基于GaN晶體管的500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案 GaN和汽車究竟是什么關(guān)系

電機(jī)是全球耗電大戶，盡管電壓很高，硅仍然是主流。不過，GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅(qū)動(dòng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)軍。但這個(gè)市場非常保守，適應(yīng)新技術(shù)的速度很...

2021-05-21 標(biāo)簽：MOSFET氮化鎵碳化硅 4946 0

氮化鎵和Sslicon在各種性能指標(biāo)上的比較

硅制造技術(shù)已經(jīng)足夠成熟，可以大規(guī)模生產(chǎn)直徑達(dá)18英寸的晶片，而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底選擇范圍從硅或藍(lán)寶石基底（便宜但較大的晶...

2021-05-26 標(biāo)簽：微處理器晶體管氮化鎵 1817 0

基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計(jì)

作者：Alex Lidow，Michael de Rooij，Andreas Reiter 氮化鎵（GaN）功率器件已投入生產(chǎn)10多年，除了性能和成本方...

2021-05-26 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 3306 0

iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優(yōu)勢(shì)

GaN晶體管支持大多數(shù)包含單獨(dú)功率因數(shù)校正（PFC）和DC-DC部分的AC/DC電源：前端、無電橋PFC以及其后的LLC諧振轉(zhuǎn)換器（兩個(gè)電感和一個(gè)電容）...

2020-09-28 標(biāo)簽：adi晶體管氮化鎵 4647 0

激光雷達(dá)的工作原理及如何利用氮化鎵消除隱患

在實(shí)際的激光雷達(dá)系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的硅器件(例如MOSFET)無法為其激光驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)提供必要的性能。為了增強(qiáng)控制，MOSFET的溝道必須很大，這會(huì)導(dǎo)致寄生電容...

2021-02-21 標(biāo)簽：散熱器氮化鎵GaN 7354 0

調(diào)節(jié)氮化鎵熱量實(shí)現(xiàn)高溫穩(wěn)定性的MEMS諧振器

盡管基于硅的MEMS諧振器實(shí)現(xiàn)了高的時(shí)間分辨率，并且具有較小的相位噪聲和更理想的集成能力，但是它在較高溫度下不穩(wěn)定。

2021-01-29 標(biāo)簽：CMOS氮化鎵MEMS諧振器 2469 0

GaN將徹底改變數(shù)據(jù)中心電源 數(shù)據(jù)中心市場是下一個(gè)角逐點(diǎn)

高可靠性，高性能氮化鎵功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應(yīng)商Transphorm與貝爾集團(tuán)（Bel Group）聯(lián)合宣布Bel的鈦效率電源中使用了六個(gè)Transphorm的...

2021-01-22 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 2252 0

基于增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?技術(shù)）的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

基于增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?技術(shù)）的電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)，其現(xiàn)有數(shù)據(jù)中心和集中于低至1VDC負(fù)載電壓的48 VDC輸入電壓所用的電信架構(gòu)解決方案。

2021-01-20 標(biāo)簽：服務(wù)器電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵 2876 0

一文解讀DC/DC轉(zhuǎn)換器的熱管理及熱分析

系統(tǒng)級(jí)熱設(shè)計(jì)對(duì)于DC / DC轉(zhuǎn)換器的電氣規(guī)格同樣重要。越來越多的分布式電源架構(gòu)（DPA）使用增加了熱設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。

2021-01-20 標(biāo)簽：熱敏電阻DC-DC轉(zhuǎn)換器氮化鎵 6508 0

什么是激光雷達(dá) 如何用氮化鎵消除激光雷達(dá)

在實(shí)際的激光雷達(dá)系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的硅器件（例如MOSFET）無法為其激光驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)提供必要的性能。為了增強(qiáng)控制，MOSFET的溝道必須很大，這會(huì)導(dǎo)致寄生電容...

2021-01-11 標(biāo)簽：激光器氮化鎵adas 5531 0

基于GaN晶體管的特性測量交叉導(dǎo)通方案

驗(yàn)證電源半橋拓?fù)涫欠裾_交叉導(dǎo)通的常用方法是使用兩個(gè)探針同時(shí)驗(yàn)證高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)之間的死區(qū)時(shí)間。

2021-01-08 標(biāo)簽：開關(guān)電源晶體管氮化鎵 2736 0

線性S參數(shù)數(shù)據(jù)與非線性數(shù)據(jù)相結(jié)合的RF放大器模型結(jié)構(gòu)解析

傳統(tǒng)上，線性和非線性RF電路仿真占據(jù)了不同領(lǐng)域。為了仿真級(jí)聯(lián)小信號(hào)增益和損耗，RF設(shè)備設(shè)計(jì)人員傳統(tǒng)上一直廣泛使用S參數(shù)器件模型。由于缺乏數(shù)字形式的數(shù)據(jù)（...

2020-12-21 標(biāo)簽：放大器氮化鎵模擬系統(tǒng) 3349 0

Qorvo是如何布局5G射頻 持續(xù)整合的自屏蔽模塊是未來趨勢(shì)

5G 使得通信行業(yè)迎來重大變革，通信頻段數(shù)量從 4G 時(shí)代開始就處于快速增長的狀態(tài)，其中射頻前端作為手機(jī)通信功能的核心組件，將直接受益。

2020-09-03 標(biāo)簽：射頻emi氮化鎵 4685 0

利用氮化鎵場效應(yīng)晶體管和LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)的功率及效率

但如何能夠產(chǎn)生所要求的快速變化、帶寬處于數(shù)十兆赫茲（MHz）范圍的供電電壓？我們可以通過不同的方法來實(shí)現(xiàn)。其中一個(gè)方法是使用如圖2所示的混合式線性放大器...

2020-08-26 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器晶體管氮化鎵 2973 0