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柵極驅(qū)動器

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　　柵極驅(qū)動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時，使用微控制器輸出不會損害應用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) 柵極驅(qū)動器選型

柵極驅(qū)動器技術(shù)

UCC21755-Q1 具有主動保護和隔離感應功能的汽車類 ±10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21755-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器，專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計，具有先進的保...

2025-05-16 標簽：MOSFET IGBT 拉電流 290 0

UCC27624-Q1 具有 4V UVLO、30V VDD 和低傳播延遲的汽車級 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC27624-Q1 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器，可有效驅(qū)動 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27624-Q1 的...

2025-05-16 標簽：MOSFET IGBT 電源開關(guān) 254 0

UCC5871-Q1 具有高級保護功能的汽車類 30A 隔離式 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC5871-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動器，旨在驅(qū)動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶...

2025-05-16 標簽：MOSFET 電阻器接口 262 0

UCC21756-Q1 具有主動保護和 iso 的汽車級 ±10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21756-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器，專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計，具有先進的保...

2025-05-16 標簽：MOSFET 拉電流灌電流 222 0

LM2105系列具有5V UVLO和集成自舉二極管的 107V 0.5A/0.8A 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

LM2105 是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動器，旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。集成的自舉二極管無需外部分立二極管，從而節(jié)...

2025-05-16 標簽：二極管 MOSFET 電路板 234 0

UCC21551-Q1 汽車級 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21551x-Q1 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設計，用于驅(qū)動功率 ...

2025-05-16 標簽：MOSFET IGBT 晶體管 310 0

UCC21717-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車類 10A 拉/灌單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21717-Q1 是一款電隔離式單通道柵極驅(qū)動器，設計用于驅(qū)動高達 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進的集成保護、一流...

2025-05-16 標簽：MOSFET 拉電流灌電流 327 0

LM2103系列具有 8V UVLO、死區(qū)時間和反相輸入引腳的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

LM2103 是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動器，旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。INL 反相輸入允許該驅(qū)動器用于雙通道或單...

2025-05-16 標簽：MOSFET 封裝 PWM 260 0

UCC23113 具有功能隔離（1.2kVRMS）的 4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC23113 適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動器，具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸...

2025-05-16 標簽：MOSFET 電源電壓 FET 244 0

LM2005系列具有 8V UVLO 和集成自舉二極管的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

LM2005 是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動器，旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。集成的自舉二極管無需外部分立二極管，從而節(jié)...

2025-05-16 標簽：二極管 MOSFET 負電壓 259 0

LM2101 具有 8V UVLO 的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

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2025-05-16 標簽：驅(qū)動器封裝負電壓 260 0

UCC27444-Q1 具有 -5V 輸入能力的汽車類 4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC27444-Q1 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器，可有效驅(qū)動 MOSFET 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27444-Q1 的典型峰值驅(qū)動強度為...

2025-05-16 標簽：MOSFET 功率開關(guān)電源開關(guān) 240 0

UCC21738-Q1 用于 SiC/IGBT、有源短路保護的汽車類 10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21738-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器，專為工作電壓高達 2121V 直流的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計，具有先進的保...

2025-05-16 標簽：MOSFET 短路保護拉電流 229 0

LM2104系列具有 8V UVLO、死區(qū)時間和關(guān)斷功能的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

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2025-05-16 標簽：MOSFET 控制器 PWM 288 0

UCC21551 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21551x 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設計，用于驅(qū)動功率 MOS...

2025-05-16 標簽：MOSFET 可編程 IGBT 229 0

UCC27332-Q1 具有 20V VDD 和使能功能的汽車類 9A/9A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC27332-Q1 是一款單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器，能夠有效驅(qū)動 MOSFET 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27332-Q1 的典型峰值驅(qū)動強度...

2025-05-16 標簽：MOSFET 功率開關(guān)電源開關(guān) 240 0

UCC44273 具有 5V UVLO 的 4A/4A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC44273 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件能夠有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。UCC44273 采用本質(zhì)上可最大限度降低擊穿電流...

2025-05-16 標簽：MOSFET IGBT 峰值電流 240 0

UCC21550-Q1 汽車類 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器，具有用于IGBT的DIS和DT引腳數(shù)據(jù)手冊

UCC21550-Q1 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列，具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設計，可驅(qū)動功率 MO...

2025-05-16 標簽：可編程 IGBT 晶體管 274 0

UCC21550 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21550 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設計，可驅(qū)動功率 MOSFE...

2025-05-16 標簽：MOSFET 可編程晶體管 320 0

UCC27444 具有-5V輸入能力的 4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC27444 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器，可有效驅(qū)動 MOSFET 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27444-Q1 的典型峰值驅(qū)動強度為 4 ...

2025-05-15 標簽：MOSFET 功率開關(guān)GaN 309 0

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