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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT認(rèn)識(shí):電力系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)死區(qū)的原理、意義和計(jì)算
死區(qū)時(shí)間,也**稱為互鎖延時(shí)時(shí)間(互鎖:即互相掣肘,對(duì)開(kāi)關(guān)管來(lái)說(shuō)就是Q1開(kāi)通時(shí)候,Q2通過(guò)結(jié)合Q1控制邏輯必須關(guān)閉)
2023-11-21 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT脈沖變壓器 5176 0
什么是“三電系統(tǒng)”和“電驅(qū)系統(tǒng)”? IGBT模塊結(jié)構(gòu)和汽車IGBT模塊應(yīng)用
在駕駛新能源汽車時(shí),電機(jī)控制器把動(dòng)力電池放出的直流電(DC)變?yōu)榻涣麟姡ˋC)(這個(gè)過(guò)程即逆變),讓驅(qū)動(dòng)電機(jī)工作,電機(jī)將電能轉(zhuǎn)換成機(jī)械能,再通過(guò)傳動(dòng)系統(tǒng)...
汽車IGBT模塊功率循環(huán)試驗(yàn)設(shè)計(jì)
服役狀態(tài)下的 IGBT 模塊處于亞穩(wěn)定狀態(tài),其材料和結(jié)構(gòu)會(huì)隨著時(shí)間的推移發(fā)生狀態(tài)改變或退化。IGBT 模塊在整個(gè)壽命周期內(nèi),會(huì)經(jīng)歷數(shù)萬(wàn)至數(shù)百萬(wàn)次的溫度循...
淺談第三代半導(dǎo)體的氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)
新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng),是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前,隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料...
詳解IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/特性/工作原理
IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱,是一種三端半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件,可用于多種電子設(shè)備中的高效快速開(kāi)關(guān)。 IGBT 主要用于放大器,用于通過(guò)脈沖寬度調(diào)制 (...
場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型,分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)。
2023-11-16 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 9399 0
變頻技術(shù)的發(fā)展過(guò)程簡(jiǎn)述
矢量控制變頻調(diào)速的做法是:將異步電動(dòng)機(jī)在三相坐標(biāo)系下的定子交流電流Ia、Ib、Ic、通過(guò)三相—二相變換,等效成兩相靜止坐標(biāo)系下的交流電流Ia1Ib1,再...
永磁同步電機(jī)是我國(guó)新能源汽車動(dòng)力裝置的核心驅(qū)動(dòng)裝置,大家都知道在低速的時(shí)候永磁同步電機(jī)采用最大扭矩電流比控制,也就是給定一個(gè)扭矩,利用最小的合成電流來(lái)實(shí)...
2023-11-15 標(biāo)簽:永磁同步電機(jī)電機(jī)IGBT 1305 0
什么是反激電源?反激電源設(shè)計(jì)步驟和注意事項(xiàng)
反激電源是一種電力轉(zhuǎn)換電路,能夠?qū)⒅绷麟妷恨D(zhuǎn)換成所需的交流電壓并為負(fù)載供電。反激電源的基本原理是通過(guò)控制開(kāi)關(guān)器件(MOSFET、IGBT等)導(dǎo)通和截止時(shí)...
2023-11-14 標(biāo)簽:MOSFETIGBT轉(zhuǎn)換電路 1.2萬(wàn) 0
功率器件終端區(qū)設(shè)計(jì)的必要性、工作原理及注意事項(xiàng)
MOSFET、IGBT、二極管等功率器件中起通流和開(kāi)關(guān)作用的均是功率器件的有源區(qū),那為什么還要在周圍設(shè)計(jì)一圈終端區(qū)浪費(fèi)芯片的一部分面積呢
車規(guī)級(jí)IGBT有多重要?海外巨頭占據(jù)主要市場(chǎng) 國(guó)產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)
當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開(kāi)發(fā)了很多
逆變器技術(shù)對(duì)新能源汽車市場(chǎng)增長(zhǎng)的重要性
在電動(dòng)汽車的電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,逆變器起著至關(guān)重要的作用 。它接收來(lái)自電池的直流電壓作為輸 入,然后將其反轉(zhuǎn)為交流輸出,從而驅(qū)動(dòng)牽引電機(jī)為車輛提供動(dòng)力 。
2023-11-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車新能源汽車充電器 1784 0
波老師那個(gè)年代上大學(xué)都是自己攢機(jī)裝電腦,買CPU先問(wèn)主頻多少Hz?后來(lái)買手機(jī)也是,先看幾個(gè)核,再看主頻...所以估計(jì)大家都也差不多,都烙下病根兒了。 可...
對(duì)比不同IGBT的參數(shù)及性能; 獲取IGBT開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的參數(shù); 評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適; 開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程是否有不合適的震蕩;
為什么要進(jìn)行IGBT壽命估算?IGBT壽命估算工具能做什么?
器件的壽命是對(duì)于不同場(chǎng)景使用而言的,不同環(huán)境下每個(gè)器件的壽命有所差別。影響器件使用時(shí)間的首先是器件本身的性能,其次是它的工作環(huán)境。
IGBT應(yīng)用于“T”字型三電平逆變器的工作原理詳解
T型三電平拓?fù)涞拈_(kāi)關(guān)狀態(tài):圖1為T字型-三電平電路單相拓?fù)?,拓?fù)渲泄灿?個(gè)IGBT,4個(gè)二極管,還有電容組C1和C2; 假設(shè)正負(fù)母線電壓均等,都是Vdc。
聊一下IGBT驅(qū)動(dòng)中的參考電位問(wèn)題
大家好,今天聊一下IGBT驅(qū)動(dòng)中的**參考電位**問(wèn)題。我們都知道IGBT的驅(qū)動(dòng)參考電平都是基于 **器件自身的發(fā)射極** ,當(dāng)柵極相對(duì)于發(fā)射極電位 *...
功率半導(dǎo)體在三電平NPC和TNPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的控制和保護(hù)
三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)具有高效率和低諧波失真的特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用在UPS和太陽(yáng)能等領(lǐng)域。最常見(jiàn)的三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有NPC和TNPC,如圖1所示。
2023-11-09 標(biāo)簽:變頻器IGBT功率半導(dǎo)體 1.3萬(wàn) 0
如何實(shí)現(xiàn)純電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)三相線濾波磁環(huán)的設(shè)計(jì)?
電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的主要干擾源是功率開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作,目前車用硅基 IGBT 的工作頻率一般為10kH,同時(shí)由于電路中雜散電感等寄生參數(shù)的存在
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