完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動
什么是柵極驅(qū)動,說白了就是MOSFET的G極的驅(qū)動,柵極用PWM方波驅(qū)動,但是會形成RLC振蕩電路,原因是電容是寄生的,電感受布線影響較大,但是也屬于寄生電感的范疇,這樣輸入會形成LC振蕩,導(dǎo)致MOSFET各種打開關(guān)閉,很容易燒毀MOSFET。
文章:85個 瀏覽:23628次 帖子:9個
igbt柵極驅(qū)動的參數(shù)要求和驅(qū)動條件
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT柵極驅(qū)動是IGBT正常工作的關(guān)鍵部分,其參數(shù)要求和驅(qū)動條件對IGBT的...
IGBT柵極驅(qū)動關(guān)鍵注意事項(xiàng)
為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT,必須在每個方向上硬驅(qū)動?xùn)艠O電流,以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動為高電平時,會存在一個從雙極型晶體...
適配MOSFET柵極驅(qū)動器以驅(qū)動GaN FETs
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢,為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。然而,GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時超出了專門為GaN設(shè)計(jì)的柵...
適用SiC逆變器的各要素技術(shù)(SiCpower module,柵極驅(qū)動回路,電容器等)最優(yōu)設(shè)計(jì)與基準(zhǔn)IGBT對比逆變器能量損失減少→EV續(xù)駛里程提升(5%1)
推薦電容值必須根據(jù)使用的器件和應(yīng)用條件來選擇。如果電容過小,自舉電容在上管開通時下降紋波過大,降低電容的使用壽命,開關(guān)管損耗變高,開關(guān)可靠性也變低;如果...
MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)高性能自舉式柵極驅(qū)動電路設(shè)計(jì)指南
驅(qū)動電路和以兩個輸入電壓作為擺幅的偏置電路,都與器件的源極軌連。但是,驅(qū)動電路和它的浮動偏置可以通過低壓電路實(shí)現(xiàn),因?yàn)檩斎腚妷翰粫饔玫竭@些電路上。
直流電源轉(zhuǎn)換芯片LM5176設(shè)計(jì)參考點(diǎn)
CS:電流檢測放大器輸入的正極 17.PGOOD:power-good開漏輸出引腳,當(dāng)FB引腳電壓值超出參考電壓一定范圍時,此引腳拉低。
IGBT模塊/IPM的安全運(yùn)行設(shè)計(jì)方案
由于SCSOA 區(qū)域在集電極電流變大時有變窄的傾向,需要加以注意。IPM 內(nèi)置柵極驅(qū)動電路和保護(hù)電路可以對超出IGBT 安全工作區(qū)的運(yùn)行模式加以保護(hù)以免...
柵極驅(qū)動芯片選型要求,如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動芯片
柵極驅(qū)動芯片可根據(jù)功能分為多種類型,如單路、雙路、多路等。因此,在選型時需要根據(jù)具體應(yīng)用情況進(jìn)行選擇。
如何通過實(shí)時可變柵極驅(qū)動強(qiáng)度提高SiC牽引逆變器的效率
在本文中,我們將重點(diǎn)介紹實(shí)時可變柵極驅(qū)動強(qiáng)度的技術(shù)優(yōu)勢,這項(xiàng)新功能可讓設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù),例如效率(影響電動汽車行駛里程)和 SiC過沖(影響可靠性)。
MOSFET柵極驅(qū)動電路應(yīng)用設(shè)計(jì)
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。 圖 1.1 所示為雙極晶體管。要在集電極中產(chǎn)生電流,必須在基極端子和發(fā)射極端子之間...
前面我們也聊到過IGBT的柵極驅(qū)動設(shè)計(jì),雖然今天聊的可能有些重復(fù),但是感覺人到中年,最討厭的就是記憶力不夠用,就當(dāng)回顧和加重記憶吧。
2023-04-06 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動設(shè)計(jì) 3307 0
集成Cortex-M0內(nèi)核的車規(guī)級MCU概述
LCA037BT(K)32EU8 是集成 Cortex-M0 內(nèi)核的車規(guī)級 MCU,面向電機(jī)控制等應(yīng)用領(lǐng)域,集成了三相半橋柵極驅(qū)動模塊
mos 管的額定電壓應(yīng)保守地考慮預(yù)期的電壓水平,并應(yīng)特別注意抑制任何電壓尖峰或振鈴。
MOSFET柵極驅(qū)動設(shè)計(jì)電路案例分析
在 MOSFET 的柵極和源極之間添加一個外部齊納二極管,可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意,齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。
PFC拓?fù)淅霉鐼OSFET的模塊化柵極驅(qū)動方法
本文介紹了一種多級圖騰柱PFC拓?fù)?,該拓?fù)淅霉鐼OSFET的簡單性和成熟度以及一種新穎的模塊化柵極驅(qū)動方法,實(shí)現(xiàn)了與使用寬帶隙半導(dǎo)體的傳統(tǒng)電路相比,通...
并聯(lián)MOSFET可實(shí)現(xiàn)高功率設(shè)計(jì)(如交錯式升壓轉(zhuǎn)換器),并且可以在多個級別完成。在為并聯(lián)MOSFET實(shí)現(xiàn)驅(qū)動器時,其柵極不應(yīng)直接連接在一起,而應(yīng)將柵極電...
高頻逆變器后級電路圖一: 中C1,C2分別是Q1,Q2的GD結(jié)電容,左邊上下兩個波形分別是Q1,Q2的柵極驅(qū)動波形。我們先從t1-t2死區(qū)時刻開始分...
恩智浦GD3160高級柵極驅(qū)動確保功率轉(zhuǎn)換器安全、高效運(yùn)行
RoadPak SiC MOSFET 1.2kV模塊完美滿足上述要求,其采用半橋配置,每側(cè)可并聯(lián)多達(dá)10個SiC MOSFET芯片,支持大電流。
2022-08-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器恩智浦柵極驅(qū)動 4328 0
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |