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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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“T”型NPC的效率怎么會(huì)比“I”型NPC的效率高呢?
網(wǎng)上查找三電平相關(guān)的資料,特別是兩種三電平結(jié)構(gòu)的差異,經(jīng)常能看到這樣的一個(gè)結(jié)論。那就是,當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率小于16kHz的時(shí)候,“T”型NPC的效率比“I”型N...
IGBT廣泛應(yīng)用于“I”字型三電平環(huán)流場(chǎng)景的詳解
三電平簡(jiǎn)介:NPC(Neutral Point Clamped)三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是一種應(yīng)用最為廣泛的多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
場(chǎng)溝槽柵截止型IGBT FHA25T120A的特點(diǎn)
IGBT作為最有性價(jià)比的開(kāi)關(guān)器件,通??梢栽赨PS作為PFC來(lái)使用,讓電路的開(kāi)關(guān)效率更佳,從而提升產(chǎn)品的質(zhì)量!因此如何選用一款參數(shù)適合、質(zhì)量?jī)?yōu)良的IGB...
2023-11-07 標(biāo)簽:UPSIGBT開(kāi)關(guān)器件 1321 0
中國(guó)已是IGBT全球最大的市場(chǎng),其需求的增長(zhǎng)主要是新能源的增長(zhǎng)帶來(lái)的,其中新能源汽車(chē)、光伏等需求更是核心的增長(zhǎng)。由于需求的增長(zhǎng),IGBT單管常常是處于供...
2023-11-07 標(biāo)簽:MOS管IGBT太陽(yáng)能逆變器 1523 0
控制電機(jī)按照設(shè)定的方向、速度、角度、響應(yīng)時(shí)間進(jìn)行工作的集成電路裝置。在電動(dòng)車(chē)輛中,電機(jī)控制器的功能是根據(jù)檔位、油門(mén)、剎車(chē)等指令,將動(dòng)力電池所存儲(chǔ)的電能轉(zhuǎn)...
在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢(shì)。
2023-11-07 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器逆變器IGBT 1954 0
針對(duì)現(xiàn)階段制約電力電子技術(shù)發(fā)展的散熱問(wèn)題,以溫度對(duì)電力電子器件的影響、電力電子設(shè)備熱設(shè)計(jì)特點(diǎn)、常見(jiàn)散熱技術(shù)、散熱系統(tǒng)優(yōu)化研究和新材料在電力電子散熱研究中...
電機(jī)控制器由于原來(lái)通過(guò)逆變橋調(diào)制輸出正弦波來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī)的設(shè)備,變成了多種功能的集合體。集成式電機(jī)控制器包括:①配電回路:為集成控制器各部分提供配電,如TM...
什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/優(yōu)缺點(diǎn)
在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見(jiàn)的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。
在工業(yè)生產(chǎn)過(guò)程中,變頻器是一種常見(jiàn)的電力設(shè)備,其穩(wěn)定性和可靠性對(duì)生產(chǎn)過(guò)程至關(guān)重要。然而,在實(shí)際使用過(guò)程中,我們可能會(huì)遇到變頻器的IGBT頻繁損壞的問(wèn)題。...
2023-11-05 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源變頻器電力設(shè)備 3121 0
米勒平臺(tái)的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān),當(dāng)GE之間電壓大于閾值點(diǎn)的時(shí)候,管子的CE電壓開(kāi)始下降,但是下降的速度十分緩慢
2023-11-03 標(biāo)簽:MOS管IGBT驅(qū)動(dòng)電流 1.0萬(wàn) 0
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)與應(yīng)用
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
2023-11-03 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源整流器 1440 0
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
如何減小變頻器運(yùn)行對(duì)電機(jī)繞組絕緣的影響?
在接下來(lái)的推文中將給大家介紹由變頻器,連接電纜及電機(jī)構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中如何減小變頻器運(yùn)行對(duì)電機(jī)繞組絕緣的影響,提高系統(tǒng)運(yùn)行可靠性的相關(guān)措施。
直流充電樁基本構(gòu)成包括:功率單元、控制單元、計(jì)量單元、充電接口、供電接口及人機(jī)交互界面等。功率單元是指直流充電模塊,控制單元是指充電樁控制器。
2023-11-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)IGBTMOS 3805 0
什么是IGBT?IGBT模塊封裝的痛點(diǎn)與難點(diǎn)
IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件,已廣泛應(yīng)用于多個(gè)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞,制造商在IGBT模塊焊接裝配過(guò)程...
碳化硅和IGBT器件的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢(shì)
本文探討了碳化硅和IGBT器件在未來(lái)的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢(shì),以及如何通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新和優(yōu)化來(lái)滿足不同應(yīng)用的需求。其中,英飛凌作為國(guó)際品牌的代表,其第四代產(chǎn)品已...
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