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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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淺談辰達(dá)MOSFET在USB PD快充電源中的應(yīng)用挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)
在USBPD快充電源設(shè)計(jì)中,MOSFET作為功率控制與轉(zhuǎn)換的核心器件,發(fā)揮著關(guān)鍵作用。隨著充電功率向65W、100W甚至更高邁進(jìn),對(duì)MOSFET的性能提...
MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比:中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡
在功率電子系統(tǒng)中,MOSFET和IGBT是兩種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn),適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE,幫助客戶理解這...
并聯(lián)MOSFET設(shè)計(jì)指南:均流、寄生參數(shù)與熱平衡
在現(xiàn)代高效電源設(shè)計(jì)中,MOSFET并聯(lián)技術(shù)廣泛應(yīng)用于要求大電流承載能力的電路中,如電動(dòng)汽車、電源供應(yīng)、功率放大器等。通過(guò)并聯(lián)多個(gè)MOSFET,可以大幅提...
同步整流MOSFET的設(shè)計(jì)要點(diǎn)與效率提升技巧
在現(xiàn)代高效率電源系統(tǒng)中,同步整流技術(shù)已成為主流選擇,尤其是在DC-DC變換器、USB快充適配器、服務(wù)器電源和車載電源等場(chǎng)景中。同步整流相比傳統(tǒng)的肖特基二...
辰達(dá)MOSFET在DC-DC變換器中的關(guān)鍵作用與優(yōu)化策略
一、MOSFET在DC-DC變換器中的關(guān)鍵作用開(kāi)關(guān)功能DC-DC變換器的核心工作原理是通過(guò)高頻開(kāi)關(guān)操作將輸入直流電壓轉(zhuǎn)換為所需的輸出直流電壓。MOSFE...
從開(kāi)關(guān)速度看MOSFET在高頻應(yīng)用中的性能表現(xiàn)
一、MOSFET開(kāi)關(guān)速度的定義與影響因素開(kāi)關(guān)速度是MOSFET在導(dǎo)通(開(kāi))和關(guān)斷(關(guān))狀態(tài)之間的切換速度,通常以上升時(shí)間(tr)、下降時(shí)間(tf)和開(kāi)關(guān)...
2025-07-01 標(biāo)簽:MOSFETMOS開(kāi)關(guān)速度 140 0
源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu)(Source/Drain Extension,SDE)在控制 MOS 器件的短溝道效應(yīng)中起到重要作用。SDE(源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu))引入了一個(gè)淺的...
為了有效抑制短溝道效應(yīng),提高柵控能力,隨著MOS結(jié)構(gòu)的尺寸不斷降低,就需要相對(duì)應(yīng)的提高柵電極電容。提高電容的一個(gè)辦法是通過(guò)降低柵氧化層的厚度來(lái)達(dá)到這一目...
隨著科技不斷進(jìn)步,越來(lái)越多電子產(chǎn)品的電池大部分是鋰電池,鋰電池具有壽命長(zhǎng),能量密度高,體重小,體積小等優(yōu)點(diǎn)受到人們青睞,鋰電池主要組成部分為電芯+BMS...
LM5110系列 具有 4V UVLO、專用輸入接地和關(guān)斷輸入的 5A/3A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5110 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器以改進(jìn)的峰值取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器 輸出電流和效率。每個(gè)“復(fù)合”輸出驅(qū)動(dòng)器級(jí)包括 MOS 和雙極 并聯(lián)工作的晶體管,共同...
LM5112-Q1系列 具有 4V UVLO 和專用輸入接地的汽車類 7A/3A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5112 器件 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器采用微型 6 引腳 WSON 封裝(相當(dāng)于 SOT-23 封裝)或 8 引腳裸露焊盤(pán) MSOP 封裝,可提供...
SM72482 雙 5A 復(fù)合柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
SM72482 Dual Gate Driver 以改進(jìn)的峰值取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的柵極驅(qū)動(dòng)器 輸出電流和效率。每個(gè)“復(fù)合”輸出驅(qū)動(dòng)器級(jí)包括 MOS 和雙極 ...
SM74101 3-A/7-A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,帶輸入接地?cái)?shù)據(jù)手冊(cè)
SM74101 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器在微型 WSON-6 中提供高峰值柵極驅(qū)動(dòng)電流 封裝(相當(dāng)于 SOT23 的封裝),具有更高的高頻所需的功率耗散...
無(wú)刷驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)——淺談MOS驅(qū)動(dòng)電路
前言上周末,在調(diào)試無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)的時(shí)候總是莫名其妙的炸管,心態(tài)都搞沒(méi)了,實(shí)在沒(méi)辦法了只好在CSDN和B站大學(xué)重新學(xué)習(xí)了相關(guān)理論知識(shí),以下是筆者學(xué)習(xí)筆記,僅...
2025-05-19 標(biāo)簽:MOS驅(qū)動(dòng)電路無(wú)刷電機(jī) 653 0
由于芯片結(jié)構(gòu)的改變,超結(jié)MOS的結(jié)電容比傳統(tǒng)MOS有很大的降低,超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻,在相同的芯片面積下,超結(jié)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一...
靜音省電新標(biāo)桿!仁懋MOS如何讓家用風(fēng)扇能效飆升?
在智能家居普及的今天,消費(fèi)者對(duì)家用風(fēng)扇的要求早已超越基礎(chǔ)送風(fēng)功能,面臨的問(wèn)題如下能效焦慮:傳統(tǒng)MOS導(dǎo)通損耗高,三級(jí)能效產(chǎn)品年耗電超50度,電費(fèi)成本激增...
LM5026系列 具有 P 或 N 通道箝位FET和CS重啟定時(shí)器的100V有源箝位電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5026 PWM 控制器包含實(shí)現(xiàn)電源所需的所有 特性 轉(zhuǎn)換器采用具有電流模式控制的有源箝位和復(fù)位技術(shù)。使用 與有源鉗位技術(shù)相比,可以實(shí)現(xiàn)更高的效率和...
2025-04-03 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOS電流模式 412 0
仁懋MOS產(chǎn)品在電動(dòng)叉車上的應(yīng)用
隨著電動(dòng)叉車向高效化、輕量化、長(zhǎng)續(xù)航方向發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件的選擇對(duì)系統(tǒng)性能影響顯著。仁懋TOLL封裝的MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻(RDS(on))、...
2025-04-02 標(biāo)簽:MOS電動(dòng)叉車仁懋電子 299 0
電氣符號(hào)傻傻分不清?一個(gè)N-MOS管和P-MOS管驅(qū)動(dòng)應(yīng)用實(shí)例
MOS管在電路設(shè)計(jì)中是比較常見(jiàn)的,按照驅(qū)動(dòng)方式來(lái)分的話,有兩種,即:N-MOS管和P-MOS管。MOS管跟三極管的驅(qū)動(dòng)方式有點(diǎn)類似,但又不完全相同,那么...
2025-03-14 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS電氣符號(hào) 2294 0
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