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標簽 > 寬禁帶半導體
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第一代半導體指硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導體材料;第二代半導體指砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等具有較高遷移率的半導體材料
我國的氧化鎵襯底能夠小批量供應,外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進程幾乎空白,研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當中。
以碳化硅(silicon carbide,SiC)為代表的寬禁帶半導體器件,受到了廣泛的關(guān)注。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系),它們的物性值也各不相...
碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些
碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口,也是一個很大的挑戰(zhàn),那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)...
寬禁帶半導體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導體材料,是繼GaAs、InP之后的第三代半導體材料。半導體材料的禁帶寬度越大,對應電子躍遷...
寬禁帶半導體,指的是價帶和導帶之間的能量偏差(帶隙)大,決定了電子從價帶躍遷到導帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
晶體生長使用的原料為氧化鎵粉末,純度99.999%,采用中頻感應加熱,銥金發(fā)熱體、銥金模具,銥 金坩堝周圍放置氧化鋯作為保溫材料。
半導體技術(shù)的應用 半導體技術(shù)的未來發(fā)展
晶體管收音機比電子管收音機小多了,可以隨身攜帶。但它是由晶體管、電阻、電容、磁性天線焊在一塊電路板上,相互之間由導線相連。體積還比較大,裝配工藝復雜。
不同方法制備ZnS材料的光學性能差別較大。CVT制備技術(shù)采用ZnS粉末原料和氣體輸運劑如HCl、NH4Cl或I2等,易在ZnS晶體中引入不同程度的雜質(zhì)缺...
2022-07-07 標簽:寬禁帶半導體 4185 0
一文解讀!搶占寬禁帶半導體材料及應用的戰(zhàn)略制高點!
半導體材料的研發(fā)與應用方興未艾,正在掀起新一輪的熱潮。
2022-03-02 標簽:數(shù)據(jù)中心寬禁帶半導體 1178 0
【泰克電源設(shè)計與測試】致工程師系列之四:寬禁帶半導體器件GaN、SiC設(shè)計優(yōu)化驗證
選擇TIVH差分探頭的基本原則是以驅(qū)動信號的上升時間為依據(jù),儀器系統(tǒng)對被測點的影響小于3%。上管信號測量考慮因素:帶寬、電壓范圍(共模和差模)、CMRR和連接。
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