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標簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

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SiC功率元器件特征有哪些

碳化硅(SiC)功率元器件是一種半導(dǎo)體器件,具有許多獨特的特性,使其在高性能電力電子應(yīng)用中具有優(yōu)勢。以下是SiC功率元器件的一些主要特征: 碳化硅(Si...

2024-02-04 標簽:功率器件SiC碳化硅 1112 0

淺談碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

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2024-01-25 標簽:晶圓功率半導(dǎo)體碳化硅 1634 0

深度解讀第三代半導(dǎo)體—碳化硅

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2024-01-24 標簽:二極管MOSFET半導(dǎo)體 4362 0

碳化硅晶片的化學(xué)機械拋光技術(shù)研究

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為實現(xiàn)碳化硅晶片的高效低損傷拋光,提高碳化硅拋光的成品率,降低加工成本,對現(xiàn)有的碳化硅化學(xué)機械拋光 技術(shù)進行了總結(jié)和研究。針對碳化硅典型的晶型結(jié)構(gòu)及其微...

2024-01-24 標簽:SiC晶片碳化硅 3294 0

一文詳解MEMS高溫壓力傳感器

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高溫壓力傳感器廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空航天等領(lǐng)域,用來監(jiān)測航空發(fā)動機、重型燃氣輪機、燃煤燃氣鍋爐等動力設(shè)備燃燒室內(nèi)的壓力,耐高溫和高可靠性是對其最基本的要求。

2024-01-23 標簽:多晶硅mems壓力傳感器 5918 0

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晶片切割是半導(dǎo)體器件制造的關(guān)鍵步驟,切割方式和質(zhì)量直接影響晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生產(chǎn)成本,同時對器件制造也有重大影響。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料...

2024-01-23 標簽:半導(dǎo)體晶片激光切割技術(shù) 6678 0

SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢

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碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。

2024-01-20 標簽:新能源汽車MOSFET晶體管 1638 0

半導(dǎo)體襯底材料的選擇

電子科技領(lǐng)域中,半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料,承載著整個電路的運行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,對半導(dǎo)體襯底材料的選擇和應(yīng)用要求也越來越高。本文將為您詳細介紹半導(dǎo)體襯...

2024-01-20 標簽:半導(dǎo)體襯底碳化硅 2501 0

100kW碳化硅三相并網(wǎng)逆變器設(shè)計

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SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物,即百分之五十的硅(Si)和百分之五十的碳(C),其基本結(jié)構(gòu)單元為 Si-C 四面體。

2024-01-18 標簽:半導(dǎo)體SiC晶片 2582 0

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碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿場強、高電子飽和漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本文將對碳化硅功...

2024-01-17 標簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 1075 0

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碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,因其寬禁帶寬度、高擊穿電場強度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,在眾多高端應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色,已成為半導(dǎo)體材料技術(shù)的重要發(fā)展方向...

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半導(dǎo)體碳化硅(SiC)行業(yè)研究

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第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越,應(yīng)用場景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ),經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場景提出更高的要求,以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三...

2024-01-16 標簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1510 0

晶圓級立方碳化硅單晶生長研究進展

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碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,在新能源汽車、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。與目前應(yīng)用廣泛的4H-...

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碳化硅特色工藝模塊簡介

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碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點。由于這些優(yōu)異的性能,碳化硅在電力電子、微波射頻、光...

2024-01-11 標簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1250 0

碳化硅升華生長溫度測控研究

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摘要:通過調(diào)節(jié)中頻感應(yīng)線圈的輸出功率來改變碳化硅升華生長坩堝的加熱溫度,并采用 NaCl 和 Al2O3 進行燒結(jié)實驗,觀察不同輸出功率下燒結(jié)后的形貌變...

2024-01-11 標簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1203 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展趨勢

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隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料,正在引發(fā)一場革命。與傳統(tǒng)的硅(Si)器件相比,碳化硅器件具有更高的耐壓、更低的...

2024-01-11 標簽:半導(dǎo)體功率器件碳化硅 2424 0

碳化硅相對傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體有什么有缺點

碳化硅(SiC)和傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體(Si)是兩種常見的半導(dǎo)體材料,它們在電子器件制造中具有廣泛的應(yīng)用。然而,碳化硅相對于傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體具有一定的優(yōu)缺點。 優(yōu)點...

2024-01-10 標簽:半導(dǎo)體材料器件碳化硅 2869 0

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    超級本
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    超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后,定義的全新品類筆記本產(chǎn)品,集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能,超極本是完整的電腦。
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