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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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15 V 至 350 V 范圍內(nèi)的氮化鎵 （GaN） 異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)功率晶體管已被證明在功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動和激光雷達(dá)脈沖光等應(yīng)用中在效率、尺寸、速度和成本...
iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優(yōu)勢
大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSF...
氮化鎵有源相控陣?yán)走_(dá)難點(diǎn) 氮化鎵有源相控陣?yán)走_(dá)優(yōu)點(diǎn)
GaN器件具有高功率密度和高熱耗散特性。在有源相控陣?yán)走_(dá)中，需要高功率的射頻信號來驅(qū)動每個(gè)天線元素，這要求對高功率GaN器件的射頻功率和熱管理進(jìn)行有效的...
氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導(dǎo)體。
5G發(fā)展帶動硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè),硅基氮化鎵應(yīng)用發(fā)展廣泛
與傳統(tǒng)的金屬氧化物（LDMOS）半導(dǎo)體相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢十分明顯——提供的有效功率可超過70%，每個(gè)單位面積的功率提升了4~6倍數(shù)，從而降低整體...
使用寬帶隙技術(shù)最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度
提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預(yù)計(jì)這一趨勢將持續(xù)下去，從而實(shí)現(xiàn)新的市場、應(yīng)用和產(chǎn)品。這篇博客向設(shè)計(jì)工程師介紹了意法半導(dǎo)體（ST）的電源解決方案...
氮化鎵是一種無機(jī)化合物，它是一種稀有的金屬氮化物，具有高熔點(diǎn)、高硬度和良好的電學(xué)性能。它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，也可以用于制造磁性...
在PC電源和充電器市場，從去年開始便流行起一個(gè)名為GaN（氮化鎵）的概念，并因這項(xiàng)技術(shù)的加盟獲得了更為出色的電氣性能。那么，GaN到底是一種怎樣的技術(shù)，...
氮化鎵（GaN）MOS管是一種基于氮化鎵材料的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。它具有許多優(yōu)點(diǎn)和局限性，下面將詳細(xì)介紹這些優(yōu)點(diǎn)和局限性。 優(yōu)...
2024-01-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS管 9405 0
氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
晶體結(jié)構(gòu)是通過原子（或離子/分子）組的周期性分布來實(shí)現(xiàn)的。理想情況下，考慮到在空間坐標(biāo)中延伸到無窮大的晶體，周期性轉(zhuǎn)化為平移不變性（或平移對稱性）。因此...
氮化鎵電源發(fā)熱嚴(yán)重嗎 氮化鎵電源優(yōu)缺點(diǎn)
相對于傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時(shí)產(chǎn)生的熱量較少，因?yàn)榈壘哂休^低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對于傳統(tǒng)的硅...
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù)，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，越來越多地...
近年來，隨著移動設(shè)備的普及和科技的不斷進(jìn)步，人們對于充電速度和電池續(xù)航能力的需求也越來越高。PD快充和氮化鎵的出現(xiàn)，對于滿足人們對于充電速度和電池效能的...
氮化鎵充電器和普通充電器對比各有優(yōu)勢，不能直接判定哪個(gè)更好，氮化鎵充電器和普通充電器是兩種不同的充電設(shè)備，它們在充電速度、安全性、穩(wěn)定性等方面都存在差異...
FLOSFIA公司開發(fā)出了一種廉價(jià)制造氧化鎵晶體的方法
FLOSFIA公司的厲害之處，恰恰是克服了這一阻礙新技術(shù)發(fā)展的、高成本這一問題。碳化硅和氮化鎵成本高的原因在于其從密度較小的氣體通過結(jié)晶的方法獲得。密度...
氮化鎵是一種化合物，化學(xué)式為GaN，由鎵（Ga）和氮（N）兩種元素組成。它是一種化合物晶體，由原子晶體構(gòu)成。 氮化鎵具有堅(jiān)硬的晶體結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的物理化學(xué)性...
2024-01-10 標(biāo)簽：晶體電子器件半導(dǎo)體材料 8751 0
NV612X GaNFast? 功率半導(dǎo)體器件的熱處理
介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27，集成在6mmx8mm的QFN封裝內(nèi)。這個(gè)封裝增加了一個(gè)大的冷卻片，用于降低封裝的熱...
隨著科技的發(fā)展，電子產(chǎn)品已經(jīng)成為了我們生活中的必需品。而為了保持這些產(chǎn)品的正常運(yùn)行，需要一種高效、快速、安全的充電方式。氮化鎵充電器就是一種基于氮化鎵半...
實(shí)現(xiàn)超高功效的新一代非對稱型Doherty放大器QPD2731
該新一代碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）解決方案在單個(gè)封裝中采用兩個(gè)晶體管，可最大限度提高線性度、效率和增益，并最終降低運(yùn)營成本。
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