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標(biāo)簽 > cmos
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
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一般來(lái)說(shuō),手機(jī)攝像頭、普通鏡頭都是無(wú)窮共軛鏡頭,而工業(yè)微距鏡頭大多是有限共軛鏡頭,像“百微”、“105微”這樣的奇葩,既可以是無(wú)窮共軛鏡頭,又可以使有限...
上次我的文章解釋了所謂的7nm不是真的7nm,是在實(shí)際線(xiàn)寬無(wú)法大幅縮小的前提下,通過(guò)改變晶體管結(jié)構(gòu)的方式縮小晶體管實(shí)際尺寸來(lái)達(dá)到等效線(xiàn)寬的效果那么新的問(wèn)...
英特爾、三星和臺(tái)積電公布下一代晶體管進(jìn)展
英特爾是三者中最早演示 CFET 的,早在 2020 年就在 IEDM 上推出了早期版本。這一次,英特爾報(bào)告了圍繞 CFET 制造的最簡(jiǎn)單電路(inve...
傳統(tǒng)的帶隙電壓基準(zhǔn)如圖1所示,雙極型晶體管基極-發(fā)射極電壓差ΔVBE具有正溫度系數(shù),而雙極型晶體管基極-發(fā)射極電壓VBE具有負(fù)溫度系數(shù),如果將兩個(gè)電壓進(jìn)...
2023-12-15 標(biāo)簽:集成電路CMOS電壓基準(zhǔn) 3720 0
請(qǐng)教一下經(jīng)受過(guò)嚴(yán)重ESD電擊的CMOS IC的可靠性會(huì)降低嗎?
靜電放電(ESD)是電子設(shè)備中一種常見(jiàn)的危害,它可能導(dǎo)致集成電路(IC)的損壞。對(duì)于CMOS IC來(lái)說(shuō),經(jīng)受過(guò)嚴(yán)重ESD電擊的可靠性會(huì)降低。
半導(dǎo)體芯片究竟是如何發(fā)展起來(lái)的?又是如何工作的?
1883年,著名發(fā)明家托馬斯·愛(ài)迪生(Thomas Edison)在一次實(shí)驗(yàn)中,觀察到一種奇怪現(xiàn)象。
動(dòng)態(tài)范圍(Dynamic Range)是圖像傳感器重要的參數(shù)之一,它決定了圖像傳感器能接收的陰影部分到高光部分的光亮強(qiáng)度分布范圍,也就是決定了所拍攝出來(lái)...
選擇電壓穩(wěn)壓器產(chǎn)品時(shí),必須確認(rèn)施加在電壓穩(wěn)壓器上的電壓在輸入電壓范圍內(nèi)(工作電壓范圍內(nèi))且在絕對(duì)最大額定范圍內(nèi)。
聲音測(cè)試儀: 對(duì)于音頻、TTL 或 CMOS 電路的簡(jiǎn)單測(cè)試,簡(jiǎn)單的測(cè)試單元始終具有價(jià)值。一個(gè)以 IC1a 為中心的簡(jiǎn)單振蕩器,可使用 P1 產(chǎn)生大約 ...
設(shè)計(jì)低泄漏飛安電路—低電流設(shè)計(jì)技術(shù)
本文的第 1 部分定義并描述了承載這些低電流的設(shè)計(jì),解釋了設(shè)計(jì)這些電路時(shí)出現(xiàn)的問(wèn)題,并研究了屏蔽和防護(hù)方法的應(yīng)用。
2023-12-13 標(biāo)簽:CMOS運(yùn)算放大器發(fā)生器 1808 0
基于原位摻雜和淺臺(tái)面型架構(gòu)的短波紅外InGaAs光電二極管開(kāi)發(fā)
隨著安防、汽車(chē)、工業(yè)、農(nóng)業(yè)等各個(gè)領(lǐng)域需求的不斷增長(zhǎng),短波紅外(SWIR)傳感器的發(fā)展也隨之興起。
PCB板設(shè)計(jì)中抗ESD的常見(jiàn)方法和措施全面總結(jié)
在板的設(shè)計(jì)當(dāng)中,可以通過(guò)分層、恰當(dāng)?shù)牟季植季€(xiàn)和安裝實(shí)現(xiàn)的抗設(shè)計(jì)。在設(shè)計(jì)過(guò)程中,通過(guò)預(yù)測(cè)可以將絕大多數(shù)設(shè)計(jì)修改僅限于增減元器件。通過(guò)調(diào)整布局布線(xiàn),能夠很好...
2023-12-11 標(biāo)簽:CMOS元器件半導(dǎo)體芯片 1361 0
共讀好書(shū) 你即使從來(lái)沒(méi)有學(xué)過(guò)物理,從來(lái)沒(méi)學(xué)過(guò)數(shù)學(xué)也能看懂,但是有點(diǎn)太簡(jiǎn)單了,適合入門(mén),如果你想了解更多的CMOS內(nèi)容,就要看這一期的內(nèi)容了,因?yàn)橹挥辛私?..
關(guān)于靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM的簡(jiǎn)單介紹
SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來(lái),SRAM一直是開(kāi)發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。
2023-12-06 標(biāo)簽:CMOSsram靜態(tài)存儲(chǔ)器 2282 0
自動(dòng)駕駛攝像頭分類(lèi)與功能應(yīng)用
左右后視鏡處或下方車(chē)身處 側(cè)視攝像頭主要是用于盲點(diǎn)監(jiān)測(cè)BSD,根據(jù)安裝位置可以實(shí)現(xiàn)前視或后視作用。目前大部分主機(jī)廠(chǎng)會(huì)選擇安裝在汽車(chē)兩側(cè)的后視鏡下方的位置...
上下拉電阻能否增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力?
一個(gè)最簡(jiǎn)單的二極管與門(mén)如下圖。與門(mén)實(shí)現(xiàn)邏輯與操作Y=A&B,即A或者B任意為L(zhǎng)的時(shí)候,輸出Y為L(zhǎng),只有當(dāng)A和B都為H時(shí),Y才為H。
芯片設(shè)計(jì)都不可避免的考慮要素—閂鎖效應(yīng)latch up
閂鎖效應(yīng),latch up,是個(gè)非常重要的問(wèn)題。現(xiàn)在的芯片設(shè)計(jì)都不可避免的要考慮它。我今天就簡(jiǎn)單地梳理一下LUP的一些問(wèn)題。
2023-12-01 標(biāo)簽:CMOS芯片設(shè)計(jì)BJT 4721 0
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