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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

基于芯干線氮化鎵與碳化硅的100W電源適配器方案

半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，廣泛應(yīng)用于集成電路、消費電子及工業(yè)設(shè)備等場景，其性能直接影響智能終端與裝備的運行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（...

2025-06-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電源適配器 SiC 1547 0

碳化硅MOS驅(qū)動電壓如何選擇

碳化硅MOS驅(qū)動電壓選擇15V還是18V，是電力電子設(shè)計中的關(guān)鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對器件的導(dǎo)通損耗、開關(guān)特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。

2025-06-04 標(biāo)簽：SiC 碳化硅驅(qū)動電壓 549 0

新型功率器件的老化測試方法

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，這些器件在長期連續(xù)使用后會出現(xiàn)老化現(xiàn)...

2025-06-03 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵碳化硅 588 0

碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀器的選型指南與應(yīng)用場景分析

引言碳化硅襯底 TTV（總厚度變化）厚度是衡量其質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響半導(dǎo)體器件性能。合理選擇測量儀器對準(zhǔn)確獲取 TTV 數(shù)據(jù)至關(guān)重要，不同應(yīng)用場...

2025-06-03 標(biāo)簽：測量儀器碳化硅晶圓厚度 303 0

使用碳化硅 MOSFET 降低高壓開關(guān)模式電源系統(tǒng)的損耗

作者： Art Pini 從電動汽車 (EV) 和光伏 (PV) 逆變器到儲能和充電站，電力電子應(yīng)用的數(shù)量和多樣性持續(xù)增加。這些應(yīng)用需要更高的工作電壓、...

2025-05-25 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅開關(guān)模式電源 269 0

TSSG生產(chǎn)碳化硅的優(yōu)勢

微管是SiC晶體中極為有害的缺陷，哪怕數(shù)量極少，也會對SiC器件的性能產(chǎn)生毀滅性打擊。在傳統(tǒng)物理氣相傳輸法（PVT）生長SiC單晶時，微管極易形成，并且...

2025-04-24 標(biāo)簽：晶體 SiC 碳化硅 401 0

多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源

本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。

2025-04-15 標(biāo)簽：多晶硅工藝碳化硅 483 0

Littelfuse新型1300V A5A溝槽分立式IGBT在電動汽車中的應(yīng)用

Littelfuse推出新型1300V A5A溝槽分立式IGBT，專為800V電動汽車（BEV）應(yīng)用而設(shè)計。這些IGBT具有優(yōu)化的集電極-發(fā)射極飽和電壓...

2025-04-09 標(biāo)簽：電動汽車 IGBT Littelfuse 1288 0

碳化硅VS硅基IGBT：誰才是功率半導(dǎo)體之王？

在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中，功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件，其性能與成本直接影響著整個系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙...

2025-04-02 標(biāo)簽：IGBT 芯片封裝功率半導(dǎo)體 2575 0

如何測試SiC MOSFET柵氧可靠性

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）因其優(yōu)異的性能，如高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高工作溫度，逐漸成為高...

2025-03-24 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 SiC 1189 0

2 kV SiC功率模塊：推動1500 V系統(tǒng)的革命

由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級價值方面的顯著提升，具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓...

2025-03-14 標(biāo)簽：SiC 功率模塊碳化硅 403 0

碳化硅技術(shù)賦能EA10000系列電源的優(yōu)勢

為減緩氣候變化的步伐，人類在非化石燃料、可再生能源解決方案方面取得了進(jìn)展，并且交通領(lǐng)域的電氣化進(jìn)程也在加速。這些新興技術(shù)幾乎都要求使用大功率，對電源的要...

2025-03-13 標(biāo)簽：示波器晶體管 SiC 919 0

SiC MOSFET的短路特性和短路保護(hù)方法

在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中，由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基（Si）制成的Si IGBT。

2025-03-12 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 1331 0

碳化硅SiC芯片封裝：銀燒結(jié)與銅燒結(jié)設(shè)備的技術(shù)探秘

隨著碳化硅（SiC）功率器件在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可。然而，要充分發(fā)揮SiC芯片的性能優(yōu)勢，封裝技術(shù)起著...

2025-03-05 標(biāo)簽：芯片 SiC 碳化硅 1123 0

SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過了 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、...

2025-02-28 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 601 0

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P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO-220I - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、零反向...

2025-02-28 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 475 0

SiC SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝。該產(chǎn)品通過 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)...

2025-02-28 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 543 0

SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、零反...

2025-02-28 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 496 0

SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反...

2025-02-27 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 489 0

SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220F - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備...

2025-02-27 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 429 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因為與典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時間往往是個問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通常可以先在本地存儲數(shù)據(jù)，無線鏈路可用時再行處理。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項目，也是深圳市政府重點推動的項目。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機視覺算法運行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。

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碳化硅

碳化硅技術(shù)

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