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標(biāo)簽 > 電容充放電
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電容充放電過(guò)程中時(shí)間常數(shù)對(duì)電路的影響
電容充放電過(guò)程中的時(shí)間常數(shù)對(duì)電路有著重要影響。時(shí)間常數(shù)是指電容在充放電過(guò)程中所需要的時(shí)間,它取決于電容器本身的特性和外部電路的參數(shù)。在本文中,將詳細(xì)探討...
控制上是怎么描述穩(wěn)定性?如何判斷一個(gè)系統(tǒng)是否穩(wěn)定呢?
定的概念廣泛存在于各個(gè)領(lǐng)域,大到飛機(jī)火箭橋梁建筑,小到生活中常見(jiàn)的各類(lèi)電子產(chǎn)品生活用品,只要涉及到“可控”的要求,一定會(huì)談到穩(wěn)定性(Stability)...
下面電路我們通過(guò)在同向端接DC直流電壓,反向端接電容,通過(guò)條件判斷來(lái)控制比較器輸出高低電平從而實(shí)現(xiàn)電容充放電,下面紅色箭頭方向和藍(lán)色箭頭方向分別為電容充...
時(shí)間繼電器是一種特殊的電氣元件,它在接收到輸入信號(hào)(線圈通電或斷電)后,經(jīng)過(guò)預(yù)定的延時(shí)時(shí)間,才會(huì)觸發(fā)輸出信號(hào)(通常是觸頭的動(dòng)作)。
2023-11-15 標(biāo)簽:時(shí)間繼電器計(jì)時(shí)器電氣控制系統(tǒng) 4810 0
什么是EMI(電磁干擾)?開(kāi)關(guān)電源外部EMI的來(lái)源?
EMI是Electromagnetic Interference 的簡(jiǎn)稱(chēng),通常指電子產(chǎn)品工作時(shí)對(duì)周邊電子產(chǎn)品產(chǎn)生干擾的現(xiàn)象,通常分為**傳導(dǎo)干擾**和 ...
2023-11-07 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源emi電磁干擾 4765 0
如何正確區(qū)分電源紋波與噪聲并采用高效的方法對(duì)其進(jìn)行測(cè)試呢?
關(guān)于電源噪聲與紋波相關(guān)的測(cè)試,是每個(gè)硬件工程師都避不開(kāi)的話題。那么如何正確區(qū)分紋波與噪聲并采用高效的方法測(cè)試顯得尤其重要。本篇文章針對(duì)電源紋波與噪聲的測(cè)...
SDRAM(synchronous dynamic random-access memory)即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。在介紹SDRAM前,我們先了解下D...
2023-09-27 標(biāo)簽:STM32PCB設(shè)計(jì)靜態(tài)存儲(chǔ)器 3288 0
555定時(shí)器如何工作?555定時(shí)器基本電路分析
對(duì)于接觸過(guò)數(shù)字電路或模擬電路的人來(lái)說(shuō),**555 IC**絕對(duì)是經(jīng)典之作。以其低成本和可靠的性能被廣泛應(yīng)用于各種電器,包括儀器儀表、家用電器、電動(dòng)玩具、...
AD數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換-SAR ADC介紹
基本SAR(Successive Approxmation Register)ADC結(jié)構(gòu)中包括采樣保持S&H電路、比較器、DAC、SAR邏輯四個(gè)單元。
在超導(dǎo)體的臨界溫度以下,其電阻值降為零。銅的電阻率為1.7x10^-8 Oh*m, 雖然其數(shù)值較小,但是在芯片設(shè)計(jì)中要考慮metal routing的電阻影響
2023-09-19 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)電源電壓CMOS晶體管 1662 0
在外電場(chǎng)的推動(dòng)下,P區(qū)的多子“空穴”開(kāi)始向N區(qū)移動(dòng),與“負(fù)離子”中和;N區(qū)的多子“自由電子”向P區(qū)移動(dòng),與“正離子”中和,導(dǎo)致這內(nèi)電場(chǎng)里的電荷都被中和掉...
什么是多諧振蕩器?關(guān)于“非穩(wěn)態(tài)/張弛”振蕩器的形象類(lèi)比
與前文所述的LC振蕩器不同,多諧振蕩器(Multivibrator)產(chǎn)生的振蕩波形不限于正弦波,還能是方波、鋸齒波、三角波、脈沖波等等波形
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