商務(wù)部/海關(guān)總署發(fā)布對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制

　　商務(wù)部 海關(guān)總署公告2023年第23號(hào) 關(guān)于對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制的公告

2023-07-04 標(biāo)簽：氮化鎵砷化鎵氧化鎵 465 0

GaN器件特性影響因素有哪些？

GaN開始為人所知是在光電LED市場(chǎng)，廣為人知?jiǎng)t是在功率半導(dǎo)體的消費(fèi)電子快充市場(chǎng)。但實(shí)際上，GaN最初在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的目標(biāo)據(jù)說(shuō)是新能源汽車市場(chǎng)，而非消...

2023-06-29 標(biāo)簽：氮化鎵GaN華燦光電 882 0

車規(guī)級(jí)氮化鎵（GaN）技術(shù)有何優(yōu)勢(shì)？

作為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，基于GaN的電能轉(zhuǎn)換技術(shù)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，這對(duì)提高電能的高效利用及實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排起著關(guān)鍵作用。

2023-06-29 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 1483 0

三菱電機(jī)開發(fā)出首款可覆蓋3400MHz頻段的氮化鎵(GaN)功率放大器

News Releases 三菱電機(jī)采用單個(gè)GaN功率放大器實(shí)現(xiàn)4G、5G及Beyond 5G/6G通信系統(tǒng)寬帶運(yùn)行 將有助于實(shí)現(xiàn)無(wú)線電單元共享和基站節(jié)...

2023-06-27 標(biāo)簽：功率放大器三菱電機(jī)氮化鎵 1145 0

硬核拆解 | 拓爾微65W 2C1A氮化鎵多口快充

拓爾微電子自有品牌65W 2C1A氮化鎵快充，內(nèi)置協(xié)議芯片和降壓轉(zhuǎn)換器均為自家解決方案——IM2403、IM2406、TMI2286D，支持多種快速充電...

2023-06-25 標(biāo)簽：芯片充電氮化鎵 1597 0

45W氮化鎵快充全套方案！采用智融SW1123+SW1608+SW2303

因?yàn)槭褂昧撕戏獾壭酒?，所以電路設(shè)計(jì)很簡(jiǎn)潔，降低設(shè)計(jì)和加工成本，整套方案性價(jià)比不錯(cuò)，且各輸入輸出電壓和各個(gè)負(fù)載段都擁有極佳的效率，峰值效率高達(dá)93.6...

2023-06-19 標(biāo)簽：控制器電路設(shè)計(jì)氮化鎵 1172 0

45W氮化鎵快充全套方案！采用智融SW1123+SW1608+SW2303

45W氮化鎵快充全套方案

2023-06-17 標(biāo)簽：電源芯片充電器 1336 0

如何降低SiC/SiO?界面缺陷

目前，許多企業(yè)在SiC MOSFET的批量化制造生產(chǎn)方面遇到了難題，其中如何降低SiC/SiO?界面缺陷是最令人頭疼的問(wèn)題。

2023-06-13 標(biāo)簽：電容器MOSFETNAND閃存 1139 0

iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來(lái)諸多優(yōu)勢(shì)

大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長(zhǎng)，因此高效AC/DC電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSF...

2023-06-12 標(biāo)簽：電源晶體管PFC 9853 0

寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）介紹

對(duì)于 GaN，中文名氮化鎵，我們實(shí)在是聽得太多了。

2023-06-12 標(biāo)簽：充電器SiC氮化鎵 4422 0

全氮化鎵65W充電器充電寶二合一解決方案

智融科技是國(guó)內(nèi)較早進(jìn)入高集成移動(dòng)電源快充SOC芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的公司之一，所推出的移動(dòng)電源芯片具有接口支持多，協(xié)議支持全面，內(nèi)部集成開關(guān)管等控制邏輯，支持?jǐn)?shù)...

2023-06-12 標(biāo)簽：充電器PWMsoc 1850 0

什么是氮化鎵半導(dǎo)體 氮化鎵半導(dǎo)體在產(chǎn)品上的具體應(yīng)用

氮化鎵元件一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)在于它極快的開關(guān)速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時(shí)由于沒有體二極管pn結(jié)，因此在硬開關(guān)中，沒有相關(guān)的反向...

2023-06-08 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵無(wú)刷直流電機(jī) 1054 0

SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較

超結(jié)（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來(lái)，在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）...

2023-06-08 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 4424 0

工程師兩難之氮化鎵GaN還是碳化硅SiC？到底該pick誰(shuí)？

作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體，是因?yàn)?..

2023-06-07 標(biāo)簽：SiC氮化鎵碳化硅 2158 0

AMB活性金屬焊接陶瓷基板的性能及應(yīng)用

第三代半導(dǎo)體（氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等）的崛起和發(fā)展推動(dòng)了功率器件尤其是半導(dǎo)體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進(jìn)，對(duì)封裝基板...

2023-06-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 7229 0

淺談碳化硅流程的核心技術(shù)

一種是通過(guò)生長(zhǎng)碳化硅同質(zhì)外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領(lǐng)域的導(dǎo)電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過(guò)生長(zhǎng)氮化鎵異質(zhì)外延...

2023-06-03 標(biāo)簽：SiC氮化鎵碳化硅 1975 0

茂睿芯推出全新一代氮化鎵技術(shù)LD-GaN

氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。

2023-06-02 標(biāo)簽：變壓器氮化鎵GaN 752 0

拆解：公牛67W氮化鎵快充插座，采用智融SW3516P主控芯片！

看了一個(gè)拆解視頻。公牛67W氮化鎵快充移動(dòng)插座。 采用黑色外殼，搭配銀色面板，更加適配現(xiàn)代裝飾風(fēng)格。插座配備了一個(gè)新國(guó)標(biāo)五孔插孔和一個(gè)新國(guó)標(biāo)兩孔插孔，并...

2023-05-29 標(biāo)簽：電源芯片氮化鎵 3647 0