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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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今天給大家講一下關(guān)于MOS管燒毀的原因,文字比較多點(diǎn),不容易讀,希望大家可以認(rèn)真看完。 MOS 管可能會(huì)遭受與其他功率器件相同的故障,例如過(guò)電壓(半導(dǎo)體...
便攜式設(shè)備的開(kāi)關(guān)機(jī)電源電路設(shè)計(jì)
便攜式設(shè)備最大的特點(diǎn)是攜帶方便、可以在任何時(shí)間、任何場(chǎng)合進(jìn)行使用,可以脫離電源線供電,使用電池,且大多產(chǎn)品支持電池的自行更換,這個(gè)電量問(wèn)題經(jīng)常也是用戶...
2023-04-24 標(biāo)簽:原理圖電路設(shè)計(jì)便攜式設(shè)備 3711 0
NMOS場(chǎng)效應(yīng)管/PMOS場(chǎng)效應(yīng)管防反保護(hù)解析
NMOS場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間,電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置,VR1用于限制VGS間電壓,防止被擊穿。正接時(shí)候,R1、R...
2023-04-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管NMOS控制電路 2556 0
PCB案例分享,分享幾個(gè)以前畫(huà)過(guò)的pcb,確實(shí)能看到進(jìn)步
分享幾個(gè)從本科到研究生期間畫(huà)過(guò)的PCB,可以看到技術(shù)在逐漸進(jìn)步,但是依然有不足的地方,各位且看個(gè)熱鬧。
MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)管,已經(jīng)是開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動(dòng)器件,其驅(qū)動(dòng)表面上看來(lái)是非常簡(jiǎn)單,但是詳細(xì)分析起來(lái)并不簡(jiǎn)單。...
2023-04-18 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源MOS 1068 0
自 20 世紀(jì) 80 年代發(fā)展至今,IGBT 芯片經(jīng)歷了 7 代技術(shù)及工藝的升級(jí),從平面穿通型(PT)到微溝槽場(chǎng)截止型,IGBT 從芯片面積、工藝線寬、...
對(duì)于咱們電源工程師來(lái)講,我們很多時(shí)候都在看波形,看輸入波形,MOS開(kāi)關(guān)波形,電流波形,輸出二極管波形,芯片波形,MOS管的GS波形,我們拿開(kāi)關(guān)GS波形為...
閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...
首先這個(gè)小夜燈是USB直插的,還帶萬(wàn)向彎曲的軟管燈桿,三色燈光可調(diào),亮度也可以多檔調(diào)整,即插即用。里面就是一個(gè)電路板加一個(gè)勻光燈罩。
基于Verilog的開(kāi)關(guān)級(jí)建模
開(kāi)關(guān)級(jí)建模是比門(mén)級(jí)建模更為低級(jí)抽象層次上的設(shè)計(jì)。在極少數(shù)情況下,設(shè)計(jì)者可能會(huì)選擇使用晶體管作為設(shè)計(jì)的底層模塊。隨著電路設(shè)計(jì)復(fù)雜度及相關(guān)先進(jìn)工具的出現(xiàn),以...
2023-03-30 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)信號(hào) 2037 0
基于FP5207B的音響驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用設(shè)計(jì)
FP5207B是一款大功率異步升壓恒壓芯片,外置N溝MOS驅(qū)動(dòng),與肖特基和電感形成回路組成升壓架構(gòu);
最近在調(diào)ICM20602模塊,一個(gè)六軸陀螺儀和加速度計(jì),使用IIC通信協(xié)議,這個(gè)過(guò)程中遇到一個(gè)困擾我很長(zhǎng)時(shí)間的問(wèn)題。
MOS晶體管中的漏極/源極和襯底結(jié)在晶體管工作期間被反向偏置。這會(huì)導(dǎo)致器件中出現(xiàn)反向偏置的漏電流。這種漏電流可能是由于反向偏置區(qū)域中少數(shù)載流子的漂移/擴(kuò)...
數(shù)字電路基礎(chǔ)知識(shí)之MOS管特性
mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者是金屬-絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體...
自舉升壓驅(qū)動(dòng)芯片在MOS/IGBT的驅(qū)動(dòng)中應(yīng)用已經(jīng)十分廣泛,自舉升壓作為產(chǎn)生浮地電源的普遍方法,應(yīng)用起來(lái)十分便捷,行之有效。
SOT-23 升壓轉(zhuǎn)換器可在狹小空間內(nèi)提供高功率
LT1935是一款電流模式升壓調(diào)節(jié)器,采用小型5引腳ThinSOT封裝。憑借其小封裝、高開(kāi)關(guān)頻率(1.2MHz)和內(nèi)部2A、40V電源開(kāi)關(guān),LT1935...
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