車概念。汽車電動(dòng)化和數(shù)字化的大趨勢(shì)包括區(qū)域控制架構(gòu)、功率...
2023-01-12 標(biāo)簽:汽車電子配電系統(tǒng)功率開(kāi)關(guān)管 2145 0
STripFET F8 MOSFET在汽車配電系統(tǒng)的作用
汽車電動(dòng)化和數(shù)字化的大趨勢(shì)包括區(qū)域控制架構(gòu)、功率芯片驅(qū)動(dòng)數(shù)字化、電池管理系統(tǒng)、功率電子和電源/能源管理。
2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFET電源管理電池管理系統(tǒng) 2128 0
10W高精度離線式開(kāi)關(guān)電源芯片CY2525D分享
手機(jī)充電器大致可以分為旅行充電器、座式充電器和維護(hù)型充電器,一般用戶接觸的主要是前面兩種。
2023-02-06 標(biāo)簽:手機(jī)充電器開(kāi)關(guān)電源芯片功率開(kāi)關(guān)管 2043 0
推挽驅(qū)動(dòng)芯片的工作原理是一個(gè)復(fù)雜而精細(xì)的過(guò)程,它涉及到電子元件的協(xié)同工作以及信號(hào)處理的多個(gè)層面。
2024-08-23 標(biāo)簽:推挽驅(qū)動(dòng)芯片功率開(kāi)關(guān)管 1825 0
Flyback拓?fù)潆娫摧椛涓蓴_的預(yù)測(cè)方法
開(kāi)關(guān)電源中功率開(kāi)關(guān)管工作時(shí)產(chǎn)生的瞬變電壓和瞬變電流是形成電磁干擾的根本源頭。
2023-09-08 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源電磁干擾 1803 0
TOPSwitch-I、TOPSwitch-II系列單片開(kāi)關(guān)電源及其應(yīng)用
單片開(kāi)關(guān)電源具有單片集成化、最簡(jiǎn)外圍電路、最佳性能指標(biāo)、能構(gòu)成無(wú)工頻變壓器開(kāi)關(guān)電源等顯著優(yōu)點(diǎn)。美國(guó)動(dòng)力公司在世界上率先研制成功的三端隔離式脈寬調(diào)制單片開(kāi)...
2023-12-18 標(biāo)簽:電阻開(kāi)關(guān)電源振蕩器 1784 0
功率開(kāi)關(guān)管的損耗、高頻變壓器的損耗、輸出端整流管的損耗是開(kāi)關(guān)電源的主要損耗源。
2024-02-20 標(biāo)簽:變壓器同步整流功率開(kāi)關(guān)管 1706 0
開(kāi)關(guān)電源芯片U52143的主要特性及功能介紹
開(kāi)關(guān)電源芯片U52143是一款應(yīng)用于原邊采樣和控制的高性能開(kāi)關(guān)電源芯片。其內(nèi)置功率BJT,可用于11W以內(nèi)的離線式開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品。
2024-02-29 標(biāo)簽:過(guò)壓保護(hù)BJT開(kāi)關(guān)電源芯片 1692 0
TI功能安全柵極驅(qū)動(dòng)診斷保護(hù)特性概述
TI推出的功能安全柵極驅(qū)動(dòng)UCC5870-Q1,旨在幫助客戶實(shí)現(xiàn)電驅(qū)系統(tǒng)功能安全ASIL-D等級(jí)。其內(nèi)部集成了豐富的保護(hù)以及診斷機(jī)制,對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器本身以...
2022-11-24 標(biāo)簽:ti柵極驅(qū)動(dòng)器功率開(kāi)關(guān)管 1497 0
基于柵極驅(qū)動(dòng)、運(yùn)放的家用空調(diào)電源解決方案
增加抖頻功能,工作頻率從 94%Fsw 到 106%Fsw 之間來(lái)回平滑變化,從而降低倍數(shù)工作頻率點(diǎn)的電場(chǎng)和漏磁峰值輻射能量。
2023-06-20 標(biāo)簽:emc電源系統(tǒng)柵極驅(qū)動(dòng)器 1443 0
車規(guī)MOSFET技術(shù)確保功率開(kāi)關(guān)管的解決方案
大電流功率開(kāi)關(guān)管是一個(gè)串聯(lián)到主電源軌并由邏輯電路控制的低電阻MOSFET晶體管,集成了各種保護(hù)、診斷和檢測(cè)功能。
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET功率開(kāi)關(guān)ecu 1197 0
MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)管,已經(jīng)是開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動(dòng)器件,其驅(qū)動(dòng)表面上看來(lái)是非常簡(jiǎn)單,但是詳細(xì)分析起來(lái)并不簡(jiǎn)單。...
2023-04-18 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源MOS 1068 0
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