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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。
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igbt內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理分析
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,具有MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的高輸入阻抗和GTR(大功率晶體管)的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點...
2024-01-10 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 2761 0
激光投影儀將移動的光轉(zhuǎn)換為更高級別的信息,用于實際用途,如標(biāo)志、圖形和視頻。信息本身可以以矢量圖形激光投影(VGLP)模式或光柵模式呈現(xiàn),而MEMS鏡的...
2024-01-05 標(biāo)簽:mems微機電系統(tǒng)反射鏡 1885 0
開關(guān)管和MOS管是電子電路中常見的兩種半導(dǎo)體器件,它們在結(jié)構(gòu)和工作原理上有很多相似之處,但也存在一些區(qū)別。本文將對開關(guān)管和MOS管的區(qū)別進行詳細介紹。 ...
2023-12-28 標(biāo)簽:MOS管開關(guān)管半導(dǎo)體器件 6976 0
場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,其主要場效應(yīng)管(Field Effect Tr...
2023-12-28 標(biāo)簽:電子設(shè)備電壓半導(dǎo)體器件 5885 0
崩擊穿和齊納擊穿是半導(dǎo)體器件中常見的兩種擊穿現(xiàn)象,它們在物理機制、電壓特性和應(yīng)用方面有很大的區(qū)別。本文將對這兩種擊穿現(xiàn)象進行詳細的介紹和分析。 一、雪崩...
2023-12-30 標(biāo)簽:電壓雪崩擊穿半導(dǎo)體器件 2.6萬 0
半導(dǎo)體可靠性測試主要是為了評估半導(dǎo)體器件在實際使用過程中的可靠性和穩(wěn)定性。這些測試項目包括多種測試方法和技術(shù),以確保產(chǎn)品的性能、質(zhì)量和可靠性滿足設(shè)計規(guī)格...
2023-12-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體模擬器件半導(dǎo)體器件 3545 0
三極管是一種常見的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備和電路中。在實際應(yīng)用中,我們常常會遇到三極管溫度與Vbe之間的關(guān)系。本文將詳細討論這兩者之間的關(guān)系,并分...
單向可控硅(Silicon Controlled Rectifier,簡稱SCR)是一種半導(dǎo)體器件,具有單向?qū)щ娦院涂煽匦浴K梢钥醋魇嵌O管和晶體管的...
2023-12-19 標(biāo)簽:電流單向可控硅半導(dǎo)體器件 4918 0
igbt和mos管怎么區(qū)分 igbt和mos管能互換嗎
igbt和mos管怎么區(qū)分 IGBT和MOS管是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件,用途廣泛,在各種電子設(shè)備中都會使用。雖然它們有一些相似之處,但也存在一些顯著的...
“四兩撥千斤”,寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng)新
在半導(dǎo)體行業(yè),新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力,輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。在整個能源轉(zhuǎn)換鏈中,寬禁帶半導(dǎo)體的...
2023-12-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體器件 1052 0
BTA41600B可控硅(SCR)是一種半導(dǎo)體器件,也稱為雙向晶閘管。它在電力電子領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,特別是在交流電控制和功率調(diào)節(jié)方面。本文將詳細介紹BT...
MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件。它們在不同的應(yīng)用場景中具有不同的特點和優(yōu)...
2023-12-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場效應(yīng)晶體管 2005 0
一、IGBT工作原理1.什么是IGBTIGBT:IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT...
2023-12-08 標(biāo)簽:IGBT晶體管半導(dǎo)體器件 3010 0
變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置,能實現(xiàn)對交流異步電機的軟起動、變頻調(diào)速、提高運轉(zhuǎn)精度、改變功率因數(shù)、過流/過...
現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 是可以在制造后進行編程和重新編程以實現(xiàn)數(shù)字邏輯功能的半導(dǎo)體器件。
2023-12-07 標(biāo)簽:fpga半導(dǎo)體器件現(xiàn)場可編程門陣列 1041 0
大廠工程師應(yīng)用筆記——千兆以太網(wǎng)器件設(shè)計、PCB布線指南!
通常,選擇II類介電電容進行去耦。首選方案是X7R介電陶瓷電容,因為它具有出色的穩(wěn)定性、合理的封裝尺寸以及優(yōu)異的電容特性。設(shè)計人員的第二個選擇是X5R介...
2023-12-07 標(biāo)簽:pcb以太網(wǎng)半導(dǎo)體器件 3310 0
22nm技術(shù)節(jié)點的FinFET制造工藝流程
半導(dǎo)體器件的制造由許多步驟組成,這些步驟必須產(chǎn)生定義明確的結(jié)構(gòu),并且從一個器件到下一個器件的偏差很小。每一步都必須考慮之前和隨后的制造步驟,以確保實現(xiàn)所...
單個三級管恒流源電路是一種常用的電路設(shè)計,它的作用是將輸入電壓穩(wěn)定轉(zhuǎn)化為恒定的輸出電流。本文將從原理、使用方法、優(yōu)點和局限性等方面進行詳盡的討論,以幫助...
半導(dǎo)體器件有四種基本結(jié)構(gòu),而PN結(jié)無疑是最常見,也是最重要的結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體PN結(jié)半導(dǎo)體器件 4217 0
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFE...
2023-11-24 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體管半導(dǎo)體器件 2777 0
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