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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅功率器件的優(yōu)勢和分類

碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅功率器件具有...

2024-08-07 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1323 0

碳化硅MOSFET的柵極應(yīng)力測試

了解半導(dǎo)體器件的失效模式是制定篩選、鑒定和可靠性測試的關(guān)鍵，這些測試可以確保器件在數(shù)據(jù)表規(guī)定的限制范圍內(nèi)運行，并滿足汽車和其他電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中對每十億個部...

2024-08-06 標(biāo)簽：測試 MOSFET 碳化硅 713 0

碳化硅晶體的生長原理

碳化硅晶體的生長原理在自然界中，晶體不勝枚舉，其分布及應(yīng)用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體；此外，半導(dǎo)體晶體、激光晶體、...

2024-08-03 標(biāo)簽：晶體 SiC 襯底 4174 0

使用SiC技術(shù)應(yīng)對能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)

本文簡要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比，SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個實際案例之前，先探討了 Si...

2024-07-25 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 734 0

詳解電力電子領(lǐng)域碳化硅(SiC)的熱行為

碳化硅(SiC)在功率電子學(xué)中相比傳統(tǒng)的硅工藝技術(shù)具有眾多優(yōu)勢。它結(jié)合了更高的電子遷移率、更寬的帶隙和更好的熱導(dǎo)率。得益于這些特性，SiC器件相比于同等...

2024-07-19 標(biāo)簽：SiC 碳化硅功率電子 6.1萬 0

基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術(shù)帶來了更嚴峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性，成為了下一代車...

2024-07-18 標(biāo)簽：功率模塊碳化硅基本半導(dǎo)體 842 0

SK Powertech 碳化硅MOSFET技術(shù)介紹與應(yīng)用潛力

碳化硅(SiC)器件在工業(yè)和汽車應(yīng)用中得到廣泛認可，例如電動汽車(EV)牽引逆變器和車載充電器、快速電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、電機驅(qū)動器、光伏、儲能、固態(tài)變...

2024-07-15 標(biāo)簽：電動汽車 MOSFET 碳化硅 688 0

基于安森美碳化硅模塊的換電站中充電電路設(shè)計

在電動車發(fā)展的過程當(dāng)中，充電和換電是兩個同時存在的方案。車載充電OBC可以通過兩相或三相電給汽車充電，但其無法滿足快充的需求。現(xiàn)在充電樁發(fā)展迅速，已經(jīng)有...

2024-07-08 標(biāo)簽：安森美 SiC 充電站 1050 0

安森美T10系列支持下一代大功率處理器

隨著數(shù)據(jù)中心為了滿足人工智能計算的龐大處理需求而變得越來越耗電，提高能效變得至關(guān)重要。與一般的搜索引擎請求相比，搭載人工智能的引擎需要消耗超過 10 倍...

2024-07-02 標(biāo)簽：處理器安森美碳化硅 603 0

驅(qū)動碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能的必要性分析

相較于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的開關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開啟電壓更低的特點，越來越廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)、交通、醫(yī)療等...

2024-06-21 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動芯片碳化硅 3631 0

用碳化硅(SiC)重新思考軟開關(guān)效率

從理論上講，碳化硅(SiC)技術(shù)比硅(Si)具有優(yōu)勢，這使得它看起來可以作為電力電子中現(xiàn)有MOSFET的直接替代品。這在一定程度上是正確的，但只要關(guān)注該...

2024-06-19 標(biāo)簽：電阻 MOSFET SiC 1227 0

硬開關(guān)和軟開關(guān)的主要區(qū)別

? 在功率轉(zhuǎn)換中，效率和功率密度至關(guān)重要。每一個造成能量損失的因素都會產(chǎn)生熱量，并需要通過昂貴且耗能的冷卻系統(tǒng)來去除。軟開關(guān)技術(shù)與碳化硅（SiC）技術(shù)的...

2024-06-13 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器軟開關(guān)碳化硅 2.5萬 0

電驅(qū)逆變器模塊連續(xù)工作測溫系統(tǒng)的開發(fā)步驟和過程

摘要本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆...

2024-06-04 標(biāo)簽：模塊逆變器 IGBT 796 0

碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

過去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的功率模塊，如...

2024-05-30 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1568 0

碳化硅器件的基本特性都有哪些？

碳化硅（SiliconCarbide,SiC）器件作為第三代半導(dǎo)體材料的重要代表，近年來在電子器件領(lǐng)域中備受關(guān)注。

2024-05-27 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體 SiC 2354 0

碳化硅襯底片比較重要的參數(shù)有哪些？

Lattice Parameters：晶格參數(shù)。確保襯底的晶格常數(shù)與將要生長的外延層相匹配，以減少缺陷和應(yīng)力。

2024-05-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1431 0

R24C2T25可簡化SiC的選擇和評估過程

毫無疑問，寬帶隙 (WBG) 技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用。碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 晶體管正迅速成為工業(yè)、消費類及其他電源應(yīng)用領(lǐng)域的首選器件。

2024-05-06 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器晶體管 GaN 716 0

碳化硅功率器件：高效能源轉(zhuǎn)換的未來

在現(xiàn)代電子行業(yè)，隨著能源效率要求的不斷提高和高溫、高頻、高壓應(yīng)用的增多，傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件正逐漸顯露出性能上的局限性。

2024-04-29 標(biāo)簽：電動汽車功率器件 SiC 1027 0

碳化硅功率器件：革新電力電子的未來龍頭

在當(dāng)今追求高效能、高耐用性的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越性能，成為了領(lǐng)域內(nèi)的明星產(chǎn)品，它的出現(xiàn)預(yù)示著一次技術(shù)革命的悄然到來。

2024-04-26 標(biāo)簽：逆變器功率器件 SiC 915 0

碳化硅 (SiC) MOSFET：為汽車電氣化的未來提供動力

隨著人們更加注重可持續(xù)性發(fā)展的經(jīng)濟新模式，我們的居住方式、工作狀態(tài)以及使用車輛的通勤和休閑方式都在發(fā)生相應(yīng)的變化。尤其是在交通運輸領(lǐng)域的變革，因為我們需...

2024-04-24 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅汽車 1300 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。

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