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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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在這種情況下，氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無(wú)線電的領(lǐng)先大功率射頻功率放大器技術(shù)。然而，目前的實(shí)現(xiàn)方式成本過(guò)高。與硅基技術(shù)相比，氮化鎵生...
GaN與SiC功率器件的特點(diǎn) GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...
2023-08-09 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器SiC氮化鎵 1473 0
? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢(shì)，且它們?cè)陔娏﹄娮酉到y(tǒng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 以碳化硅（SiC...
芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場(chǎng)青睞，認(rèn)可度極高。
今天拆解的是昭文推出的一款20W氮化鎵充電器，這款氮化鎵充電器采用白色直板機(jī)身設(shè)計(jì)，配有固定美規(guī)插腳。充電器具備單USB-C接口，支持20W PD和PP...
以碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體可在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度、更低的損耗和更高的功率密度。隨著功率半導(dǎo)體效率的提高，碳化...
當(dāng)今市場(chǎng)上有許多晶體管選擇，它們將各種技術(shù)與不同的半導(dǎo)體材料相結(jié)合。因此，縮小哪一個(gè)最適合特定設(shè)計(jì)的范圍可能會(huì)令人困惑。在這些選擇中，GaN晶體管是，但...
氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。之前...
2023-05-17 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵 1428 0
使用GaN實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效系統(tǒng)
氮化鎵是電力電子行業(yè)的熱門話題，因?yàn)樗梢詾殡娦烹娫吹葢?yīng)用提供高效設(shè)計(jì)；電動(dòng)汽車充電；加熱，通風(fēng)和空調(diào); 電器；和消費(fèi)電源適配器。在工業(yè)應(yīng)用中，氮化鎵取...
2022-07-29 標(biāo)簽：氮化鎵GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 1425 0
通過(guò)自由空間設(shè)計(jì)加速無(wú)線充電應(yīng)用
業(yè)界正在考慮使用新的半導(dǎo)體工藝?；诘墸℅aN）的芯片用于功率控制器和發(fā)射器與接收器之間的無(wú)線電鏈路。
氮化鎵充電器為什么喜歡用貼片Y電容呢？貼片Y電容有什么優(yōu)點(diǎn)？
在以前，很多手機(jī)充電器都會(huì)用到安規(guī)Y電容，不過(guò)用的都是插件形式的，現(xiàn)在情況明顯不一樣
什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析
第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在...
Transphorm 900V氮化鎵功率器件規(guī)格參數(shù)
兩款900V FET均屬于常閉型器件，通過(guò)更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復(fù)電荷，提供更高的效率，明顯超越傳統(tǒng)硅 (Si) 器件，具有顯著優(yōu)勢(shì)。
在進(jìn)行碳化硅、氮化鎵功率器件研發(fā)和特性評(píng)估、功率模塊開(kāi)發(fā)和特性評(píng)估、電源設(shè)計(jì)器件選型、電源調(diào)試以及學(xué)術(shù)研究時(shí)，都需要對(duì)其驅(qū)動(dòng)波形進(jìn)行測(cè)試，這時(shí)大多數(shù)工程...
激光雷達(dá)的全稱是光檢測(cè)和測(cè)距，即通過(guò)光波段中的電磁輻射所進(jìn)行的（遠(yuǎn)程）檢測(cè)和測(cè)量。這種裝置采用了經(jīng)典、簡(jiǎn)單的雷達(dá)原理，不同的是它使用的是由激光脈沖所組成...
納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)...
我們以前使用的Y電容主要是插件形式的，這幾年技術(shù)進(jìn)步很快，已經(jīng)有性能很不錯(cuò)的貼片式Y(jié)電容出現(xiàn)，比如科雅JK-ET系列的塑封貼片式Y(jié)安規(guī)電容器，已經(jīng)被大量...
氮化鎵（GaN）技術(shù)如今在電力電子行業(yè)風(fēng)靡一時(shí)，這種寬禁帶半導(dǎo)體能夠?qū)崿F(xiàn)非常高的效率和功率密度，因此能夠減小電源的體積，并且降低其工作溫度，該性能優(yōu)勢(shì)正...
RF LDMOS之于早期蜂窩網(wǎng)絡(luò)，氮化鎵（GaN）之于現(xiàn)代和高頻應(yīng)用。與砷化鎵（GaAs）和Si LDMOS相比，GaN長(zhǎng)期以來(lái)一直具有難以超越的優(yōu)勢(shì)：
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