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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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穩(wěn)壓二極管(Zener Diode)和普通二極管(Standard Diode)是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件,它們在電路中發(fā)揮著不同的作用。以下是關(guān)于穩(wěn)壓...
2024-07-10 標(biāo)簽:穩(wěn)壓二極管半導(dǎo)體器件偏置電壓 2846 0
LED 是特性敏感的 半導(dǎo)體器件 ,又具有負(fù)溫度特性,因而在應(yīng)用過程中需要對其進(jìn)行穩(wěn)定工作狀態(tài)和保護(hù),從而產(chǎn)生了驅(qū)動的概念。LED器件對驅(qū)動電源的要求近...
2012-05-17 標(biāo)簽:LED驅(qū)動電路半導(dǎo)體器件 2833 0
百家爭鳴:Chiplet先進(jìn)封裝技術(shù)哪家強(qiáng)?
Chiplet俗稱“芯粒”或“小芯片組”,通過將原來集成于同一 SoC 中的各個元件分拆,獨(dú)立 為多個具特定功能的 Chiplet,分開制造后再通過先進(jìn)...
2023-06-25 標(biāo)簽:封裝技術(shù)半導(dǎo)體器件chiplet 2822 0
穩(wěn)壓管是一種特殊的半導(dǎo)體器件,它利用二極管的反向擊穿特性來實現(xiàn)穩(wěn)定電壓的功能。 一、穩(wěn)壓管的工作原理 反向擊穿特性 穩(wěn)壓管的工作原理基于二極管的反向擊穿...
2024-07-31 標(biāo)簽:二極管穩(wěn)壓管半導(dǎo)體器件 2821 0
以電阻系數(shù)標(biāo)示電導(dǎo)率時,半導(dǎo)體的電阻系數(shù)介于10-4至108Ωcm區(qū)間,導(dǎo)體的電阻系數(shù)位于10-8至10-4Ωcm區(qū)間,絕緣體的電阻系數(shù)橫跨108至10...
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFE...
2023-11-24 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體管半導(dǎo)體器件 2783 0
MCT是一種新型MOS與雙極復(fù)合型器件。如圖所示。MCT是將MOSFET的高阻抗、低驅(qū)動圖MCT的功率、快開關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結(jié)合在...
2019-10-23 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 2774 0
igbt內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理分析
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,具有MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的高輸入阻抗和GTR(大功率晶體管)的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)...
2024-01-10 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 2762 0
晶閘管(Thyristor)是一種四層三端半導(dǎo)體器件,也稱為硅控制整流器(SCR)。它具有單向?qū)щ娦?,通常用于交?直流轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電力調(diào)節(jié)和開關(guān)電...
2024-10-08 標(biāo)簽:晶閘管半導(dǎo)體器件導(dǎo)電性 2757 0
可控硅(SCR,Silicon Controlled Rectifier)是一種四層三端半導(dǎo)體器件,具有單向?qū)щ娦?,常用于交流電路中進(jìn)行功率控制??煽毓?..
共陽極數(shù)碼管是一種常見的七段顯示器,用于顯示數(shù)字和字母。它由七個發(fā)光二極管(LED)組成,分別代表數(shù)字0-9的每個段。共陽極數(shù)碼管的特點(diǎn)是所有LED的陽...
2024-08-28 標(biāo)簽:顯示器發(fā)光二極管半導(dǎo)體器件 2750 0
光電三極管是一種半導(dǎo)體器件,能夠感應(yīng)光水平并根據(jù)其接收的光水平來改變在發(fā)射極和集電極之間流動的電流。顧名思義,光電三極管是一種晶體管,可以感應(yīng)光并改變晶...
2024-04-10 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管晶體管 2734 0
功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)...
微變等效電路和小信號等效電路是電子電路分析中兩種不同的分析方法,它們在電路設(shè)計和分析中有著廣泛的應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹這兩種電路分析方法的區(qū)別,包括它們的...
2024-07-16 標(biāo)簽:晶體管等效電路半導(dǎo)體器件 2701 0
引言 電力電子器件是電力電子技術(shù)中的核心組成部分,其性能和可靠性直接影響到電力電子系統(tǒng)的整體性能。電壓驅(qū)動型電力電子器件作為一種重要的電力電子器件,具有...
2024-07-17 標(biāo)簽:電子器件電子技術(shù)半導(dǎo)體器件 2701 0
封裝技術(shù)是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝,主要起到電氣連接、結(jié)構(gòu)支持和保護(hù)、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作...
2023-08-24 標(biāo)簽:IGBT功率器件半導(dǎo)體器件 2697 0
瞬態(tài)抑制二極管(Transient Voltage Suppressor,簡稱TVS)是一種用于保護(hù)電子設(shè)備免受電壓瞬變影響的半導(dǎo)體器件。它們能夠迅速響...
2024-09-30 標(biāo)簽:電子設(shè)備半導(dǎo)體器件瞬態(tài)抑制二極管 2687 0
對于組成復(fù)雜的汽車產(chǎn)品來說,低可靠性、一致性差的元件無疑意味著巨大的安全隱患,因此經(jīng)常用PPM(百萬分之一)來描述汽車零部件的要求。
2023-07-23 標(biāo)簽:元器件汽車電子半導(dǎo)體器件 2686 0
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件,它利用電場來控制電流的流動。在MOSFET中,漏極電壓(Vd)是指漏極和源極之間...
2024-09-18 標(biāo)簽:MOS管場效應(yīng)晶體管漏極電壓 2682 0
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