SDRAM,DDR3,DDR2,DDR4,DDR1的區(qū)別對(duì)比及其特點(diǎn)分析

DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：為雙信道三次同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。 DDR4 SDRAM（Doubl...

2017-11-17 標(biāo)簽：SDRAMDDR3DDR4 2.8萬 0

內(nèi)存價(jià)格不再高不可攀,京東DDR4 8G內(nèi)存已經(jīng)跌破900

目前GTX1060 3G以及6G版本有小幅的下調(diào)，6G版本的一些非公顯卡售價(jià)最低1900余元就能夠拿到，而且是原盒全新的產(chǎn)品，并不是以次充好的礦卡或是翻...

2017-11-10 標(biāo)簽：內(nèi)存顯卡ddr4 2500 0

ddr4和ddr3內(nèi)存的區(qū)別,可以通用嗎

雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，...

2017-11-08 標(biāo)簽：ddr3內(nèi)存ddr4 3.2萬 0

內(nèi)存價(jià)格暴漲65%+挖礦導(dǎo)致卡荒 今年注定不是裝機(jī)的好年頭

內(nèi)存的漲價(jià)短時(shí)間內(nèi)還將繼續(xù)，再結(jié)合挖礦導(dǎo)致的卡荒，今年真是一個(gè)不適合裝機(jī)的年份。

2017-08-09 標(biāo)簽：內(nèi)存ddr4 4865 0

高頻DDR4內(nèi)存到底有哪些地方值得安利 優(yōu)勢(shì)在哪里？除了貴啥都好

內(nèi)存是CPU與硬盤之間的橋梁。高性能CPU、SSD，依賴內(nèi)存的高性能表現(xiàn)。而影響內(nèi)存性能最直接的因素---“頻率”！原則上，頻率越高，內(nèi)存性能越強(qiáng)。（當(dāng)...

2017-07-04 標(biāo)簽：內(nèi)存ddr4 1917 0

Intel傲騰存儲(chǔ)終極形態(tài)DIMM內(nèi)存明年到來 暫時(shí)不會(huì)徹底淘汰DDR4

Intel 3D XPoint Optane傲騰存儲(chǔ)科技已經(jīng)誕生了兩種產(chǎn)品形態(tài)，分別是面向數(shù)據(jù)中心的PCI-E擴(kuò)展卡樣式固態(tài)硬盤、面向臺(tái)式機(jī)和筆記本的M...

2017-05-22 標(biāo)簽：intelddr4dimm 2633 0

DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正在制定：比DDR4快兩倍！

內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始，計(jì)劃明年定稿。

2017-04-01 標(biāo)簽：內(nèi)存DDR4DDR5 2405 0

DRAM存儲(chǔ)器面臨的商業(yè)及四大技術(shù)問題

DRAM一直是一個(gè)具有挑戰(zhàn)性的行業(yè)。多年來，在競(jìng)爭環(huán)境下DRAM供應(yīng)商已經(jīng)經(jīng)歷了多次繁榮和蕭條的循環(huán)。但是現(xiàn)在，該行業(yè)面對(duì)著一個(gè)陰晴不定，甚至可以說是無...

2016-05-06 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)器DDR4 4259 0

Intel：DDR4內(nèi)存明年將統(tǒng)治PC

DDR4內(nèi)存已經(jīng)問世有很長一段時(shí)間了，Intel在IDF上表示，明年這一產(chǎn)品將迎來爆發(fā)期。

2015-08-24 標(biāo)簽：IntelDDR4IDF 1366 0

Altera演示FPGA中業(yè)界性能最好的DDR4存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)速率

Altera公司（Nasdaq： ALTR）今天宣布，在硅片中演示了DDR4存儲(chǔ)器接口，其工作速率是業(yè)界最高的2，666 Mbps。

2014-12-19 標(biāo)簽：FPGA存儲(chǔ)器Altera 4162 0

Cadence宣布推出基于臺(tái)積電16納米FinFET制程DDR4 PHY IP

全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司（NASDAQ： CDNS）今天宣布，立即推出基于臺(tái)積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY I...

2014-05-21 標(biāo)簽：CadenceDDR4FinFET 2238 0

Xilinx推出業(yè)界首款高性能DDR4內(nèi)存解決方案

All Programmable技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司 （NASDAQ： XLNX）今天宣布推出業(yè)界首款面向All Programmable...

2014-03-11 標(biāo)簽：賽靈思XilinxDDR4 1974 0

Xeon處理器RoadMap現(xiàn)身 驚曝Intel Skylake架構(gòu)芯片

最近外媒曝出Intel至強(qiáng)（Xeon）處理器產(chǎn)品發(fā)布線路圖，該圖表明Intel正在籌備Skylake架構(gòu)的芯片產(chǎn)品。Skylake會(huì)采用14nm制程，并...

2013-07-05 標(biāo)簽：處理器IntelPCIe 3910 0

Cadence首個(gè)DDR4 Design IP解決方案在28納米級(jí)芯片上得到驗(yàn)證

Cadence宣布業(yè)內(nèi)首個(gè)DDR4 Design IP解決方案在28納米級(jí)芯片上得到驗(yàn)證

2012-09-10 標(biāo)簽：Cadence28納米DDR4 1718 0

預(yù)計(jì)下一代DDR4內(nèi)存將在2015年普及

據(jù)VR報(bào)道，英特爾將推出支持DDR4的高端CPU產(chǎn)品，預(yù)計(jì)到2015年我們才會(huì)在桌面系統(tǒng)看到下一代的DDR4產(chǎn)品。Haswell四核系統(tǒng)目前已經(jīng)可以達(dá)到...

2012-04-05 標(biāo)簽：ddr3intelddr4 2192 0

美光提出3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS”或成DDR4基石

美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。

2011-12-18 標(biāo)簽：美光DDR43D內(nèi)存 1516 0

美光JEDEC合作制定3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)或成DDR4技術(shù)

美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。

2011-12-17 標(biāo)簽：內(nèi)存美光DDR4 1047 0

JEDEC即將完成DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)關(guān)鍵屬性

JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，全球微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)日前公布了廣為業(yè)界期待的DDR4(雙倍數(shù)據(jù)速率4)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵屬性。 預(yù)計(jì)將于2012年中期發(fā)...

2011-08-24 標(biāo)簽：DDR4JEDEC內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn) 2078 0