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      標簽　>　雜散電感

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      雜散電感簡介

      　　變流器雜散電感會使IGBT的集、射極之間產(chǎn)生較高的電壓尖峰，從而造成較大的電磁干擾，甚至導致絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）損壞。若能測量變流器雜散電感，則可在一定程度上預估該電壓尖峰，并設(shè)計適當?shù)木彌_電路。

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      雜散電感知識

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      雜散電感技術(shù)

      賽米控丹佛斯DCM1000X系列產(chǎn)品如何實現(xiàn)低雜散電感設(shè)計

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      在乘用車電力電子應(yīng)用領(lǐng)域，工程師們始終在追求兩個核心目標：持續(xù)降低系統(tǒng)成本，同時不斷提升運行效率。要實現(xiàn)這一目標，低雜散電感設(shè)計已經(jīng)成為提升整個電控系統(tǒng)...

      2025-07-09 標簽：逆變器功率模塊雜散電感 442 0

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      在IGBT功率模塊的動態(tài)測試中，夾具的雜散電感（Stray Inductance,Lσ）是影響測試結(jié)果準確性的核心因素。雜散電感由測試夾具的layout...

      2025-06-04 標簽：IGBT功率模塊動態(tài)測試 648 0

      雜散電感對IGBT開關(guān)過程的影響(2)

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      為驗證對主回路雜散電感效應(yīng)的分析并考察不同電感量以及門極驅(qū)動情況下的實際情況，我們?nèi)藶閷p 大小進行了干預，其具體方法是在D 的陰極與電路PCB 之間...

      2025-04-28 標簽：半導體IGBT雜散電感 537 0

      雜散電感對IGBT開關(guān)過程的影響(1)

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      IGBT的開關(guān)損耗特性研究對IGBT變流器設(shè)計具有重要的意義，在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場合，都需要嚴格按器件損耗特性進行大余量...

      2025-04-22 標簽：IGBT變流器雜散電感 875 0

      影響靜態(tài)均流的因素 IGBT芯片溫度對均流的影響

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      并聯(lián)IGBT的直流母線側(cè)連接點的電阻分量，因此需要盡量對稱；

      2024-05-10 標簽：二極管IGBT雜散電感 2040 0

      基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計

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      功率模塊從硅IGBT技術(shù)過渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而，從硅IGBT時代留下來的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)化，因為它們...

      2024-05-08 標簽：MOSFETIGBT功率模塊 1471 0

      IGBT驅(qū)動器直接并聯(lián)的優(yōu)點和技術(shù)介紹

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      IGBT驅(qū)動器在并聯(lián)的場合有2種配置方法（LS1，LS2為雜散參數(shù)）

      2024-04-26 標簽：驅(qū)動器IGBT電源電壓 2532 0

      納芯微帶保護功能的單通道隔離驅(qū)動NSI6611在電控系統(tǒng)中的運用介紹

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      主驅(qū)電控系統(tǒng)是新能源汽車的重要組成部分，本文將從電控系統(tǒng)的系統(tǒng)框圖出發(fā)，介紹系統(tǒng)的各組成部分及其功能，并重點介紹納芯微帶保護功能的單通道隔離驅(qū)動NSI6...

      2024-03-18 標簽：功率管電控系統(tǒng)雜散電感 4925 0

      一文詳解雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響

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      IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。

      2024-03-08 標簽：IGBT功率模塊碳化硅 2468 0

      如何利用IGBT雙脈沖測試電路改變電壓及電流測量探頭的位置？

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      利用IGBT雙脈沖測試電路，改變電壓及電流測量探頭的位置，即可對IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡稱FRD）的相關(guān)參數(shù)進行測量與評估。

      2023-11-24 標簽：二極管示波器IGBT 2068 0

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      雜散電感帖子

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      雜散電感資訊

      瞻芯電子推出一款車規(guī)級1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z

      瞻芯電子推出一款車規(guī)級1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z

      近日，瞻芯電子正式推出一款車規(guī)級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC...

      2024-04-07 標簽：MOSFET熱敏電阻SiC 2567 0

      安森美SiC方案助力800V車型加速發(fā)布 解決補能焦慮

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      實際上，近期有越來越多的國內(nèi)外車企開始加速800V電壓架構(gòu)車型的量產(chǎn)，多款20-25萬元價格段的標配SiC車型上市。

      2024-04-01 標簽：電動汽車安森美逆變器 1032 0

      如何測量功率回路中的雜散電感

      如何測量功率回路中的雜散電感

      本文支持快捷轉(zhuǎn)載影響IGBT和SiCMOSFET在系統(tǒng)中的動態(tài)特性有兩個非常重要的參數(shù)：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試...

      2024-03-07 標簽：MOSFET功率電路雜散電感 1730 0

      熾芯微電開業(yè)！專注于碳化硅塑封功率模塊封測研發(fā)

      1月19日，熾芯微電子科技（蘇州）有限公司（以下簡稱“熾芯微電”）在恒泰智造·蘇州納米城Ⅴ區(qū)開業(yè)。

      2024-01-24 標簽：IGBTSiC功率模塊 1840 0

      閉合導線測量步驟詳解

      閉合導線測量步驟詳解? 閉合導線測量是一種常用的電路參數(shù)測量方法，它可以用來測量電阻、電感和電容等電路元件的參數(shù)。閉合導線測量的原理是利用電流-電壓特性...

      2023-12-15 標簽：電流電壓雜散電感 3962 0

      賽晶科技發(fā)布一種車規(guī)級HEEV封裝SiC模塊

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      賽晶科技表示，為電動汽車應(yīng)用量身定做的HEEV封裝SiC模塊，導通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高達250kW電驅(qū)系統(tǒng)，并滿足電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)對...

      2023-09-02 標簽：電動汽車驅(qū)動器電阻器 880 0

      雜散電感對高效IGBT逆變器設(shè)計的影響

      雜散電感對高效IGBT逆變器設(shè)計的影響

      IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。

      2011-08-10 標簽：逆變器IGBT雜散電感 5013 0

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      雜散電感數(shù)據(jù)手冊

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        +關(guān)注
        TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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        無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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        ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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        +關(guān)注
        目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
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        手機快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
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        　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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        智能變電站
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        采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標準化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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      • 納微半導體
        納微半導體
        +關(guān)注
        Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導體市場帶來的能源。
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        USB-PD
        +關(guān)注
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        PWM信號
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      • DCDC電源
        DCDC電源
        +關(guān)注
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        醫(yī)療電源
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      • 共享充電寶
        共享充電寶
        +關(guān)注
        共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
      • 系統(tǒng)電源
        系統(tǒng)電源
        +關(guān)注
      • 董明珠
        董明珠
        +關(guān)注
        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級 、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。 　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
      • LT8705
        LT8705
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