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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。
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NAMD計算結(jié)果與實驗結(jié)果差別的主要原因是什么
半導體器件在光照和電偏壓等外界條件作用下會產(chǎn)生非平衡載流子。非平衡載流子的壽命對半導體器件性能有關(guān)鍵性影響,例如,光伏和發(fā)光器件的效率、電子器件的開關(guān)速...
Nanodcal如何生成graphene原胞電聲耦合項數(shù)據(jù)文件
Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運過...
2022-09-09 標簽:數(shù)據(jù)軟件半導體器件 1199 0
Nanodcal半導體器件:計算n型摻雜NiSi2-Si器件的輸運特性
Nanodcal軟件通過虛晶近似(Virtual Crystal Approximation,VCA)的方法實現(xiàn)半導體的n型或者p型摻雜。為了確保Si在...
Nanodcal半導體器件—硅 p-n結(jié)的模型結(jié)構(gòu)
Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運過...
Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運過...
2022-08-26 標簽:計算軟件半導體器件Device Studio 2327 0
碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料,計劃顯著降低功率損耗并實現(xiàn)更高的功率密度、電壓、溫度和頻率,同時減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復雜性,從而...
2022-08-16 標簽:半導體器件sic器件電機驅(qū)動電路 2157 0
器件溫度變化的物理原因可以由緊湊模型準確描述,也使用實驗數(shù)據(jù)來驗證模型擴展。文章也討論了這些模型可以用于仿真和預估低溫下的電路性能。這是第一次展示從室溫...
3D晶圓級封裝,包括CIS發(fā)射器、MEMS封裝、標準器件封裝。是指在不改變封裝體尺寸的前提下,在同一個封裝體內(nèi)于垂直方向疊放兩個以上芯片的封裝技術(shù),它起...
TI優(yōu)化用于子系統(tǒng)控制和電源時序等負載開關(guān)封裝技術(shù)
從智能手機到汽車,消費者要求將更多功能封裝到越來越小的產(chǎn)品中。為了幫助實現(xiàn)這一目標,TI 優(yōu)化了其半導體器件(包括用于子系統(tǒng)控制和電源時序的負載開關(guān))的...
首先,讓我們先來看一下SiC MOSFET開關(guān)暫態(tài)的幾個關(guān)鍵參數(shù),圖片來源于Cree官網(wǎng)SiC MOS功率模塊的datasheet。開通暫態(tài)的幾個關(guān)鍵參...
然而,在實際應用中,工程師們都會遇到一個相同的困惑:器件的選型著實令人頭疼。對此,小編感同身受。今天,我們就一起來看看MOSFET和IGBT之間的有哪些...
【技術(shù)大咖測試筆記系列】之十:在當今高壓半導體器件上執(zhí)行擊穿電壓和漏流測量
準確的電源和測量測試對表征這些高壓器件非常關(guān)鍵,以便能夠及時制訂正確的設計決策。提高設計裕量和過度設計只會推動成本上升,導致性能下降。
功率MOSFET及其雪崩擊穿額定值背后的理論和設計過程中的局限性
一些功率半導體器件設計為在有限時間內(nèi)承受一定量的雪崩電流,因此可以達到雪崩額定值。其他人會在雪崩開始后很快失敗。性能差異源于特定的設備物理、設計和制造。
GaN-HEMT器件的動態(tài)R DSon值測量實驗分析
GaN(氮化鎵)器件由于具有諸如高開關(guān)速度,更高的功率密度和效率之類的能力而在設計電源轉(zhuǎn)換器時變得越來越流行[2],[3],但是GaN器件的一個缺點是電...
2021-03-22 標簽:功率轉(zhuǎn)換器測量電路GaN 1.2萬 0
高級封裝技術(shù):創(chuàng)建接近單片互連性能的封裝上互連
在過去的幾年中,已經(jīng)發(fā)布了許多涉及用于半導體器件的高級封裝體系結(jié)構(gòu)的公告。這些架構(gòu)為產(chǎn)品設計人員提供了極大的靈活性,使其能夠異構(gòu)集成在封裝上不同硅工藝上...
2021-04-01 標簽:信號完整性系統(tǒng)設計半導體器件 5111 0
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