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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的原理和優(yōu)勢(shì)

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自半導(dǎo)體晶體管問(wèn)世以來(lái),集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言,單位面積上的晶體管數(shù)量每?jī)赡攴环@一進(jìn)步在過(guò)去幾十年里得到了充分驗(yàn)證。

2025-06-03 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶體管 497 0

什么是 GaN 氮化鎵?2

對(duì)于 GaN,中文名氮化鎵,我們實(shí)在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開始說(shuō)起。好像從某個(gè)時(shí)間點(diǎn)開始,一夜之間,GaN 就如雨后春筍般...

2023-02-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體充電器氮化鎵 497 0

旋轉(zhuǎn)編碼器選擇FeRAM需要考慮什么

FeRAM 是一種非易失性存儲(chǔ)器,具有高速寫入、高重寫耐久性和低功耗的特點(diǎn)。利用這些特點(diǎn),F(xiàn)eRAM 被廣泛應(yīng)用于需要高頻率記錄設(shè)備本身及其周圍環(huán)境狀態(tài)...

2024-11-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器旋轉(zhuǎn)編碼器 496 0

泊蘇防震基座的優(yōu)點(diǎn)有哪些?

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半導(dǎo)體設(shè)備防震基座的日常維護(hù)對(duì)于確保其性能穩(wěn)定、延長(zhǎng)使用壽命以及保障半導(dǎo)體設(shè)備的正常運(yùn)行至關(guān)重要。以下是一些常見的日常維護(hù)要點(diǎn):

2024-12-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體基座半導(dǎo)體設(shè)備 494 0

使用Vicor電源模塊的新太空供電網(wǎng)絡(luò)解決方案

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太空中的電子系統(tǒng)面臨諸多危險(xiǎn),包括持續(xù)受到電磁波和粒子輻射的影響。半導(dǎo)體器件特別容易受到粒子輻射的影響,這可能導(dǎo)致系統(tǒng)故障甚至永久性損壞。

2025-04-24 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體Vicor 493 0

電子衍射技術(shù)的原理與分類

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隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和性能要求的日益提高,應(yīng)變工程半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)在現(xiàn)代電子器件中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。準(zhǔn)確表征這些復(fù)雜結(jié)構(gòu)中的晶體缺陷對(duì)于理解材料性能...

2025-06-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體衍射晶體 492 0

三相全波無(wú)刷電機(jī)的結(jié)構(gòu)

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  在這種情況下,線圈采用Y形接法,使用半導(dǎo)體元件為線圈供給電流,根據(jù)旋轉(zhuǎn)的磁體位置來(lái)控制電流的流入和流出。在該示例中,使用霍爾元件來(lái)檢測(cè)磁體的位置。霍...

2023-03-06 標(biāo)簽:線圈半導(dǎo)體電機(jī) 492 0

半導(dǎo)體新建項(xiàng)目潔凈室工藝設(shè)備防微振平臺(tái)施工流程

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近年來(lái)高科技產(chǎn)業(yè)在國(guó)內(nèi)經(jīng)濟(jì)發(fā)展上有著舉足輕重的作用,半導(dǎo)體晶片、TFT-LCD平面顯示等大型的廠房也在國(guó)內(nèi)不斷的興建,規(guī)模也在不斷的擴(kuò)大。隨著各種高科技...

2025-01-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體設(shè)備潔凈室 492 0

半導(dǎo)體電鍍工藝介紹

Plating(電鍍)是一種電化學(xué)過(guò)程,通過(guò)此過(guò)程在基片(wafer)表面沉積金屬層。在微電子領(lǐng)域,特別是在Bump連接技術(shù)中,電鍍起到至關(guān)重要的作用,...

2025-05-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電鍍制造工藝 491 0

半導(dǎo)體行業(yè)MES系統(tǒng)解決方案

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一、引言在半導(dǎo)體制造業(yè)這一高科技領(lǐng)域中,生產(chǎn)效率、質(zhì)量控制和成本控制是企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵所在。隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展,制造執(zhí)行系統(tǒng)(MES)已成為半導(dǎo)體企...

2025-02-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MESMES系統(tǒng) 490 0

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功率轉(zhuǎn)換器中使用的半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)是改進(jìn)的關(guān)鍵,而使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的新型寬帶隙(WBG) 類型有望取得重大進(jìn)展。讓我們?cè)敿?xì)研...

2022-07-29 標(biāo)簽:電源半導(dǎo)體 487 0

GaN HEMT憑什么贏得市場(chǎng)青睞

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硅基半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)多年發(fā)展,其性能逐漸接近極限,在進(jìn)一步降本增效的背景下,第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。

2025-02-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 485 0

深入解析質(zhì)子交換膜燃料電池的工作原理

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氫是宇宙中含量最豐富的元素,是一種幾乎無(wú)限的能源。隨著可持續(xù)發(fā)展理念推動(dòng)諸多領(lǐng)域的能源技術(shù)創(chuàng)新,氫燃料電池作為一種沒(méi)有直接排放的發(fā)電設(shè)備,正展現(xiàn)出廣闊的...

2025-06-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體氫燃料電池 482 0

概倫電子先進(jìn)參數(shù)化單元庫(kù)開發(fā)平臺(tái)PCellLab介紹

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在模擬電路設(shè)計(jì)中,參數(shù)化單元庫(kù)(PCeIl)作為PDK(半導(dǎo)體工藝設(shè)計(jì)套件)的重要組件已成為整個(gè)設(shè)計(jì)流程中必不可少的一部分。隨著半導(dǎo)體工藝快速發(fā)展,先進(jìn)...

2025-04-16 標(biāo)簽:模擬電路半導(dǎo)體工藝設(shè)計(jì) 479 0

CMOS可靠性測(cè)試中的電荷泵和交流應(yīng)力技術(shù)解析

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對(duì)于研究半導(dǎo)體電荷捕獲和退化行為來(lái)說(shuō),交流或脈沖應(yīng)力對(duì)典型的應(yīng)力測(cè)試是一個(gè)有用的補(bǔ)充。NBTI(負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性)和TDDB(隨時(shí)間變化的介電擊穿)試...

2025-03-20 標(biāo)簽:CMOS半導(dǎo)體晶體管 479 0

芯片制造中的互連工藝介紹

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半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的導(dǎo)電性,半導(dǎo)體通過(guò)參雜可以使得能夠精確地控制電流的流動(dòng)。通過(guò)基于晶圓的光刻、刻蝕和沉積工藝,我們可以構(gòu)建出各種元件,如...

2025-04-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓工藝 479 0

概倫電子先進(jìn)器件建模平臺(tái)BSIMProPlus介紹

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BSIMProPlus是一款技術(shù)先進(jìn)的半導(dǎo)體器件SPICE模型建模平臺(tái),在其多年的產(chǎn)品歷史中一直保持在半導(dǎo)體行業(yè)SPICE建模市場(chǎng)和技術(shù)的領(lǐng)先地位,被眾...

2025-04-16 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體SPICE 478 0

先進(jìn)封裝工藝面臨的挑戰(zhàn)

在先進(jìn)制程遭遇微縮瓶頸的背景下,先進(jìn)封裝朝著 3D 異質(zhì)整合方向發(fā)展,成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵路徑。3D 先進(jìn)封裝技術(shù)作為未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì),使芯片串聯(lián)數(shù)量大幅增加。

2025-04-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體先進(jìn)制程先進(jìn)封裝 470 0

芯片制造多重曝光中的套刻精度要求

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本文介紹了先進(jìn)集成電路制造多重曝光中的套刻精度要求。

2025-05-21 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體芯片制造 470 0

安森美碳化硅應(yīng)用于柵極的5個(gè)步驟

在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?5步法應(yīng)對(duì)碳化硅特定挑戰(zhàn),mark~,我們介紹了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)、碳化硅制造...

2025-01-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體安森美SiC 469 0

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    光模塊
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    基站測(cè)試
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    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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