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gan器件技術(shù)

Texas Instruments LMG2650EVM-100子卡評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments LMG2650EVM-100子卡評(píng)估模塊是一款快速簡便的平臺(tái)，用于評(píng)估采用任意半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的TI集成式GaN器件。該...

2025-07-08 標(biāo)簽：電路板評(píng)估模塊 GaN器件 158 0

Texas Instruments LMG2656EVM-102子卡評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments LMG2656EVM-102子卡評(píng)估模塊為評(píng)估任何半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的TI集成GaN器件提供了一個(gè)快速、簡便的平臺(tái)。電路...

2025-07-08 標(biāo)簽：評(píng)估模塊 GaN器件 Instruments 149 0

Texas Instruments LMG2652EVM-101子卡評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments LMG2652EVM-101子卡評(píng)估模塊是一款快速簡便的平臺(tái)，用于評(píng)估采用任意半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的TI集成式GaN器件。該...

2025-07-08 標(biāo)簽：評(píng)估模塊 GaN器件 Instruments 156 0

從型號(hào)看實(shí)力！仁懋GaN器件命名規(guī)則全解析

型號(hào)背后的技術(shù)密碼仁懋氮化鎵（GaN）器件型號(hào)采用"三段式編碼規(guī)則"，通過字母與數(shù)字組合精準(zhǔn)傳遞技術(shù)參數(shù)。示例型號(hào)：MOTGE65R...

2025-05-06 標(biāo)簽：GaN器件仁懋電子 205 0

氮化鎵技術(shù)驅(qū)動(dòng)的高效逆變器設(shè)計(jì)：硅與GaN器件的比較分析

通過重新設(shè)計(jì)基于氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案，DRS優(yōu)化的車輛逆變器性能使開關(guān)頻率提高了四倍，減少了體積和重量...

2025-04-22 標(biāo)簽：逆變器氮化鎵 GaN器件 477 0

基于LMG3410R070 UCD3138A 和 UCD7138的HV GaN FET的24V/500W諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)

此參考設(shè)計(jì)是高頻諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。使用諧振頻率為 500 kHz 的諧振電路，輸出電壓調(diào)節(jié)至 24 V，輸入電壓范圍為 380 V 至 400 V。此...

2025-02-26 標(biāo)簽：輸出電壓 FET 諧振電路 520 0

用戶指南#LMG34XX-BB-EVM適用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系統(tǒng)級(jí)評(píng)估主板

LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分線板，可將任何 LMG341x 半橋板（如 LMG3410-HB-EVM）配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。通過提供...

2025-02-26 標(biāo)簽：邏輯電路熱管理偏置電源 493 0

PMP21842 采用 HV GaN FET 的 12V/500W諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)

此高頻諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)使用諧振頻率為 500kHz 的諧振電路，在 380V 至 400V 輸入電壓范圍內(nèi)調(diào)節(jié) 12V 輸出。使用我們的高壓 GaN ...

2025-02-25 標(biāo)簽：諧振轉(zhuǎn)換器偏置電源同步整流器 498 0

EVM用戶指南：LMG2650EVM-100 LMG2650半橋子卡評(píng)估模塊

LMG2650EVM-100 旨在提供一個(gè)快速簡便的平臺(tái)，用于評(píng)估任何半橋拓?fù)渲械?TI 集成 GaN 器件。該板設(shè)計(jì)為使用板底部邊緣的 6 個(gè)電源引腳...

2025-02-24 標(biāo)簽：電源拓?fù)?/a>引腳 747 0

LMG2640子卡評(píng)估模塊LMG2640EVM-090介紹

LMG2640 子卡評(píng)估模塊（EVM）旨在提供一個(gè)快速簡便的平臺(tái)，以評(píng)估任何半橋拓?fù)渲械?TI 集成 GaN 器件。該板設(shè)計(jì)為使用板底部邊緣的 6 ...

2025-02-21 標(biāo)簽：電源數(shù)字控制引腳 478 0

GaN可靠性測試新突破：廣電計(jì)量推出高壓性能評(píng)估方案

氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，憑借卓越的功率轉(zhuǎn)換效率、超快的開關(guān)速度以及出色的耐高溫性能，在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中...

2024-11-28 標(biāo)簽：SiC GaN 可靠性測試 867 0

淺析電源功率模組完整的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證流程

電動(dòng)汽車、新能源、光伏、風(fēng)電等領(lǐng)域廣泛使用高功率開關(guān)電源功率模組。IGBT和MOSFET是模組中常用器件。

2024-05-07 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 IGBT 電磁兼容性 1503 0

聚焦大功率氮化鎵（GaN）器件及其在實(shí)際應(yīng)用中所面臨的相關(guān)熱問題

熱設(shè)計(jì)是一個(gè)至關(guān)重要的課題，其中的各種規(guī)則、縮略語和復(fù)雜方程時(shí)常讓人感到它似乎是個(gè)深不可測的神秘領(lǐng)域；

2024-04-24 標(biāo)簽：集成電路 PCB板 QFN封裝 1895 0

氮化鎵技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀分析

GaN器件的功率密度是砷化鎵(GaAs) 器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬，更高的放大器增益和更高的效率,這是由于器件外圍更小。

2023-08-21 標(biāo)簽：放大器導(dǎo)通電阻氮化鎵 623 0

半導(dǎo)體，微電子，集成電路都是什么關(guān)系？

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)往往指以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)，這里可以包括半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)（屬于化學(xué)產(chǎn)業(yè)），利用半導(dǎo)體材料生產(chǎn)加工的產(chǎn)業(yè)，幫助半導(dǎo)體材料生產(chǎn)加工的...

2023-07-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)芯片 CMOS反相器 8010 0

從模塊電源技術(shù)發(fā)展角度看模塊電源的統(tǒng)型與選型

模塊電源（BMP）因其高效、安全、可靠、系統(tǒng)升級(jí)容易等特點(diǎn)，廣泛的應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化、繼電保護(hù)、配網(wǎng)自動(dòng)化、軌道交通、汽車電子、航空航天等高可靠性高性能的領(lǐng)域。

2023-06-19 標(biāo)簽：電磁兼容 BMP PCB工藝 1939 0

AIGC可編輯的圖像生成方案

ControlNet給出的實(shí)驗(yàn)結(jié)果實(shí)在是過于驚艷了，近期視覺領(lǐng)域最讓人興奮的工作。

2023-03-03 標(biāo)簽：Clip GaN器件 OpenAI 4304 0

硅基氮化鎵用途

當(dāng)前軍事與航天領(lǐng)域是氮化鎵技術(shù)最大的市場。最早就是在美國國防部的推動(dòng)下，開始了氮化鎵技術(shù)的研究，慢慢地就行成了現(xiàn)在GaN器件的市場。據(jù)統(tǒng)計(jì)，軍事和航天領(lǐng)...

2023-02-12 標(biāo)簽：雷達(dá)硅基氮化鎵技術(shù)GaN器件 702 0

全電飛機(jī)航空電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案解析

SOI獨(dú)特的“Si/絕緣層/Si”三層結(jié)構(gòu)，帶來了諸多優(yōu)勢：首先，“絕緣埋層”實(shí)現(xiàn)了器件功能有源部分和襯底的全介質(zhì)隔離，減小了寄生電容，開關(guān)頻率得以提高。

2023-01-10 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)SiC 碳化硅 3501 0

探索寬帶隙WBG半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)和應(yīng)用

不同種類的 GaN 可能具有不同的柵極驅(qū)動(dòng)要求，這可能是使用 GaN 組件進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)面臨的最大挑戰(zhàn)之一。

2022-11-10 標(biāo)簽：CGD dcdc轉(zhuǎn)換器 GaN器件 3222 0

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
醫(yī)療電源

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共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”
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