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標(biāo)簽 > ddr
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱(chēng)為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫(xiě),即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
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新的內(nèi)存即將到來(lái) 給國(guó)內(nèi)的DDR內(nèi)存制造廠商當(dāng)頭一棒
早在2017年,國(guó)內(nèi)公司進(jìn)軍內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的消息便一直甚囂塵上,其中的代表便是紫光公司,擁有國(guó)家政策與資金的扶持之下,終于做出了重要的突破。在今年上半年,憑借...
該設(shè)計(jì)元素是專(zhuān)用的輸入寄存器,旨在將外部雙數(shù)據(jù)速率(DDR)信號(hào)接收到Xilinx FPGA中。IDDR可用的模式可以在捕獲數(shù)據(jù)的時(shí)間和時(shí)鐘沿或在相同的...
2021-03-13 標(biāo)簽:寄存器DDRXilinx FPGA 6853 0
SERDES的工作原理及實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)
ISERDESE2 在 SDR 模式下數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換的位寬可以為 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8bit,在 DDR 模式時(shí),數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換位寬為 4、 6、...
本篇主要針對(duì)Zynq UltraScale + MPSoC的DDR接口,從硬件設(shè)計(jì)的角度進(jìn)行詳細(xì)介紹,最后展示一下小編之前自己設(shè)計(jì)的基于ZU+的外掛8顆...
對(duì)于Layout人員來(lái)說(shuō),對(duì)于DDR這一塊,可能主要關(guān)注的是信號(hào)線之間的等長(zhǎng)。下面我們也來(lái)復(fù)習(xí)一下,DDR各組信號(hào)需要滿(mǎn)足的時(shí)序關(guān)系:地址/命令,控制和...
存儲(chǔ)器以及DDR5技術(shù)及完整的測(cè)試方案
· 寄語(yǔ) ·? 小伙伴們,我們又見(jiàn)面了,上一期?「IC手記 ? 點(diǎn)沙成金的半導(dǎo)體行業(yè)」給大家介紹了芯片簡(jiǎn)史和PA測(cè)試的內(nèi)容,這一期,我們繼續(xù)為大家?guī)?lái)數(shù)...
Rambus解讀:6400MT/s及以上DDR內(nèi)存速率,不可或缺的CKD芯片
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)針對(duì)服務(wù)器內(nèi)存模塊RDIMM的芯片組解決方案,Rambus一直以來(lái)有著深厚的技術(shù)實(shí)力,可提供寄存器時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD)、電...
如何選擇DDR內(nèi)存條 DDR3與DDR4內(nèi)存區(qū)別
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR(Double Data Rate)內(nèi)存條作為計(jì)算機(jī)的重要組成部分,其性能直接影響到電腦的運(yùn)行速度...
2024-11-20 標(biāo)簽:DDR計(jì)算機(jī)頻率 6152 0
DDR內(nèi)存插槽及測(cè)試點(diǎn) 一、實(shí)物圖上圖就是DDR內(nèi)存插槽實(shí)物圖
2009-04-26 標(biāo)簽:DDR插槽測(cè)試點(diǎn) 6134 0
高速接口IP設(shè)計(jì)我們的純國(guó)產(chǎn)技術(shù)也很給力
隨著工藝進(jìn)步,集成電路的性能繼續(xù)沿著摩爾定律劃定的軌跡前進(jìn),芯片設(shè)計(jì)復(fù)雜度增長(zhǎng)的速度遠(yuǎn)比工藝和性能提高的速度快,因此,以IP核重用為標(biāo)志的SoC設(shè)計(jì)方法...
2020-08-31 標(biāo)簽:摩爾定律DDR芯片設(shè)計(jì) 5784 0
眾所周知, DDR電機(jī)是一種高精度、速比、高扭矩的直驅(qū)電機(jī)。電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)子與健身運(yùn)動(dòng)介質(zhì)即時(shí)連接,正中間無(wú)銜接連接。DDR電機(jī)輸出扭矩大,又稱(chēng)力矩電機(jī)。因?yàn)?..
DDR電源設(shè)計(jì),什么是拉電流什么是灌電流?
一、DDR電源 DDR的電源可以分為三類(lèi): 1.1 主電源VDD和VDDQ 主電源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是給IO ?buffer供電的電源,...
2021-08-18 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)DDR拉電流 5335 0
瀾起科技即將上會(huì) 已布局研發(fā)DDR5內(nèi)存接口芯片!
近日,上交所公布第三批上會(huì)企業(yè)名單,瀾起科技、杭可科技和天宜上佳3家公司將于6月13日接受科創(chuàng)板股票上市委員會(huì)的審核。
美光最新DDR5內(nèi)存開(kāi)始出樣,性能更強(qiáng)功耗更低
2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存,但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前,2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開(kāi)...
關(guān)于DDR應(yīng)用的一般注意要點(diǎn)的詳細(xì)介紹
DDR應(yīng)用的一般注意要點(diǎn) 上周的文章我們介紹了應(yīng)用 DDR 時(shí)需要先從電源、時(shí)鐘兩個(gè)方面必須遵循的固定法則,以保證存儲(chǔ)的正常使用。本次文章,我們主要圍繞...
DDR內(nèi)存將死,未來(lái)需要高帶寬的產(chǎn)品將轉(zhuǎn)向HBM內(nèi)存
見(jiàn)識(shí)過(guò)HBM的玩家對(duì)該技術(shù)肯定印象深刻,那么未來(lái)它又該如何發(fā)展呢?HPE(惠普企業(yè)級(jí))公司的Nicolas Dube日前分享了他的一些觀點(diǎn),在他看來(lái)DD...
SK海力士最新DDR5 EEC內(nèi)存條,性能有巨大的提升
根據(jù)Tom's Hardware的報(bào)道,SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內(nèi)存條,速度達(dá)到了DDR5-4800 MHz。
全志D1和t113對(duì)比 全志D1和t113是兩款非常常見(jiàn)的芯片,比較輕巧,適合需要輕松搭建系統(tǒng)的用戶(hù)使用,雖然它們都是基于ARM體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的,但是也有...
2023-08-17 標(biāo)簽:DDRARM處理器閃存存儲(chǔ)器 4938 0
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