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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

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cmos技術(shù)

cmos芯片的作用及主要用途

CMOS芯片是一種低耗電存儲器，其主要作用是用來存放BIOS中的設(shè)置信息以及系統(tǒng)時間日期。CMOS制造工藝也被應(yīng)用于制作數(shù)碼影像器材的感光元件。

2017-12-13 標簽：cmos 存儲器 5.6萬 0

基于CMOS和DSA設(shè)計方法的數(shù)字步進衰減器設(shè)計

采用CMOS技術(shù)的數(shù)字步進衰減器能提供較高的抗ESD能力、高線性度、低插入損耗、串聯(lián)及并聯(lián)邏輯接口以及專有的超低噪音負電壓發(fā)生器。本文基于Peregri...

2017-12-13 標簽：cmos 衰減器 5582 0

RDA6205芯片基本信息介紹

作為目前在世界上使用最為廣泛的移動通信標準，自從九十年代開始在全球大規(guī)模商用以來，GSM一直展示出強大的生命力。不管是在GSM的發(fā)源地歐洲，還是在移動通...

2017-12-13 標簽：cmos 收發(fā)器射頻 3100 0

ccd與cmos傳感技術(shù)的原理、作用及其區(qū)別對比詳解

無論是CCD還是CMOS，它們都采用感光元件作為影像捕獲的基本手段，CCD/CMOS感光元件的核心都是一個感光二極管（photodiode），該二極管在...

2017-12-12 標簽：傳感器 cmos ccd 2.2萬 0

基于商用CMOS工藝的RFID標簽電路設(shè)計

射頻識別(RFID)市場出現(xiàn)強勁增長，2004年其銷售額高達17億美元，2008年預(yù)計將達到59億美元。這種激增的需求受到來自下一代RFID系統(tǒng)的帶動，...

2017-12-11 標簽：cmos rfid 1441 0

基于0.35μmCMOS工藝的射頻壓控振蕩器設(shè)計

基于0.35μm工藝，考慮低壓和低功耗，設(shè)計了一個工作頻率為4.2GHz的VCO,并在該電路中分別采用積累型MOS電容和反型MOS電容進行調(diào)諧。仿真結(jié)果...

2017-12-11 標簽：cmos 射頻 2081 0

一文讀懂ccd與cmos傳感技術(shù)的聯(lián)系和區(qū)別

無論是CCD還是CMOS，它們都采用感光元件作為影像捕獲的基本手段，CCD/CMOS感光元件的核心都是一個感光二極管（photodiode），該二極管在...

2017-12-11 標簽：CMOS CCD 3.7萬 0

RF 功率 LDMOSFET基本結(jié)構(gòu)和制造工藝特點簡介

RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSF...

2017-12-10 標簽：cmos RF 4895 0

基于電流復(fù)用技術(shù)和本振信號偶次諧的波高增益高線性度混頻器設(shè)計

混頻器是無線收發(fā)機中的核心模塊，對整個系統(tǒng)的性能具有很大影響。線性度、轉(zhuǎn)換增益是衡量一個混頻器性能的重要指標。在接收機中，混頻器具有一定的轉(zhuǎn)換增益...

2017-12-10 標簽：cmos 混頻器 3365 0

3～5GHz的超寬帶系統(tǒng)的CMOS低噪聲放大器設(shè)計

2002年2月,美國聯(lián)邦通信委員會( FCC)為超寬帶無線通信系統(tǒng)規(guī)劃了3.1 - 10.6GHz的頻譜資源,引起了全球性的研究熱潮。超寬帶技術(shù)具有低功...

2017-12-10 標簽：cmos 噪聲 lna 2410 0

基于CMOS工藝適用于WLAN IEEE802．11a標準的雙模前置分頻器設(shè)計

隨著移動通信技術(shù)的迅速發(fā)展，對射頻電路的高速、低功耗要求日益增長。基于鎖相環(huán)(PLL)結(jié)構(gòu)的頻率合成器是收發(fā)機前端電路的重要組成部分，對為混頻器提供純凈...

2017-12-10 標簽：wlan cmos 分頻器 2165 0

全面了解cmos電路中esd保護結(jié)構(gòu)原理及應(yīng)用

ESD(靜電放電)是CMOS電路中最為嚴重的失效機理之一，嚴重的會造成電路自我燒毀。論述了CMOS集成電路ESD保護的必要性，研究了在CMOS電路中ES...

2017-12-05 標簽：CMOS ESD 1.3萬 0

PMOS集成變?nèi)莨芨哳l簡化模型的設(shè)計

根據(jù)半導(dǎo)體表面電場效應(yīng)，通常按照多子堆積狀態(tài)、多子耗盡狀態(tài)及少子反型狀態(tài)3種彼此孤立的理想情況對MIS結(jié)構(gòu)電容的壓控特性進行理論分析。但實際上，3種情況...

2018-07-03 標簽：cmos 模擬集成電路 3947 0

cd4013中文資料匯總（引腳圖及功能_工作原理及方式_功能結(jié)構(gòu)_參數(shù)_應(yīng)用電路詳解）

CD4013是CMOS雙D觸發(fā)器，內(nèi)部集成了兩個性能相同，引腳獨立（電源共用）的D觸發(fā)器，采用14引腳雙列直插塑料封裝，是目前設(shè)計開發(fā)電子電路的一種常用...

2017-12-01 標簽：CMOS 觸發(fā)器 CD4013 16.6萬 0

超低功耗電路的設(shè)計原則及設(shè)計分析

以手機為代表的電池供電電路的興起,為便攜式儀表開創(chuàng)了一個新的紀元。超低功耗電路系統(tǒng)(包括超低功耗的電源、單片機、放大器、液晶顯示屏等)已經(jīng)對電路設(shè)計人員...

2018-07-21 標簽：CMOS 晶體管超低功耗 2.1萬 1

基于電流控制電流傳輸器的電流模式積分電路的設(shè)計和分析

介紹了電流模式電路的基本概念和發(fā)展概況，與電壓模式電路相比較，電流模式電路的主要性能特點。并介紹了廣泛應(yīng)用于各種電流模式電路的第二代電流控制電流傳輸器原...

2017-11-30 標簽：cmos 共源共柵電流傳輸器 2711 0

詳細講解cmos反相器的原理及特點

CMOS(cornplementary MOS)由成對的互補p溝道與n溝道MOSFET所組成．CMoS邏輯成為目前集成電路設(shè)計最常用技術(shù)的緣由，在于其有...

2017-11-30 標簽：CMOS CMOS反相器 9.2萬 0

集成電路數(shù)模轉(zhuǎn)換器的原理及作用

集成電路數(shù)模轉(zhuǎn)換器都是二進制輸入的，而用運放構(gòu)成的數(shù)模轉(zhuǎn)換器則不受數(shù)制和位數(shù)的限制。它運用了運放的反相加法器原理，如圖1所示。當(dāng)運放的增益足夠高時，其...

2017-11-28 標簽：CMOS 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 1.9萬 0

低頻和高頻RF無線系統(tǒng)的集成差異

低頻和高頻RF無線系統(tǒng)的集成具有很大差異。在高頻段，由于CMOS工藝能實現(xiàn)的帶寬高于雙極工藝，因而是RF電路首選工藝，通常RF-CMOS不會與數(shù)字CMO...

2017-11-25 標簽：cmos 射頻 4282 0

CMOS開發(fā)多模應(yīng)用的RF收發(fā)器

用戶需要更小更便宜的手機,在手持裝置中得到快速服務(wù)和更多功能。這正在促使業(yè)界加速創(chuàng)新解決方案,降低成本使產(chǎn)品盡快上市。這種外加壓力,使制造商重新考慮解決...

2017-11-25 標簽：cmos RF 1345 0

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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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