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標(biāo)簽 > 場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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三星宣布業(yè)界首個3nm級制造技術(shù)開始大量生產(chǎn)
納米線是直徑在納米量級的納米結(jié)構(gòu)。納米線技術(shù)的基本吸引力之一是它們表現(xiàn)出強(qiáng)大的電學(xué)特性,包括由于其有效的一維結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生的高電子遷移率。
2022-04-29 標(biāo)簽:臺積電晶體管場效應(yīng)晶體管 2947 0
簡化汽車車身電機(jī)控制器設(shè)計,快速實現(xiàn)輕量化
本文中,我們將討論可幫助應(yīng)對這些設(shè)計挑戰(zhàn)、集成到電機(jī)驅(qū)動集成電路中的特定模擬功能。
2020-12-14 標(biāo)簽:德州儀器場效應(yīng)晶體管柵極驅(qū)動 1449 0
如何在電動汽車系統(tǒng)中實現(xiàn)SiC FET設(shè)計
帶雙輸出反激變換器的半橋電路,為隔離的柵極驅(qū)動器供電。在這里,12v軌為隔離柵極驅(qū)動器的主側(cè)和副側(cè)供電。
2021-03-04 標(biāo)簽:隔離電源場效應(yīng)晶體管反激變換器 2519 0
場效應(yīng)晶體管 (FET) 實現(xiàn)帶FET的維恩橋振蕩器
反饋振蕩器 振蕩器中使用正反饋來保持運行或振蕩。振蕩器基本上是一個放大器,它具有從輸出返回到輸入的反饋路徑。這允許一部分輸出信號返回到輸入以保持振蕩。反...
2021-06-14 標(biāo)簽:振蕩器場效應(yīng)晶體管增益放大器 3338 0
通過將柵極放置在絕緣氧化層上來控制 MOSFET 溝道區(qū)的導(dǎo)電性。作為跨絕緣介電層電容感應(yīng)的電場的結(jié)果,溝道的電導(dǎo)率由施加到柵極的電壓控制。
2021-06-14 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 6052 0
淺談結(jié)型場效應(yīng)晶體管 (JFET) 的特性
結(jié)型場效應(yīng)晶體管的溝道由 N 型半導(dǎo)體或 P 型半導(dǎo)體材料組成,柵極由相反的半導(dǎo)體類型制成。N 溝道摻雜有施主雜質(zhì),其中通過溝道的電流以電子的形式為負(fù)。...
2021-06-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體FET場效應(yīng)晶體管 7621 0
雙極結(jié)型晶體管 BJT是三極管,一種具有三個端子的電子設(shè)備,由具有三種不同摻雜程度的半導(dǎo)體制成。
2021-01-21 標(biāo)簽:功率放大器EMC場效應(yīng)晶體管 3933 0
具有保護(hù)功能的GaN器件實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計的挑戰(zhàn)
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
2020-12-20 標(biāo)簽:開關(guān)電源場效應(yīng)晶體管氮化鎵 3335 0
場效應(yīng)晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類,體管(金屬氧化物半導(dǎo)體型)兩大類??煞譃橐韵?種??煞譃榻Y(jié)型場效應(yīng)晶體管與絕緣柵型場效應(yīng)晶體管。
2020-09-18 標(biāo)簽:晶體管場效應(yīng)晶體管 9679 0
電路中C1和C2分別是輸入端耦合電容和輸出端耦合電容。電路中的正極性電源通過漏極負(fù)載電阻R2,把電壓加在了場效應(yīng)晶體管的漏極,而負(fù)極性電源通過柵極偏置電...
2019-10-13 標(biāo)簽:應(yīng)用電路場效應(yīng)晶體管 6421 0
場效應(yīng)管中,導(dǎo)電過程是多數(shù)載流子的漂移運動,故稱為單極型晶體管;雙極型晶體管中既有多子的擴(kuò)散運動又有少子的漂移運動。
2019-09-13 標(biāo)簽:場效應(yīng)管場效應(yīng)晶體管雙極性晶體管 2.0萬 0
判別結(jié)型場效應(yīng)晶體管DS2Y-S-DC5V的管腳。用萬用表的R×lk擋,用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個管腳間的正、反向電阻相等,則...
2019-08-18 標(biāo)簽:晶體管場效應(yīng)晶體管 4905 0
隨著電子設(shè)備升級換代的速度,大家對于電子設(shè)備性能的標(biāo)準(zhǔn)也愈來愈高,在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計與研發(fā)中,不僅是開關(guān)電源電路中,也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都...
2019-08-18 標(biāo)簽:開關(guān)晶體管場效應(yīng)晶體管 5777 0
場效應(yīng)晶體管,英語名稱為Field Effect Transistor,簡稱為場效應(yīng)管,是一種通過對輸入回路電場效應(yīng)的控制來控制輸出回路電流的器件??煞?..
2018-11-26 標(biāo)簽:晶體管場效應(yīng)晶體管 7.9萬 0
關(guān)于基于三值文字運算的碳納米場效應(yīng)晶體管SRAM的設(shè)計
隨著CMOS技術(shù)進(jìn)入納米級工藝,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transi...
2018-06-14 標(biāo)簽:sram場效應(yīng)晶體管 3452 0
采用隔離拓?fù)?,保障DC/DC控制器的VIN最大額定值
在如今的許多應(yīng)用中,要求的額定輸入電壓超過許多現(xiàn)有DC/DC控制器的VIN最大額定值。對此,傳統(tǒng)的解決辦法包括使用昂貴的前端保護(hù)或?qū)崿F(xiàn)低端柵極驅(qū)動器件。...
2018-03-02 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管DC/DC轉(zhuǎn)換器LM5085 6188 0
SiC性能在實際應(yīng)用中已經(jīng)超過GaN
作者:United Silicon Carbide公司新產(chǎn)品導(dǎo)入經(jīng)理Zhongda Li 寬帶隙器件的承諾 諸如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶...
2018-02-28 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管SiCGaN 1.1萬 1
本文介紹了萬用表如何判斷mos管好壞,mos管是金屬—氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以...
2018-01-12 標(biāo)簽:萬用表mos管場效應(yīng)晶體管 13.5萬 0
新一代鐵電存儲器的發(fā)展勢頭正在形成,這將改變下一代存儲格局
不過,就研發(fā)階段而論,F(xiàn)eFET本身并不是一個新器件。對于FeFET,其主要原理是在現(xiàn)有的邏輯晶體管上采用基于氧化鉿基的High-K(高K)柵電介質(zhì)+M...
2018-01-10 標(biāo)簽:內(nèi)存場效應(yīng)晶體管鐵電存儲器 2.3萬 0
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