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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非??欤瑢嶒炇抑械那袚Q速度可達(dá)100GHz以上。
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對碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時,需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實用知識,幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)...
2025-06-13 標(biāo)簽:晶體管SiC功率半導(dǎo)體 438 0
不管是車載高頻逆變器還是太陽能離網(wǎng)工頻逆變器存在有推挽拓?fù)洹⑷珮蛲負(fù)潆娐?,而在電路開發(fā)的過程中工程師是需要結(jié)合不同的電路特性來選型的。因此對于推挽拓?fù)洹?..
這些指令主要是針對用 PLC 直接聯(lián)動伺服放大器,目的是可以不借助其他擴(kuò)展設(shè)備(例如1GM 模塊)來進(jìn)行簡單的點位控制, 使用這些指令時最好配合三菱的伺...
2025-06-12 標(biāo)簽:放大器plc步進(jìn)電機(jī) 745 0
芯片的設(shè)計理念眾所周知,芯片擁有極為復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。以英偉達(dá)的B200芯片為例,在巴掌大的面積上,塞入了2080億個晶體管。里面的布局,堪稱一個異次元空間級...
Analog Devices Inc. ADPA7007 GaAs pHEMT MMIC功率放大器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices ADPA7007 GaAs pHEMT MMIC功率放大器是一款假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、單片微波集成電路 ...
隨著技術(shù)的飛速發(fā)展,商業(yè)、工業(yè)及汽車等領(lǐng)域?qū)δ透邷丶呻娐罚↖C)的需求持續(xù)攀升?。高溫環(huán)境會嚴(yán)重制約集成電路的性能、可靠性和安全性,亟需通過創(chuàng)新技術(shù)手...
CMOS超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識
本節(jié)將介紹 CMOS 超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識,重點將放在工藝流程的概要和不同工藝步驟對器件及電路性能的影響上。
自半導(dǎo)體晶體管問世以來,集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言,單位面積上的晶體管數(shù)量每兩年翻一番,而這一進(jìn)步在過去幾十年里得到了充分驗證。
隨著技術(shù)的飛速發(fā)展,商業(yè)、工業(yè)及汽車等領(lǐng)域?qū)δ透邷丶呻娐罚↖C)的需求持續(xù)攀升?。高溫環(huán)境會嚴(yán)重制約集成電路的性能、可靠性和安全性,亟需通過創(chuàng)新技術(shù)手...
浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實現(xiàn)更高的電壓路徑
橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長態(tài)勢。將這一材料體系擴(kuò)展至更高電壓等級需要器件設(shè)計和襯底技術(shù)的創(chuàng)新。本文總結(jié)...
集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發(fā)展,現(xiàn)代集成電路的集成度不斷提升,目前單個芯片上已經(jīng)可以集成數(shù)百億個晶體管。
TPIC46L02 1.2mA/1.2mA 6 通道柵極驅(qū)動器,在短路負(fù)載、開路負(fù)載、過擊壓下具有低占空比 PWM數(shù)據(jù)手冊
TPIC46L01、TPIC46L02 和 TPIC46L03 是低側(cè)預(yù)驅(qū)動器,提供串行輸入接口和 并行輸入接口,用于控制 6 個外部場效應(yīng)晶體管 (F...
LM5110系列 具有 4V UVLO、專用輸入接地和關(guān)斷輸入的 5A/3A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LM5110 雙通道柵極驅(qū)動器以改進(jìn)的峰值取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動器 輸出電流和效率。每個“復(fù)合”輸出驅(qū)動器級包括 MOS 和雙極 并聯(lián)工作的晶體管,共同...
UCC27324-Q1 汽車非反相 4A/4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27324-Q1 高速雙 MOSFET 驅(qū)動器可向容性負(fù)載提供大峰值電流。這些驅(qū)動器采用一種本質(zhì)上將擊穿電流降至最低的設(shè)計,在 MOSFET 開關(guān)...
SM72482 雙 5A 復(fù)合柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
SM72482 Dual Gate Driver 以改進(jìn)的峰值取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的柵極驅(qū)動器 輸出電流和效率。每個“復(fù)合”輸出驅(qū)動器級包括 MOS 和雙極 ...
UCC27322-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 9-A/9-A 單通道柵極驅(qū)動器,具有分離輸出和使能功能數(shù)據(jù)手冊
UCC27322 采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳布局,可提供 9 A 的峰值驅(qū)動電流。這些驅(qū)動器可以驅(qū)動最大的 MOSFET,適用于由于高 dV/dt 轉(zhuǎn)換而需要極高...
無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程
2010年,愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管,器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此,半導(dǎo)體界興起...
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