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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：2533個(gè) 瀏覽：50493次 帖子：38個(gè)

      碳化硅技術(shù)

      碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

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      2025-02-03 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 647 0

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      碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，如高硬度、高熔點(diǎn)、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是...

      2025-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 1064 0

      功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)

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      2025-01-15 標(biāo)簽：安森美電源技術(shù)SiC 651 0

      極海G32R501全數(shù)字雙向電源參考方案介紹

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      雙向電源控制技術(shù)廣泛應(yīng)用于戶用儲(chǔ)能、便攜式儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車等應(yīng)用，在能源使用效率備受關(guān)注的今天，雙向電源必須滿足更高的效率和可靠性標(biāo)準(zhǔn)，高轉(zhuǎn)換效率已成為數(shù)...

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      碳化硅IGBT在汽車領(lǐng)域的關(guān)鍵作用是什么?

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      2025-01-08 標(biāo)簽：IGBT碳化硅汽車 766 0

      安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？粉末純度、SiC晶錠一致性

      安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？粉末純度、SiC晶錠一致性

      硅通常是半導(dǎo)體技術(shù)的基石。然而，硅也有局限性，尤其在電力電子領(lǐng)域，設(shè)計(jì)人員面臨著越來(lái)越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導(dǎo)體。 本文為白皮...

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      溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

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      2025-02-02 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 959 0

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      各位小伙伴，不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒鉗位？為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位？》后反響熱烈，很多朋友留言詢問課件...

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      浮思特|如何通過設(shè)計(jì)SiC功率模塊優(yōu)化電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)熱管理效率?

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      提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的功率密度是提升電動(dòng)汽車性能的關(guān)鍵。特斯拉已經(jīng)使用的碳化硅(SiC)功率模塊，有可能將功率密度提高一倍。SiC器件具有高溫電阻性、低損耗...

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      ? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢(shì)，且它們?cè)陔娏﹄娮酉到y(tǒng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 以碳化硅（SiC...

      2024-12-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1461 0

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        從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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        G3-PLC
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      • PFM
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