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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵技術(shù)驅(qū)動的高效逆變器設(shè)計(jì)：硅與GaN器件的比較分析
通過重新設(shè)計(jì)基于氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案，DRS優(yōu)化的車輛逆變器性能使開關(guān)頻率提高了四倍，減少了體積和重量...
ADPA1122 43dBm、20W、GaN 功率放大器，8.2GHz 至 11.8GHz技術(shù)手冊
ADPA1122 是一款氮化鎵 (GaN) 功率放大器，在 8.2GHz 至 11.8Ghz 頻率范圍內(nèi)，可提供 43dBm (20W) 功率和高于 4...
ADPA1113 2GHz至6GHz，46dBm（40W），GaN功率放大器技術(shù)手冊
ADPA1113 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器，可在 2.3 GHz 至 5.7 GHz 帶寬范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 46.5 dBm (44.7 W)...
氮化鎵快充芯片U8722BAS復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動時(shí)，U8722BAS通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最...
隨著氮化鎵GaN技術(shù)在PD快充領(lǐng)域的普及，充電器正朝著更小巧、更高效的方向發(fā)展。不過工程師在設(shè)計(jì)GaN充電器時(shí)，卻面臨一些棘手挑戰(zhàn)： 在高頻狀態(tài)下，電磁...
氮化鎵單片雙向開關(guān)：電力電子技術(shù)的下一代突破
單片雙向開關(guān)(BDS)被業(yè)界視為電力電子性能實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展的關(guān)鍵推動者。基于橫向氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的技術(shù)具有獨(dú)特優(yōu)勢，可有效...
2025-04-09 標(biāo)簽：電力電子氮化鎵雙向開關(guān) 433 0
當(dāng)設(shè)備溫度超過設(shè)定閾值時(shí)，外置OTP功能會自動觸發(fā)，降低設(shè)備功率或關(guān)閉設(shè)備，以防止過熱，這對于保護(hù)設(shè)備內(nèi)部組件和延長設(shè)備壽命至關(guān)重要。在檢測到溫度升高時(shí)...
30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅(qū)動電流分檔功能，通過調(diào)節(jié)驅(qū)動電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能和待機(jī)功耗。具體來...
UCC28780 1MHz 高頻有源鉗位反激式控制器數(shù)據(jù)手冊
UCC28780 是一款高頻有源鉗位反激式控制器，可實(shí)現(xiàn)高密度 AC-DC 電源，符合嚴(yán)格的全球能效標(biāo)準(zhǔn)，如 DoE VI 級和歐盟 CoC V5 Ti...
深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時(shí)通過?同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部...
HMC1086 25W GaN MMIC功率放大器技術(shù)手冊
HMC1086是一款25W氮化鎵(GaN)功率放大器MMIC，工作范圍為2至6 GHz。該放大器通常提供22 dB小信號增益，+44.5 dBm飽和輸出...
GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計(jì)方案
GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計(jì)方案
2025-03-13 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)驅(qū)動電路功率器件 1.4萬 0
氮化鎵（GaN）功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用: 優(yōu)勢、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計(jì)考量
介紹了氮化鎵（GaN）功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用，對比傳統(tǒng)硅基解決方案，闡述了其優(yōu)勢、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計(jì)考量及結(jié)論。 *附件：Driving-Elec...
納微 NV6169 # 45mΩ低導(dǎo)阻、800V耐壓、GaNSense智能保護(hù)技術(shù)
這是一款采用 GaNSense技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast芯片，可滿足高功率應(yīng)用，例如 400-1000 W 4K/8K 電視和顯示器...
寬電壓范圍是指設(shè)備或系統(tǒng)能夠在較寬的電壓區(qū)間內(nèi)正常工作的能力。這意味著，當(dāng)電網(wǎng)電壓或供電電壓在一定范圍內(nèi)波動時(shí)，具備寬電壓范圍的設(shè)備仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行，不...
HMC8415 40W（46 dBm），9GHz至10.5GHz，GaN功率放大器技術(shù)手冊
HMC8415LP6GE 是一款氮化鎵 （GaN） 功率放大器，可在 9 GHz 至 10.5 GHz 的帶寬范圍內(nèi)提供 40 W （46 dBm） 的...
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)技術(shù)手冊免費(fèi)下載
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場景 ?：并聯(lián)開關(guān)管廣泛應(yīng)用...
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充...
硅基半導(dǎo)體經(jīng)過多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進(jìn)一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
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