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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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那么此時副邊到底是那個二極管導(dǎo)通呢，我相信剛開始接觸LLC的朋友估計會有點糾結(jié)，我自己是這樣判斷的，（假如Q1導(dǎo)通，Q2截止，那么此時勵磁電感肯定是上正...
關(guān)于電源適配器，在我們生活中各種電器都有著應(yīng)用，這是一個能為電子電器以及隨身電子設(shè)備提供電壓變換的設(shè)施，它能做到將家中的220伏的高電壓轉(zhuǎn)換成一般電子產(chǎn)...
工程師在設(shè)計一款產(chǎn)品時用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高，經(jīng)重新計算后，換成5A的MOS管，問題就解決。為什么用電流裕量更小了，卻能提高可靠性...
2018-11-07 標(biāo)簽：芯片場效應(yīng)管MOS管 7327 0
MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制構(gòu)成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但理論應(yīng)用的只需增強型的N溝道MOS管和增強型的...
近年來，隨著亞微米技術(shù)的發(fā)展，單片機的電源呈下降趨勢。低電源電壓有助于降低功耗。VDD為3.3V的CMOS器件已大量使用。在便攜式應(yīng)用中，VDD為2.7...
本文詳細(xì)介紹了MOS管的電路模型、開關(guān)過程、輸入輸出電容、等效電容、電荷存儲等對MOS管驅(qū)動波形的影響，及根據(jù)這些參數(shù)對驅(qū)動波形的影響進行的驅(qū)動波形的優(yōu)...
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。
G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。N溝道的電源一般接在D，輸出S，P溝道的電源一般接在S，輸出D。增強耗盡接法基本一樣。
MOS管是屬于絕緣柵場效應(yīng)管，柵極是無直流通路，輸入阻抗極高，極易引起靜電荷聚集，產(chǎn)生較高的電壓將柵極和源極之間的絕緣層擊穿。
防護設(shè)計中無源防護器件在電源端口的應(yīng)用
今天來認(rèn)識幾種重要的無源防護器件，主要針對這些器件在電源端口的防護設(shè)計中的應(yīng)用。
關(guān)于MOS管一直是工程師熱衷討論的話題之一，于是我們整理了常見及不常見的MOS管的相關(guān)知識，希望對各位工程師有所幫助。下面讓我們一起來聊聊MOS管這個非...
2018-09-29 標(biāo)簽：萬用表場效應(yīng)管mos管 2.7萬 0
由MOS管構(gòu)成的開關(guān)電流電路延遲線的設(shè)計方法
開關(guān)電流技術(shù)是近年來提出的一種新的模擬信號采樣、保持、處理技術(shù)。與已成熟的開關(guān)電容技術(shù)相比，開關(guān)電流技術(shù)不需要線性電容和高性能運算放大器，整個電路均由M...
2018-09-29 標(biāo)簽：存儲mos管開關(guān)電流 1.3萬 0
LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會導(dǎo)致燒壞，關(guān)于這個問題，也見到過有人在行業(yè)論壇發(fā)過貼討論過。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的...
項目中最常用的為增強型mos管，分為N溝道和P溝道兩種。由于NMOS其導(dǎo)通電阻小，且容易制造所以項目中大部分
一種新型串聯(lián)電感并聯(lián)調(diào)諧DE-1類功率放大器
本文將D類功率放大器與E-1類功率放大器結(jié)合，提出一種新型串聯(lián)電感并聯(lián)調(diào)諧DE-1類功率放大器。首先利用ZCS和ZCSS條件[10]對該功率放大器的工作...
2018-09-07 標(biāo)簽：功率放大器MOS管串聯(lián)電感 5221 0
MOS管（場效應(yīng)管）的導(dǎo)通壓降下，導(dǎo)通電阻小，柵極驅(qū)動不需要電流，損耗小，驅(qū)動電路簡單，自帶保護二極管，熱阻特性好，適合大功率并聯(lián)，缺點開關(guān)速度不高，比較昂貴。
IC出來的波形正常，到C1兩端的波形就有振蕩了，實際上這個振蕩就是R1,L1和C1三個元器件的串聯(lián)振蕩引起的，R1為驅(qū)動電阻，是我們外加的，L1是PCB...
本文主要介紹了場效應(yīng)管開關(guān)電路原理，另外還介紹了相關(guān)場效應(yīng)管開關(guān)電路圖及其應(yīng)用。
2018-08-16 標(biāo)簽：開關(guān)電路場效應(yīng)管MOS管 6.7萬 0
本文首先闡述了N溝MOS晶體管的概念，其次介紹了N溝道增強型MOS管的結(jié)構(gòu)及特性曲線，最后介紹了N溝道增強型MOS管的工作原理。
MOS管的構(gòu)造及MOS管種類和結(jié)構(gòu)
實際在MOS管生產(chǎn)的過程中襯底在出廠前就和源極連接，所以在符號的規(guī)則中，表示襯底的箭頭也必須和源極相連接，以區(qū)別漏極和源極。圖1-4-（c）是P溝道MO...
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