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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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飛虹半導(dǎo)體MOS管在低壓工頻逆變器中的應(yīng)用
在低壓工頻逆變器設(shè)計(jì)中,MOS管的選型直接影響系統(tǒng)效率與可靠性。面對(duì)IRFB7537PBF、HY3906P、CS160N06等進(jìn)口型號(hào)的供應(yīng)鏈波動(dòng),國(guó)產(chǎn)...
2025-02-24 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管逆變器 531 0
飛虹MOS管FHP4310V的特點(diǎn)參數(shù)
2025年關(guān)稅大戰(zhàn)引發(fā)國(guó)際貿(mào)易動(dòng)蕩,對(duì)于企業(yè)廠家最需要做的就是強(qiáng)化自身產(chǎn)品優(yōu)勢(shì),強(qiáng)化供應(yīng)鏈優(yōu)勢(shì)才能存活于市場(chǎng)之中。飛虹半導(dǎo)體結(jié)合市場(chǎng)需求,重磅推出抗沖擊...
起初,小明拋出問(wèn)題后,群里討論的很熱鬧,眾說(shuō)紛紜。有說(shuō)一兩百的,有說(shuō)幾百的,也有說(shuō)510+Rdson,當(dāng)然也有質(zhì)疑通電不應(yīng)該測(cè)電阻的…
簡(jiǎn)單講解一下三極管,如果三極管工作在飽和區(qū)(完全導(dǎo)通),Rce≈0,Vce≈0.3V,且這個(gè)0.3V,我們就認(rèn)為它直接接地了。 那么就需要讓Ib大于等于...
據(jù)數(shù)據(jù)研究可知,2023年高功率車載逆變器市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)為25.4億美元,預(yù)計(jì)到2032年將增長(zhǎng)至55億美元,2025-2032年的復(fù)合年增長(zhǎng)率約為8.9...
2025-03-11 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管高頻逆變器 513 0
硬件工程師的很多項(xiàng)目是在洞洞板上完成的,但有存在不小心將電源正負(fù)極接反的現(xiàn)象,導(dǎo)致很多電子元器件都燒毀,甚至整塊板子都廢掉,還得再焊接一塊,不知道有什么...
本文通過(guò)分析器件制造中的影響因素,提出了版圖設(shè)計(jì)技術(shù)與匹配原則及其應(yīng)用。
2025-04-01 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管版圖設(shè)計(jì) 494 0
一個(gè)傳導(dǎo)、輻射處理案例-Layout環(huán)路
這是一款輸入寬電壓120-277V 60HZ,輸出48V,273mA的電源,使用美芯晟MT7933,采用Buck拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
飛虹MOS管在工頻離網(wǎng)逆變器中的應(yīng)用
出口外貿(mào)是國(guó)內(nèi)工廠企業(yè)2025年的一個(gè)熱門話題,對(duì)于專門從事太陽(yáng)能工頻離網(wǎng)逆變器的廠家更是爆火。因?yàn)殡S著全球?qū)η鍧嵞茉吹男枨笤黾?,離網(wǎng)逆變器市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)...
2025-03-11 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管逆變器 482 0
音響功放、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器在設(shè)計(jì)電路時(shí)卡在怎么選型的問(wèn)題?想用JCS60N10、IRF3710這兩款型號(hào),但又擔(dān)心成本與供應(yīng)鏈的問(wèn)題?
2025-03-31 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器MOS管步進(jìn)電機(jī) 474 0
飛虹半導(dǎo)體MOS管在高頻逆變器中的應(yīng)用
特朗普上任后,全球局勢(shì)將進(jìn)一步不明朗。如何確保自身產(chǎn)品鏈的穩(wěn)定性?今天針對(duì)高頻逆變器選擇國(guó)產(chǎn)MOS管:FHP230N06V的實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景與優(yōu)勢(shì)進(jìn)行專業(yè)解析。
推挽電路是解決驅(qū)動(dòng)多個(gè)MOS管挑戰(zhàn)的關(guān)鍵技術(shù)。通過(guò)互補(bǔ)驅(qū)動(dòng),推挽電路可快速充電和放電,提高開(kāi)關(guān)速度。在5V邏輯信號(hào)驅(qū)動(dòng)15V MOS管的場(chǎng)景中,推挽電路...
2025-06-18 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)推挽電路 455 0
防反接電路的設(shè)計(jì):使用二極管、整流橋、MOS管等防反接
防反接電路是一種用于防止電源極性接反導(dǎo)致設(shè)備損壞的保護(hù)電路,常見(jiàn)類型有二極管防反接、整流橋防反接、MOS管防反接及保險(xiǎn)絲+穩(wěn)壓管防反接電路等。1二極管防...
Source、Drain、Gate分別對(duì)應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管的三極:源極S、漏極D、柵極G(這里不講柵極GOX擊穿,只針對(duì)漏極電壓擊穿)。01MOSFET的擊穿有...
MOS管在電源控制中的應(yīng)用:正負(fù)極驅(qū)動(dòng)原理與設(shè)計(jì)要點(diǎn)
MOS管因其高效、可靠的開(kāi)關(guān)特性,廣泛應(yīng)用于電子電路設(shè)計(jì)中。N-MOS和P-MOS的導(dǎo)電載流子類型和電壓極性需求不同,控制負(fù)極和正極需分別采用N-MOS...
mos管用作開(kāi)關(guān)時(shí)的連接方法
本文解析了MOS管作為開(kāi)關(guān)的正確連接方法,包括其基本原理和連接技巧。通過(guò)比較NMOS和PMOS的接法差異,工程師發(fā)現(xiàn)負(fù)載位置的關(guān)鍵性選擇對(duì)導(dǎo)通可靠性至關(guān)...
破解MOS管高頻振蕩困局:從米勒平臺(tái)抑制到低柵漏電容器件選型
MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)的本質(zhì)在柵極(G)電壓對(duì)漏極(D)與源極(S)間導(dǎo)電溝道的精準(zhǔn)控制,作為開(kāi)關(guān)器件成為電子應(yīng)用的核心。原理是當(dāng)柵源電壓(Vgs)超過(guò)閾...
2025-06-18 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管開(kāi)關(guān)器件 269 0
本文主要探討了MOS管驅(qū)動(dòng)電路的幾種常見(jiàn)方案,包括電源IC直接驅(qū)動(dòng)、推挽電路協(xié)同加速、隔離型驅(qū)動(dòng)等。電源IC直接驅(qū)動(dòng)的簡(jiǎn)約哲學(xué)適合小容量MOS管,但需要...
2025-06-19 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng) 267 0
本文主要介紹了MOS管的靜電防護(hù)問(wèn)題。通過(guò)從源頭隔絕靜電入侵、加裝電壓保險(xiǎn)絲和優(yōu)化PCB布局等方式,可以有效防止靜電擊穿。防護(hù)電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵策略包括:從...
多管并聯(lián)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,驅(qū)動(dòng)電阻配置對(duì)系統(tǒng)運(yùn)行效率和可靠性至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)電阻的大小決定了開(kāi)關(guān)速度、功率損耗和電磁干擾等核心性能的平衡關(guān)系。采用單一...
2025-06-20 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電阻 196 0
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