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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。
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光刻是半導體芯片生產(chǎn)流程中最復雜、最關(guān)鍵的工藝步驟,耗時長、成本高。半導體芯片生產(chǎn)的難點和關(guān)鍵點在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上,這一過程通過光刻來實現(xiàn)...
如果我們將一個變化的小信號加到基極跟發(fā)射極之間,這就會引起基極電流Ib的變化,Ib的變化被放大后,導致了Ic很大的變化。如果集電極電流Ic是流過一個電阻...
崩擊穿和齊納擊穿是半導體器件中常見的兩種擊穿現(xiàn)象,它們在物理機制、電壓特性和應(yīng)用方面有很大的區(qū)別。本文將對這兩種擊穿現(xiàn)象進行詳細的介紹和分析。 一、雪崩...
在使用繼電器時,由于實際電路的電壓或使用環(huán)境有可能會產(chǎn)生波動,導致施加到繼電器線圈兩端的電壓也可能會產(chǎn)生波動, 為了不影響繼電器的正常使用,則規(guī)定了繼電...
在電子電路中,二極管作為一種基礎(chǔ)的半導體器件,以其獨特的單向?qū)щ娦栽谡?、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。其中,負極接二極管,又稱穩(wěn)壓二...
晶閘管導通和關(guān)斷的條件是什么?如何去實現(xiàn)呢?
晶閘管導通條件:門極G加觸發(fā)信號,主端子A、K之間加正向電壓,且使得主端子間的正向電流大于擎住電流。
IGBT應(yīng)用電子電路設(shè)計集錦—電路精選(48)
GBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗...
三腳二極管,也稱為雙向可控硅(thyristor),是一種常見的半導體器件,它具有三個引腳,分別為陽極(A)、陰極(K)和控制極(G),通常用于交流電路...
PMOS晶體管工作原理 pmos晶體管的各個工作區(qū)域
PMOS晶體管,也稱為P溝道金屬氧化物半導體,是一種晶體管形式,其中溝道或柵極區(qū)域使用p型摻雜劑。這個晶體管與NMOS晶體管完全相反。這些晶體管包含三個...
三極管,全稱應(yīng)為半導體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導體器件,其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號,也用作無觸點開關(guān)。
1N5408是一種常見的整流二極管,廣泛應(yīng)用于電源整流、信號整流、穩(wěn)壓電路等領(lǐng)域。 一、1N5408二極管的基本知識 定義:1N5408是一種硅整流二極...
本文首先介紹了功率半導體器件分類,其次介紹了大功率半導體器件的發(fā)展及國內(nèi)外功率半導體器件的發(fā)展,最后介紹了功率半導體器件的研究意義。
本文首先介紹了美國半導體分立器件型號命名方法,其次介紹了如何辨別軍用半導體器件型號和標志,具體的跟隨小編一起來了解一下。
變?nèi)荻O管有沒有正負極_如何判斷變?nèi)荻O管正負極
變?nèi)荻O管又稱“可變電抗二極管”,是利用pN結(jié)反偏時結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大,變?nèi)荻O管的電容量...
2018-01-25 標簽:二極管變?nèi)荻O管半導體器件 1.4萬 0
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