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電壓檢測芯片一般用什么型號

電壓檢測芯片的型號多種多樣，選擇哪種型號主要取決于具體的應用場景、檢測范圍、精度要求、功耗限制等因素。以下是一些常見的電壓檢測芯片型號及其特點： 1. ...

2024-09-18 標簽：比較器電壓 CMOS技術 1752 0

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2024-03-12 標簽：集成電路半導體晶體管 1.1萬 0

納米拉曼光譜儀創(chuàng)新發(fā)展為可穿戴式光譜儀設備開啟眾多新應用

拉曼光譜儀在小型化方面的創(chuàng)新發(fā)展，為便攜式、可穿戴式光譜儀設備開啟了眾多新應用。

2023-12-04 標簽：傳感器探測器光譜儀 1362 0

背照式雙雪崩區(qū)單光子雪崩二極管（SPAD）介紹

單光子雪崩二極管（SPAD）的關鍵特征是能夠探測單個光子并提供數(shù)字信號輸出。

2023-11-21 標簽：探測器圖像傳感器雪崩二極管 3729 0

基于二極管橋的差分電容讀出電路分析

本文對基于二極管橋的差分電容讀出電路進行了全面的理論分析。基于理論模型，給出了電路參數(shù)與讀出電路的幅頻和相頻響應之間關系的數(shù)值模擬。

2023-10-17 標簽：二極管差分電容跨阻放大器 2369 0

PCBA中的地彈是什么？如何減少PCB組裝中的地彈？

接地反彈是PCB組件中的噪聲源。重要的是要防止這種情況，因為它會中斷高速或高頻操作。接地反彈的主要原因是電路上不同點的接地電位差。

2023-09-28 標簽：電容器晶體管 PCB組裝 6080 0

微流控芯片+光學時域拉伸成像系統(tǒng)實現(xiàn)高通量細胞成像

成像流式細胞儀（IFC）是一種極為強大的工具，可應用于微生物學、免疫學、病毒學、癌癥生物學、干細胞生物學和代謝工程等多個領域。

2023-09-19 標簽：CCD 微流控芯片 CMOS技術 1911 0

芯片集成的低溫生長2D PdTe2狄拉克半金屬實現(xiàn)非制冷中紅外傳感

非制冷中紅外(MIR)光探測和成像由于其在天文學、量子信息、光學雷達、醫(yī)學診斷和工業(yè)檢測等廣泛應用而引起了人們的極大興趣。

2023-08-29 標簽：紅外傳感器 TEM 光電探測器 945 0

新型超構表面成像光譜芯片研究進展

光譜成像具有良好的多維信息獲取能力，廣泛應用在食品安全、醫(yī)學診斷、環(huán)境監(jiān)測、偽裝識別及軍事遙感等領域。

2023-08-16 標簽：傳感器濾波器光譜儀 1496 0

偏振集成紅外光電探測器研究進展與應用

偏振集成探測器具有體積小、重量輕、結構緊湊，并且無需圖像配準對動態(tài)目標同時同地同源探測與識別的優(yōu)勢。

2023-08-15 標簽：探測器紅外傳感器光刻機 3391 0

如何利用55 nm BCD技術實現(xiàn)高性能SPAD呢？

單光子雪崩二極管（SPAD）是各類應用需求量很大的器件，特別是在生物醫(yī)學實踐方面。

2023-08-14 標簽：探測器仿真器雪崩二極管 1371 0

北京理工大學實現(xiàn)了光導型向平面光伏型量子點紅外成像芯片的變革

紅外成像技術有廣泛應用，現(xiàn)有的紅外成像芯片主要采用外延生長方法制備的塊體半導體材料，通過倒裝鍵合工藝實現(xiàn)與硅基讀出電路互聯(lián)，其價格高昂、工藝復雜，嚴重制...

2023-08-11 標簽：FET 場效應晶體管紅外探測器 1384 0

STM32 FSMC操作SRAM的步驟簡析

本次操作的SRAM的型號是IS62WV51216，是高速，8M位靜態(tài)SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution,...

2023-07-22 標簽：控制器 STM32 CMOS技術 2677 0

cmos動態(tài)功耗公式，cmos動態(tài)功耗和哪些電路參數(shù)有關

CMOS器件是一種采用CMOS技術制造的電子器件，具有低功耗、耐電磁干擾、高噪聲免疫性等優(yōu)點，被廣泛應用于現(xiàn)代電子領域。本文將介紹cmos動態(tài)功耗公式以...

2023-07-21 標簽：電子器件 CMOS技術 CMOS器件 5258 0

寄存器的時序要求有哪些？

對于下面這個傳輸門來說，只有當CLK為高電平，即傳輸門打開時，輸入端I的電平才會被傳輸?shù)捷敵龆薕，這是一個正常的傳輸過程。

2023-07-13 標簽：寄存器變換器 VDD 2195 0

寄存器門電路原理分析

當前行業(yè)內(nèi)CMOS寄存器電路設計往往采用主從鎖存器設計的結構，這與傳統(tǒng)“數(shù)字電路設計”課程上學到的D觸發(fā)器電路結構基本一致，而鎖存器部分，則采用了傳輸門...

2023-07-13 標簽：寄存器 SoC設計鎖存器 4164 0

數(shù)字后端基本概念介紹—FinFET Grid

今天要介紹的數(shù)字后端基本概念是FinFET Grid，它也是一種設計格點。介紹該格點前，我們首先來了解一下什么是FinFET技術。

2023-07-12 標簽：CMOS技術場效晶體管 FinFET技術 1772 0

科普一下先進工藝22nm FDSOI和FinFET的基礎知識

泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個主要問題。從下圖看出，在28nm的High-K Metal Gate Stack中，le...

2023-07-12 標簽：晶體管 NPN晶體管 FinFET 1.0萬 0

低噪聲放大器的寬帶匹配技術介紹

低噪聲放大器（LNA）在多種接收機結構中都作為接收機第一級有源器件，承擔接收機的低噪聲下“放大”功能，在抑制噪聲干擾的同時提高了輸入信號的功率，并將信號...

2023-07-06 標簽：接收機 MOS管混頻器 6717 0

ADC模擬電路皇冠上的明珠（2）

隨著無線通信向高速、寬帶方向發(fā)展，對于無線信號接收機提出了越來越高的要求。

2023-07-03 標簽：接收機無線通信寄生電容 1493 0

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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