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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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InnoSwitch3-AQ無需12V電源就可助力電動(dòng)汽車高效運(yùn)行
盡管車身裝備了最先進(jìn)的電池組，但目前的常規(guī)電動(dòng)汽車仍然使用鉛酸電池在電機(jī)關(guān)閉時(shí)為所有電氣子系統(tǒng)提供12V電源。
2023-10-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車鉛酸電池氮化鎵 859 0
分立器件在45W氮化鎵快充產(chǎn)品中的應(yīng)用
如今，以碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導(dǎo)體新材料得到廣泛應(yīng)用，它們具有更高的導(dǎo)熱率和抗輻射能力，以及更大的電子飽和漂移速率等特點(diǎn)。氮化鎵熱穩(wěn)定性好、飽...
隨著第三代半導(dǎo)體材料的逐步應(yīng)用，對(duì)頻率要求更高，據(jù)我們了解理想頻率應(yīng)達(dá)到300KHz以上。對(duì)磁芯來說，您認(rèn)為頻率應(yīng)達(dá)到多少才會(huì)滿足需求？對(duì)磁芯的選材有什么要求？
本文小編分享一篇文章，本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用，本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應(yīng)用，并介紹了原子層鍍膜技...
在消費(fèi)類快充電源市場(chǎng)中，氮化鎵有著廣泛的應(yīng)用，如今已有數(shù)十家主流電源廠商開辟了氮化鎵快充產(chǎn)品線，推出的氮化鎵快充新品多達(dá)數(shù)百款。氮化鎵電源芯片正呈現(xiàn)出蓬...
2024-12-24 標(biāo)簽：功率開關(guān)氮化鎵電源芯片 844 0
基于Cl2/BCl3電感偶聯(lián)等離子體的氮化鎵干蝕特性
氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實(shí)現(xiàn)藍(lán)光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學(xué)穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化...
氮化鎵技術(shù)壁壘是什么，氮化鎵優(yōu)異特性介紹
達(dá)摩院指出，近年來第三代半導(dǎo)體的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)，正在打開應(yīng)用市場(chǎng)：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。
氮化鎵功率器就是電容嗎 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開...
淺析氮化鎵器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)技術(shù)
Driver Supply - Conventional Bipolar Driver 驅(qū)動(dòng)電源-常規(guī)雙極驅(qū)動(dòng)程序 GaN GIT （G...
2022-11-14 標(biāo)簽：氮化鎵驅(qū)動(dòng)電源 814 0
今天看到一家剛成立3年，專做化合物半導(dǎo)體外延的公司獲得3億元A輪融資。該公司專門生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片，同時(shí)提供包含GaN on Silicon、...
前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
具有集成式驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
氮化鎵半導(dǎo)體器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體技術(shù)和模塊式設(shè)計(jì)的進(jìn)步，使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。
2023-02-08 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體脈沖放大器 795 0
德州儀器高集成氮化鎵器件加速光伏市場(chǎng)創(chuàng)新
一直以來，可再生能源利用的一大問題是缺乏彈性，比如對(duì)于光伏而言，只能根據(jù)光照進(jìn)行發(fā)電，而無法根據(jù)需求而定。不過，隨著儲(chǔ)能技術(shù)的推進(jìn)，微型逆變器和串式逆變...
氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負(fù)載高效率、...
2025-02-07 標(biāo)簽：功率開關(guān)氮化鎵電源芯片 781 0
相比傳統(tǒng)影視行業(yè)，手機(jī)攝影的發(fā)展史確實(shí)非常短，不可能跟專業(yè)攝影一樣隨身攜帶遮光板遮光斗等專業(yè)設(shè)備，呈現(xiàn)出極致的攝影效果。但手機(jī)跟相機(jī)相比最大的優(yōu)勢(shì)，在于...
氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。
48V高效降壓電源方案：英諾賽科推出2kW四相交錯(cuò)設(shè)計(jì)
英諾賽科針對(duì)48V架構(gòu)開發(fā)了兩款行業(yè)領(lǐng)先的降壓電源方案（四相2kW交錯(cuò)降壓電源方案），為更高效、節(jié)能的數(shù)據(jù)中心賦能。 英諾賽科此次推出的兩款降壓電源方...
支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)
氮化鎵在任何功率級(jí)別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時(shí)減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗(yàn)來看，您必須至少對(duì)其中的部分因素進(jìn)行權(quán)衡，...
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