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      標(biāo)簽　>　場效應(yīng)晶體管

      場效應(yīng)晶體管

      +關(guān)注6人關(guān)注

      場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

      文章：324個(gè) 瀏覽：20027次 帖子：22個(gè)

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      2024-01-09 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)晶體管場效應(yīng)晶體管 1404 0

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      靜電放電（ESD）是電子設(shè)備中一種常見的危害，它可能導(dǎo)致集成電路（IC）的損壞。對(duì)于CMOS IC來說，經(jīng)受過嚴(yán)重ESD電擊的可靠性會(huì)降低。

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