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《芯片制造》是2010年8月1日電子工業(yè)出版社出版的圖書，作者是（美國）贊特。本書介紹了半導體工藝的制作制程、誕生、發(fā)展、半導體材料和化學品的性質(zhì)等方面闡述。
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在芯片制造這一復雜且精妙的領域中，氮化硅（SiNx）占據(jù)著極為重要的地位，絕大多數(shù)芯片的生產(chǎn)都離不開它的參與。從其構(gòu)成來看，氮化硅屬于無機化合物，由硅元...
半導體元素是芯片制造的主要材料，芯片運算主要是用二進制進行運算。所以在電流來代表二進制的0和1，即0是不通電，1是通電。正好半導體通過一些微觀的構(gòu)造與參...
半導體是一種介于導體和絕緣體之間的導電性，半導體通過參雜可以使得能夠精確地控制電流的流動。通過基于晶圓的光刻、刻蝕和沉積工藝，我們可以構(gòu)建出各種元件，如...
二氧化硅是芯片制造中最基礎且關(guān)鍵的絕緣材料。本文介紹其常見沉積方法與應用場景，解析SiO?在柵極氧化、側(cè)墻注入、STI隔離等核心工藝中的重要作用。
多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡稱Poly）是由無數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅（如硅襯底）不同，多晶硅的晶粒尺寸通...
前段工藝（Front-End）、中段工藝（Middle-End）和后段工藝（Back-End）是半導體制造過程中的三個主要階段，它們在制造過程中扮演著不...
Low-K材料是介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?，k=3.9–4.2）的絕緣材料，主要用于芯片制造中的層間電介質(zhì)（ILD）。其核心目標是通過降低金...
在信息技術(shù)日新月異的今天，硅基光子芯片制造技術(shù)正逐漸成為科技領域的研究熱點。作為“21世紀的微電子技術(shù)”，硅基光子集成技術(shù)不僅融合了電子芯片與光子芯片的...
氮化鈦（TiN）是一種具有金屬光澤的陶瓷材料，其晶體結(jié)構(gòu)為立方晶系，化學穩(wěn)定性高、硬度大（莫氏硬度9-10）、熔點高達2950℃。在半導體領域，TiN展...
本文介紹了在集成電路制造工藝中的High-K材料的特點、重要性、優(yōu)勢，以及工藝流程和面臨的挑戰(zhàn)。
在芯片制造中，有源區(qū)（Active Area）是晶體管的核心工作區(qū)域，負責電流的導通與信號處理。它如同城市中的“主干道”，決定了電路的性能和集成度。
淺溝道隔離（STI）是芯片制造中的關(guān)鍵工藝技術(shù)，用于在半導體器件中形成電學隔離區(qū)域，防止相鄰晶體管之間的電流干擾。本文簡單介紹淺溝道隔離技術(shù)的作用、材料和步驟。
一個復雜的處理器可能包含數(shù)億甚至數(shù)十（百）億個晶體管，這些晶體管通過細金屬線彼此互聯(lián)。芯片的制造過程極其復雜，需要經(jīng)歷數(shù)百個精確控制的步驟。
本文論述了芯片制造中薄膜厚度量測的重要性，介紹了量測納米級薄膜的原理，并介紹了如何在制造過程中融入薄膜量測技術(shù)。
質(zhì)量控制設備是芯片制造的關(guān)鍵核心設備之一，對于確保芯片生產(chǎn)的高良品率起著至關(guān)重要的作用。集成電路制造流程復雜，涉及眾多工藝步驟，每一道工序都需要達到近乎...
芯片制造的關(guān)鍵一環(huán)：介質(zhì)層制備工藝全解析
在芯片這一高度集成化和精密化的電子元件中，介質(zhì)層扮演著至關(guān)重要的角色。它不僅在芯片中提供了必要的電氣隔離，還在多層互連結(jié)構(gòu)中實現(xiàn)了信號的高效傳輸。隨著芯...
在芯片制造的復雜流程中，光刻工藝是決定晶體管圖案能否精確“印刷”到硅片上的核心環(huán)節(jié)。而光刻Overlay(套刻精度)，則是衡量光刻機將不同層電路圖案對準...
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