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mos管

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

深入解析MOS管的判別與導(dǎo)通條件

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使用二級(jí)管,導(dǎo)通時(shí)會(huì)有壓降,會(huì)損失一些電壓。而使用MOS管做隔離,在正向?qū)〞r(shí),在控制極加合適的電壓,可以讓MOS管飽和導(dǎo)通,這樣通過(guò)電流時(shí)幾乎不產(chǎn)生壓降。

2024-04-08 標(biāo)簽:二極管MOS管適配器 2482 0

探索MOS管H橋電路與電機(jī)專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)方案

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電機(jī),按照電流的屬性,可分為交流電機(jī)與直流電機(jī)兩大類(lèi)。以直流電機(jī)為例,闡述說(shuō)明如何在電路方案中控制電機(jī)。

2024-04-06 標(biāo)簽:MOS管電機(jī)驅(qū)動(dòng)直流無(wú)刷電機(jī) 3299 0

如何給電路選擇最合適的MOS產(chǎn)品?選擇MOS管時(shí)需考慮的關(guān)鍵要素

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MOS作為一種非常常見(jiàn)的分立器件,它具有開(kāi)關(guān)、放大、調(diào)壓等作用。MOSFET是電壓控制的管子,通常,MOS管損耗比三極管小,導(dǎo)通后壓降理論上為0。

2024-04-02 標(biāo)簽:MOS管導(dǎo)通電阻車(chē)載逆變器 2297 0

驅(qū)動(dòng)電路輸出模式的推挽與開(kāi)漏輸出

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推挽輸出(Push-Pull Output),故名思意能輸出兩種電平,一種是推(拉電流,輸出高電平),一種是挽(灌電流,輸出低電平)。推挽輸出可以使用一...

2024-04-06 標(biāo)簽:模擬電路上拉電阻場(chǎng)效應(yīng)管 4284 0

非隔離驅(qū)動(dòng)芯片IR21814S的電路設(shè)計(jì)詳解

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DCPWMB輸入高電平,推挽輸出DCDRVB高電平驅(qū)動(dòng)Q121導(dǎo)通,DCPWMA為低電平,推挽輸出DCDRVA低電平截止上管Q120。自舉電容C308通...

2024-04-05 標(biāo)簽:三極管電路設(shè)計(jì)MOS管 1717 0

光伏儲(chǔ)能電池管理系統(tǒng)BMS充放電回路設(shè)計(jì)圖

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完整的電化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng)主要由電池組、電池管理系統(tǒng)(BMS)、能量管理系統(tǒng)(EMS)、儲(chǔ)能變流器(PCS)以及其他電氣設(shè)備構(gòu)成。BMS(Battery Ma...

2024-04-05 標(biāo)簽:過(guò)壓保護(hù)MOS管bms 3120 0

探索天氣影響下的三極管異?,F(xiàn)象

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當(dāng)單板啟動(dòng)時(shí),SLP_S3會(huì)輸出3V3電平,此時(shí)Q14的ib=(3.3-0.7)/2K=1.3mA;按三極管處于放大區(qū)時(shí)hFE=100計(jì)算,ic=100...

2024-03-27 標(biāo)簽:三極管上拉電阻MOS管 753 0

如何處理MOS管小電流發(fā)熱嚴(yán)重情況?

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穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟,擊穿過(guò)程中,電流有逐步增大的特征,這是因?yàn)楹谋M層擴(kuò)展較寬,產(chǎn)生電流較大。另一方面,耗盡層展寬大容易發(fā)生DIBL效應(yīng),使源襯底結(jié)正偏出...

2024-03-27 標(biāo)簽:二極管電流MOSFET 2148 0

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說(shuō)起自舉電路估計(jì)離不開(kāi)mos管,先來(lái)了解一下MOS管,MOS有N溝道和P溝道之分。對(duì)于N溝道的MOS管,導(dǎo)通時(shí)需要Ugs>Ugs(th),P溝道則...

2024-03-27 標(biāo)簽:電容器二極管MOS管 2836 0

常見(jiàn)的電壓電流轉(zhuǎn)換電路仿真分析

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電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換,是將輸入的電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成滿足一定關(guān)系的電流信號(hào),轉(zhuǎn)換后的電流相當(dāng)一個(gè)輸出可調(diào)的恒流源,其輸出電流應(yīng)能夠保持穩(wěn)定而不會(huì)隨負(fù)載的...

2024-03-27 標(biāo)簽:傳感器MOS管電流信號(hào) 1536 0

MOS管散熱片設(shè)計(jì)如何影響EMC表現(xiàn)

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騷擾通過(guò)MOS管與散熱片寄生電容、LISN、以及L、N線返回到源。如果MOS管接地的話,在騷擾電壓一定的情況下,阻抗很低,騷擾電流很大,導(dǎo)致CE測(cè)試失效。

2024-03-25 標(biāo)簽:MOS管散熱片emc 1743 0

淺析MOS管發(fā)熱的五大關(guān)鍵技術(shù)

做電源設(shè)計(jì),或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路,難免要用到場(chǎng)效應(yīng)管,也就是人們常說(shuō)的MOS管。

2024-03-19 標(biāo)簽:變壓器MOS管低通濾波器 2.3萬(wàn) 0

MOS管驅(qū)動(dòng)電路的4種類(lèi)型

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MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開(kāi)關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。

2024-03-19 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1855 0

如何看懂MOS管的每一個(gè)參數(shù)

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那么結(jié)溫和熱阻有什么用呢?--半導(dǎo)體器件主要通過(guò)熱傳遞的方式對(duì)元件本身進(jìn)行散熱,當(dāng)芯片溫度升高,超過(guò)結(jié)溫后會(huì)導(dǎo)致元件損壞。

2024-03-18 標(biāo)簽:MOS管導(dǎo)通電阻晶體管 4846 0

MOS管的安全工作區(qū)SOA詳解—如何判斷一個(gè)MOS管是否工作在SOA區(qū)?

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測(cè)量MOS管的電壓和電流波形,判斷電壓和電流是否超標(biāo)

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MOS管的導(dǎo)通條件 MOS管的導(dǎo)通過(guò)程

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MOS管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來(lái)控制,對(duì)于增強(qiáng)型MOS管來(lái)說(shuō),N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通,P溝道的管子則加反向電壓。

2024-03-14 標(biāo)簽:MOSFETMOS管數(shù)字電路 8655 0

電平轉(zhuǎn)換的電路,該怎么做呢?

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單片機(jī)的電源是5V,相應(yīng)地,它的IO引腳輸入輸出電壓也是5V。但若空氣凈化器用到的PM2.5傳感器,它的工作電源是3.3V,傳感器輸出的IIC信號(hào)同樣也...

2024-03-14 標(biāo)簽:傳感器單片機(jī)MOS管 2201 0

MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別

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IGBT是通過(guò)在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合,MOSFE...

2024-03-13 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管導(dǎo)通電阻 981 0

dcdc開(kāi)關(guān)頻率高低有什么影響 dc/dc電源同步和異步區(qū)別

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高開(kāi)關(guān)頻率通??梢蕴岣逥C-DC轉(zhuǎn)換器的效率。這是因?yàn)楦哳l率開(kāi)關(guān)可以減小開(kāi)關(guān)器件的尺寸,降低開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損耗,從而提高整體轉(zhuǎn)換效率。

2024-03-11 標(biāo)簽:MOS管DC-DC續(xù)流二極管 4356 0

一款天文應(yīng)用的640×512 HgCdTe焦平面讀出電路設(shè)計(jì)

紅外載荷中的核心部件是紅外焦平面探測(cè)器。由于天文觀測(cè)具有背景輻射極低、光子通量極低的特點(diǎn)

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