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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅(qū)動電流檔位時），減緩開關(guān)動作的瞬態(tài)變化，...
LM5113-Q1系列 用于 GaNFET 的汽車級 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LM5113-Q1 旨在以同步降壓、升壓或半橋配置驅(qū)動汽車應(yīng)用中的高壓側(cè)和低壓側(cè)增強型氮化鎵 （GaN） FET 或硅 MOSFET。該器件具有集成的 ...
谷底鎖定模式是一種應(yīng)用于開關(guān)電源如反激式拓撲、準諧振電源中的關(guān)鍵技術(shù)，其核心在于通過精確控制開關(guān)管的導(dǎo)通時機以降低損耗和提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。在深圳銀聯(lián)寶科技...
TPS7H6015-SEP 耐輻射 60V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括 ...
深圳銀聯(lián)寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標共板，方案成熟，性能可靠...
48V高效降壓電源方案：英諾賽科推出2kW四相交錯設(shè)計
英諾賽科針對48V架構(gòu)開發(fā)了兩款行業(yè)領(lǐng)先的降壓電源方案（四相2kW交錯降壓電源方案），為更高效、節(jié)能的數(shù)據(jù)中心賦能。 英諾賽科此次推出的兩款降壓電源方...
芯片?恒功率控制，意味著無論負載變化如何，系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率，確保設(shè)備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運行。當檢測到系統(tǒng)溫度過高時，主動降功率功能會啟動...
在65W氮化鎵快充設(shè)計中，輸入欠壓保護與過壓保護協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動時仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導(dǎo)致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化...
基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動器
對于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言，優(yōu)化的柵極驅(qū)動尤為重要。此類轉(zhuǎn)換器的快速開關(guān)需仔細考量寄生參數(shù)、過沖/欠沖現(xiàn)象以及...
恒功率電源芯片具有穩(wěn)壓、高效、過載保護等特性，適用于一些功率要求嚴格的應(yīng)用場景，如充電器、LED驅(qū)動器、電動工具等。今天推薦的深圳銀聯(lián)寶帶恒功率集成高壓...
如何最大限度地擴大基于氮化鎵 (GaN) 功率放大器的雷達系統(tǒng)的探測距離
雷達已成為軍事監(jiān)視、空中交通管制、太空任務(wù)和汽車安全等無數(shù)應(yīng)用領(lǐng)域不可或缺的設(shè)備。對于設(shè)計人員來說，最具挑戰(zhàn)性的情況是遠程雷達，因為在這種情況下，返回信...
深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護機制，通過集成多維度安全防護，防止設(shè)備出現(xiàn)過充電、過放電、過電流等問題?，在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安...
氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準散熱設(shè)計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性...
在輕載和空載狀態(tài)下，當FB管腳電壓低于VSKIP_IN(典型值 0.4V)時，系統(tǒng)進入打嗝模式工作,，停止開關(guān)動作。當FB電壓超過VSKIP_OUT(典...
EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選...
氮化鎵（GaN）無刷直流電機驅(qū)動 提升效率、減小尺寸和降低成本方面
本文圍繞氮化鎵（GaN）功率IC在無刷直流（BLDC）電機驅(qū)動應(yīng)用中的優(yōu)勢展開研究，通過設(shè)計實例和實驗數(shù)據(jù)，論證了其在提升效率、減小尺寸和降低成本方面的...
2025-04-24 標簽：氮化鎵GaN無刷直流電機驅(qū)動 587 0
用于CRPS應(yīng)用的采用氮化鎵功率集成電路的帶平面矩陣變壓器的高頻高效LLC模塊
隨著云計算和人工智能的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心對電源的需求不斷增加，對其功率密度和效率也提出了更高要求。在數(shù)據(jù)中心中， Common Redundant Po...
700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
ADPA1106 46 dBm (40 W)、2.7 GHz至3.5 GHz GaN功率放大器技術(shù)手冊
ADPA1106是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器，在2.7 GHz至3.1 GHz的帶寬內(nèi)，可提供46 dBm (40 W)和56%的典型功率附加效...
氮化鎵技術(shù)驅(qū)動的高效逆變器設(shè)計：硅與GaN器件的比較分析
通過重新設(shè)計基于氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案，DRS優(yōu)化的車輛逆變器性能使開關(guān)頻率提高了四倍，減少了體積和重量...
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