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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設(shè)計(jì)
鑒于對(duì)能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂,當(dāng)前對(duì)儲(chǔ)能系統(tǒng)的需求不斷加速增長(zhǎng),尤其是在住宅太陽能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻?chǔ)能系統(tǒng)的微...
在電子世界的晶體管家族中,NMOS(N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)與 PMOS(P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)如同一...
? NCS放大器DAD3350詳細(xì)信息 ? ? 產(chǎn)品概述 ? ? 型號(hào) ?:DAD3350 ? 品牌 ?:NCS ? 應(yīng)用領(lǐng)域 ?:主要用于半導(dǎo)體劃片機(jī)...
TPS65252 4.5V 至 16V 輸入、3A/2A 輸出雙通道降壓轉(zhuǎn)換器,帶 USB 開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS65252 具有兩個(gè)同步寬輸入范圍高效率降壓轉(zhuǎn)換器。 這些轉(zhuǎn)換器旨在簡(jiǎn)化其應(yīng)用,同時(shí)為設(shè)計(jì)人員提供 根據(jù)目標(biāo)應(yīng)用程序優(yōu)化它們的使用。 轉(zhuǎn)換器...
GAN功率器件在機(jī)器人上的應(yīng)用實(shí)踐
GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管),此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中,如全控型電力開關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧...
在指甲蓋大小的芯片上,數(shù)百億晶體管需要通過比頭發(fā)絲細(xì)千倍的金屬線連接。當(dāng)制程進(jìn)入130納米節(jié)點(diǎn)時(shí),傳統(tǒng)鋁互連已無法滿足需求——而銅(Cu) 的引入,如同...
芯片制程從微米級(jí)進(jìn)入2納米時(shí)代,晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化,更是一次次對(duì)物理極限的挑...
當(dāng)晶體管柵長(zhǎng)縮至20納米以下,源漏極間可能形成隱秘的電流通道,導(dǎo)致晶體管無法關(guān)閉。而暈環(huán)注入(Halo Implant) 技術(shù),正是工程師們?cè)O(shè)計(jì)的原子級(jí)...
Analog Devices Inc. EVAL-A4098-1HUJZ評(píng)估板數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices Inc. EVAL-A4098-1HUJZ評(píng)估板用于評(píng)估ADA4098-1 6引腳、薄型小外形晶體管 (TSOT)、穩(wěn)健的...
2025-07-01 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器晶體管Analog 163 0
東芝半導(dǎo)體微波爐電路設(shè)計(jì)解決方案
用戶對(duì)微波爐產(chǎn)品的期望值可謂日益提高,例如智能化,用戶期望微波爐能夠?qū)崿F(xiàn)遠(yuǎn)程控制、語音操作、智能菜譜推薦等;多功能,微波爐不僅需要具備基本的加熱功能,還...
2025-06-28 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)晶體管 1628 0
如何利用示波器測(cè)量開關(guān)電源死區(qū)時(shí)間
在當(dāng)今復(fù)雜而精密的電子技術(shù)領(lǐng)域,開關(guān)電源作為眾多電子設(shè)備的核心供電組件,其性能與穩(wěn)定性至關(guān)重要。然而,在實(shí)際的研發(fā)、生產(chǎn)及應(yīng)用過程中,我們時(shí)常會(huì)面臨一個(gè)...
2025-06-27 標(biāo)簽:開關(guān)電源示波器晶體管 895 0
本文解析了MOS管作為開關(guān)的正確連接方法,包括其基本原理和連接技巧。通過比較NMOS和PMOS的接法差異,工程師發(fā)現(xiàn)負(fù)載位置的關(guān)鍵性選擇對(duì)導(dǎo)通可靠性至關(guān)...
我們通過仿真電路來模擬上一期介紹的開關(guān)電路,對(duì)實(shí)際設(shè)計(jì)有一定的參考意義。以下電路采用方波duty=50%為例,以不同的輸入端頻率進(jìn)行仿真測(cè)試。首先,Vc...
2025-06-26 標(biāo)簽:開關(guān)電路光耦晶體管 134 0
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶體管結(jié)構(gòu)的選擇如同建筑中的地基設(shè)計(jì),直接決定了芯片的性能上限與能效邊界。當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)推進(jìn)到22nm以下時(shí),傳統(tǒng)平面晶體管已無法滿足需求...
晶體管光耦(PhotoTransistorCoupler)是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導(dǎo)體器件,用于實(shí)現(xiàn)電路之間的電氣隔離,同時(shí)傳遞信號(hào)或功...
無結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)與工藝
現(xiàn)有的晶體管都是基于 PN 結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)而構(gòu)建的。在未來的幾年里,隨著CMOS制造技術(shù)的進(jìn)步,器件的溝道長(zhǎng)度將小于 10nm。在這么短的距離內(nèi),為使...
浮思特 | 揭開(IGBT)的神秘面紗,結(jié)構(gòu)原理與應(yīng)用解析
在(絕緣柵雙極型晶體管)IGBT出來之前,最受歡迎和常用的功率電子開關(guān)器件是雙極結(jié)晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。然而,這兩種組件在高電...
隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷微縮,對(duì)高質(zhì)量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術(shù)作為一種在半導(dǎo)體工藝制造中常用的單晶薄膜生長(zhǎng)方法,能夠在單晶襯底上按襯底晶向生長(zhǎng)...
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