LED屏的七大分類方式 關(guān)于LED屏的16個(gè)小知識(shí)

雙基色LED顯示屏由紅色和綠色LED燈組成，256級(jí)灰度的雙基色顯示屏可顯示65，536種顏色（雙色屏可顯示紅、綠、黃3種顏色）。全彩色LED顯示屏由紅...

2023-04-11 標(biāo)簽：led氮化鎵GaN 4899 0

基于氮化鎵器件的集成化技術(shù)詳解

通過(guò)凹槽切斷柵極下方的2DEG，使得器件在零柵壓下為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)正柵壓增至大于閾值電壓時(shí),將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導(dǎo)電溝道,器件呈導(dǎo)通狀態(tài)。

2023-04-07 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 467 0

采用氮化鎵IC的電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向

在現(xiàn)代汽車中，增加的重量和更寬的前輪胎使無(wú)輔助轉(zhuǎn)向變得不切實(shí)際，因?yàn)閷?duì)操作員的阻力增加。因此，幾年前，采用了電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向。一開(kāi)始，對(duì)駕駛員的輔助是通過(guò)液...

2023-04-06 標(biāo)簽：IC逆變器電機(jī) 1095 0

第一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別？

第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。

2023-04-04 標(biāo)簽：新能源汽車MOSFET摩爾定律 1.7萬(wàn) 0

銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用

作為高可靠性芯片連接技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類似技術(shù)，已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。

2023-03-31 標(biāo)簽：IGBT氮化鎵功率模塊 3926 0

IGBT和SiC這兩者的存在意義

近年來(lái)，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)異的性能而飽受關(guān)注。

2023-03-28 標(biāo)簽：IGBTSiC氮化鎵 3386 0

基于氮化鎵的電力電子器件和轉(zhuǎn)換器

對(duì)于電阻負(fù)載，當(dāng)前波形的形狀與電壓波形電流波形不平滑，紋波含量高。

2023-03-27 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電力電子器件氮化鎵 377 0

擴(kuò)展到900V的氮化鎵產(chǎn)品滿足汽車、家電及工業(yè)類應(yīng)用需求

日前，Power Integrations（PI）舉辦新品媒體線上溝通會(huì)，公司資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan介紹了在美國(guó)APEC展（國(guó)際電力電子應(yīng)用...

2023-03-24 標(biāo)簽：功率開(kāi)關(guān)PDSiC 1189 0

淺談納米氮化鎵的合成制備方法

GaN 是一種優(yōu)異的直接帶隙半導(dǎo)體材料，室溫下禁帶寬度為3.4 eV，具有優(yōu)良的光電性能、熱穩(wěn)定性及化學(xué)穩(wěn)定性，是制作高亮度藍(lán)綠發(fā)光二極管( LED) ...

2023-03-23 標(biāo)簽：發(fā)光二極管激光二極管氮化鎵 2215 0

什么是GaN氮化鎵？GaN有何優(yōu)勢(shì)？

GaN：由鎵（原子序數(shù) 31） 和氮（原子序數(shù) 7） 結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。

2023-03-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 7291 0

探索GaN-on-Si技術(shù)難點(diǎn)

GaN-on-Si LED技術(shù)是行業(yè)夢(mèng)寐以求的技術(shù)。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學(xué)性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；

2023-03-10 標(biāo)簽：led氮化鎵GaN 1718 0

一文讀懂全球碳化硅先驅(qū)GeneSiC

憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合，納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動(dòng)的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。

2023-02-27 標(biāo)簽：MOSFETSiC氮化鎵 616 0