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      標簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關注25人關注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：2533個 瀏覽：50486次 帖子：38個

      碳化硅技術

      切割深度動態(tài)補償技術對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機制與參數(shù)優(yōu)化

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      一、引言 在晶圓制造過程中，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質量的關鍵指標，直接影響芯片制造的良品率與性能。切割過程中，受切削力、振動、刀具磨損等因素...

      2025-07-17 標簽：晶圓碳化硅新啟 72 0

      碳化硅晶圓特性及切割要點

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      01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造...

      2025-07-15 標簽：半導體材料碳化硅 113 0

      基于淺切多道的晶圓切割 TTV 均勻性控制與應力釋放技術

      基于淺切多道的晶圓切割 TTV 均勻性控制與應力釋放技術

      一、引言 在半導體制造中，晶圓總厚度變化（TTV）均勻性是決定芯片性能與良品率的關鍵因素，而切割過程產生的應力會導致晶圓變形，進一步惡化 TTV 均勻性...

      2025-07-14 標簽：晶圓碳化硅新啟航 111 0

      晶圓切割中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應對 TTV 的影響

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      一、引言 在半導體晶圓制造領域，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質量的關鍵指標，直接影響芯片制造的良品率與性能。淺切多道工藝通過分層切削降低單次切削力...

      2025-07-12 標簽：半導體晶圓碳化硅 67 0

      淺切多道切割工藝對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機制與參數(shù)優(yōu)化

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      一、引言 在半導體制造領域，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質量的關鍵指標之一，直接影響芯片制造的良品率與性能。傳統(tǒng)切割工藝在加工過程中，易因單次切割...

      2025-07-11 標簽：晶圓碳化硅新啟航 122 0

      超薄晶圓切割：振動控制與厚度均勻性保障

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      超薄晶圓因其厚度極薄，在切割時對振動更為敏感，易影響厚度均勻性。我將從分析振動對超薄晶圓切割的影響出發(fā)，探討針對性的振動控制技術和厚度均勻性保障策略。 ...

      2025-07-09 標簽：晶圓切割碳化硅 135 0

      基于多物理場耦合的晶圓切割振動控制與厚度均勻性提升

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      一、引言 在半導體制造領域，晶圓切割是關鍵環(huán)節(jié)，其質量直接影響芯片性能與成品率。晶圓切割過程中，熱場、力場、流場等多物理場相互耦合，引發(fā)切割振動，嚴重...

      2025-07-07 標簽：晶圓碳化硅新啟 166 0

      碳化硅襯底切割自動對刀系統(tǒng)與進給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

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      一、引言 碳化硅（SiC）襯底憑借優(yōu)異性能在半導體領域地位關鍵，其切割加工精度和效率影響產業(yè)發(fā)展。自動對刀系統(tǒng)決定切割起始位置準確性，進給參數(shù)控制切割過...

      2025-07-03 標簽：半導體SiC碳化硅 175 0

      基于機器視覺的碳化硅襯底切割自動對刀系統(tǒng)設計與厚度均勻性控制

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      一、引言 碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的代表，以其卓越的物理化學性能，在新能源汽車、軌道交通、5G 通信等關鍵領域展現(xiàn)出不可替代的作用。然而，...

      2025-06-30 標簽：晶圓機器視碳化硅 486 0

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      摘要：碳化硅襯底切割對起始位置精度與厚度均勻性要求極高，自動對刀技術作為關鍵技術手段，能夠有效提升切割起始位置精度，進而優(yōu)化厚度均勻性。本文深入探討自動...

      2025-06-26 標簽：碳化硅晶圓厚度TTV厚度 372 0

      碳化硅襯底切割進給量與磨粒磨損狀態(tài)的協(xié)同調控模型

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      摘要：碳化硅襯底切割過程中，進給量與磨粒磨損狀態(tài)緊密關聯(lián)，二者協(xié)同調控對提升切割質量與效率至關重要。本文深入剖析兩者相互作用機制，探討協(xié)同調控模型構建方...

      2025-06-25 標簽：碳化硅晶圓厚度TTV 335 0

      羅姆新SPICE模型助力優(yōu)化功率半導體性能

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      在SiC（碳化硅）等功率半導體的電氣仿真中，以往的行為模型存在收斂性差、仿真速度慢的問題。但是，這次開發(fā)并發(fā)布了提高仿真速度的新模型。

      2025-06-23 標簽：SPICE功率半導體碳化硅 203 0

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      2025-06-17 標簽：MOSFETSiCPCS 663 0

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      編輯推薦廠商產品技術軟件/工具OS/語言教程專題

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