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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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可以改變焦距的鏡頭用于各種光學設備，例如可變放大倍率相機的變焦鏡頭、雙筒望遠鏡、光學顯微鏡和投影儀。 最近，智能手機相機等小型光學單元也配備了可變放大倍...
GaN和InGaN基化合物半導體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實現(xiàn)藍-綠光發(fā)光二極管和藍光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的...
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...
淺析現(xiàn)代半導體產(chǎn)業(yè)中常用的半導體材料
半導體材料是半導體產(chǎn)業(yè)的核心，它是制造電子和計算機芯片的基礎(chǔ)。半導體材料的種類繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導體產(chǎn)業(yè)中常用的半導...
本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價帶無法有效進行空穴傳導...
本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。
氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點，被廣泛應用于通信、醫(yī)療、工業(yè)等領(lǐng)域。下面我們將詳細介紹氮化鎵...
倍思氮化鎵充電器是一款優(yōu)秀的充電器，具有高效、快速、安全、環(huán)保等優(yōu)點。下面我們將詳細介紹倍思氮化鎵充電器的優(yōu)缺點、使用體驗和與其他產(chǎn)品的比較，幫助您更好...
氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學性能，廣泛應用于電子、通訊、能源等領(lǐng)...
什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管...
氮化鎵充電器和普通充電器是兩種不同的充電設備，它們在充電速度、充電效率、體積大小、重量、安全性能等方面存在一些差異。下面我們將詳細介紹氮化鎵充電器和普通...
隨著科技的發(fā)展，電子產(chǎn)品已經(jīng)成為了我們生活中的必需品。而為了保持這些產(chǎn)品的正常運行，需要一種高效、快速、安全的充電方式。氮化鎵充電器就是一種基于氮化鎵半...
SIC比SI有什么優(yōu)勢？碳化硅優(yōu)勢的實際應用
SiC的導熱性大約是Si的三倍，并且將其他特性的所有優(yōu)點結(jié)合在一起。導熱率是指熱量從半導體結(jié)傳遞到外部環(huán)境的速度。這意味著SiC器件可以在高達200°C...
簡單來說，化成分容就是為了激活電池。通常離子電池經(jīng)過繁雜的工序，只是生成半成品電芯，還未完成激活就無法正常使用，因此需要化成分容設備激活內(nèi)部的活性物質(zhì)，...
以碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體可在功率轉(zhuǎn)換應用中實現(xiàn)更快的開關(guān)速度、更低的損耗和更高的功率密度。隨著功率半導體效率的提高，碳化...
新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料...
使用寬帶隙技術(shù)最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度
提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預計這一趨勢將持續(xù)下去，從而實現(xiàn)新的市場、應用和產(chǎn)品。這篇博客向設計工程師介紹了意法半導體（ST）的電源解決方案...
南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案
功率密度的大幅提升離不開第三代半導體的助力，氮化鎵是第三代半導體材料的典型代表，它可在更高的頻率下運行，且具有更快的開關(guān)速度和更低的功耗。2018年前后...
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